<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom">
    <title>Electronews</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/" />
    <link rel="self" type="application/atom+xml" href="http://www.electronews.ir/atom.xml" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007-08-16://1</id>
    <updated></updated>
    
    <generator uri="http://www.sixapart.com/movabletype/">Movable Type Publishing Platform 4.0</generator>


<entry>
    <title>افزايش سرعت Matlab  بوسيله فايل هاي MEX</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/computer/371/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/articles//3.371</id>

    <published>2008-05-30T11:42:28Z</published>
    <updated>2008-05-30T12:09:33Z</updated>

    <summary>تكنيك هاي افزايش سرعت Matlab شامل روش هايي چون آناليز عملكرد برنامه، بردارسازي و تبديل كد هاي Matlab به فايل هاي MEX مي شود. Matlab يك ابزار فوق العاده در پياده سازي و اجرای الگوريتم ها مي باشد. اين نرم افزار با ايجاد محيط برنامه نويسي ساده و ارائه ي كتابخانه ي گسترده اي از توابع، امكان اجرا، تحليل و نمايش الگوريتم هاي پيچيده را به كابر مي دهد. اين مقاله به مرور روش هاي افزايش سرعت نرم افزار Matlab...</summary>
    <author>
        <name>مهدی پاشائی وانق علیا</name>
        
    </author>
    
        <category term="Computer" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="فایلmex" label="فایل MEX" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="متلب" label="متلب" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شرکتmathworks" label="شرکت Mathworks" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[<p>تكنيك هاي افزايش سرعت Matlab شامل روش هايي چون آناليز عملكرد برنامه، بردارسازي و تبديل كد هاي Matlab به فايل هاي MEX مي شود.</p>

<p>Matlab  يك ابزار فوق العاده در پياده سازي و اجرای الگوريتم ها مي باشد. اين نرم افزار با ايجاد محيط برنامه نويسي ساده و ارائه ي كتابخانه ي گسترده اي از توابع، امكان اجرا، تحليل و نمايش الگوريتم هاي پيچيده را به كابر مي دهد.</p>

<p>اين مقاله به مرور روش هاي افزايش سرعت نرم افزار Matlab مي پردازد و مباحثي چون آناليز عملكرد برنامه، بردارسازي و تبديل كد هاي Matlab به فايل هاي MEX را پوشش مي دهد.</p>

<p><strong>چرا سرعت Matlab  پايين است؟</strong></p>

<p>Matlab  يك زبان ترجمه شده (interpreted) مي باشد. اين بدان معني است كه هر عمليات نياز به پردازش اضافي دارد. در زبان هاي تفسير شده چون C يا c++ اين زمان اضافي را نداريم. (Matlab  داراي مكانيزم ايجاد كد بصورت لحضه اي و فوري مي باشد كه اين مشكل را در مواردي كاهش مي دهد).</p>

<p>براي انجام يك دستورالعمل ساده در MATLAB ، مترجم بايد به اپرندهاي مربوطه رجوع كند و محاسبات صحيح را براي اجرا انتخاب كند. اين انتخاب بستگي به انواع داده (حقيقي، مختلط، كاراكتر، منطقي و ...) و شكل اپرندها (اسكالر، رديف، ستون، ماتريس و ...) دارد. هنگامي كه دستورالعمل ها انجام شد، مقادير بدست آمده بايد ذخيره شود. براي يك تخصيص حافظه ي ساده، مترجم MATLAB  بايد هر دو اپرند ورودي و خروجي را مد نظر قرار دهد و تصميم بگيرد كه آيا احتياج هست كه حافظه ي بيشتري اختصاص يابد يا اينكه مقادير بدست آمده بايد در عمل اختصاص حافظه تبديل شوند.</p>

<p>اين پردازش اضافي كه صرف عمل اختصاص و انتخاب مي گردد عامل اصلي كند بودن MATLAB نسبت به زبان هاي تفسير شده است. اين زمان اضافي هنگامي قابل توجه است كه عملياتي روي اسكالرها يا مجموعه ي كوچكي از داده ها انجام مي شود. به همين دليل حلقه هايي كه درآن عمليات عددي انجام مي شود سرعت اجراي پاييني در MATLAB دارند.</p>

<p>توجه كنيد که اگر  80درصد زمان اجرا به 20 خط از برنامه يا اجراي يك تابع اختصاص يابد، اين قسمت همان جايي است كه بايد بهينه گردد.</p>

<p>استفاده از ابزار  <a href="http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/techdoc/matlab_env/f9-17018.html">MATLAB Profiler</a>راه بسيارخوبي در تشخيص نقاطي از برنامه است كه اجراي آن سنگين مي باشد. اين نقاط كه اجراي آن سخت و وقت گير است، اصطلاحاً تنگه ي برنامه ناميده مي شود. اين ابزار را مي توان به دو صورت فراخواني و استفاده نمود. راه اول استفاده از دستور profile در خط فرمان MATLAB مي باشد و راه ديگر اين است كه در قسمت Desktop در صفحه ي اصلي MATLAB گزينه ي profile را انتخاب كنيم. اين ابزار به شما اجازه مي دهد تشخيص دهيد كه كدام قسمت از برنامه وقت بيشتري از پردازش را به خود اختصاص داده است.<br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216490_dhvbj/electronews-6matlab-fig1.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216490_dhvbj/electronews-6matlab-fig1.gif" style="width: 500px;" /></a><br />
</p> <br /><br />
</center><br />
تصاویر بالا گزارش ابزار profiler را در مورد يك برنامه <a href="http://cobweb.ecn.purdue.edu/%7Eips/tutorials/me/">تخمين حركت</a> نشان مي دهد. در اين برنامه از <a href="http://www.mathworks.com/matlabcentral/fileexchange/loadFile.do?objectId=8761&amp;objectType=file">الگوريتم تطبيق بلوك</a> استفاده شده است. با مطالعه ي گزارش بالا مي توان به سرعت پي برد كه اكثر زمان اجرا به تابع costFunctionMAD اختصاص يافته است. قسمت محاسبه ي ميانگين اختلاف مطلق بلوك ها مهمترين عامل وقت گير در داخل اين تابع است.

<p>هنگامي كه تنگه هاي برنامه را مشخص كرديم، مي توانيم روش هاي زير را به منظور <a href="http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/techdoc/matlab_prog/f8-784135.html">بهبود عملكرد MATLAB</a> به كار بگيريم.</p>

<p>1) پيش تعريف آرايه ها<br />
2) بردارسازي برنامه<br />
3) كاربرد فايل MEX تفسير شده</p>

<p>اين روش ها تنها براي برنامه هايي كه شما نوشته ايد كاربرد دارند. براي سريع كردن اجراي توابع داخلي و توكار MATLAB همانند filter و fft راه حل كلي وجود ندارد و در واقع اين توابع به خوبي بهينه شده اند.</p>

<p><strong>پیش تعریف آرایه ها:</strong></p>

<p>هنگامي كه آرايه ها در داخل حلقه مي آيند. زمان اضافي براي تخصيص حافظه و كپي كردن اطلاعات تلف مي شود. بطور كلي مي توانيم توسط عمل <a href="http://www.mathworks.com/support/solutions/data/1-18150.html">اختصاص اوليه ي حافظه</a> اين زمان را كاهش دهيم. بدين منظور بايد قبل از حلقه ها، توابع zeros را فراخواني نمود. همچنين مي توان با استفاده از تابع struct به همراه تابع repmat،<a href="http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/techdoc/matlab_prog/f2-88951.html#f2-41686"> آرايه هاي ساختاري</a> را به برنامه اضافه نمود.</p>

<p><strong>بردارسازي برنامه:</strong></p>

<p>راه حل كلي براي افزايش سرعت اجرا، بردارسازي مي باشد. اين كار را با جايگزين كردن حلقه ها و عملكردهاي عددي با عملكردهاي برداري انجام مي دهيم. در <a href="http://www.mathworks.com/support/tech-notes/1100/1109.shtml">راهنماي بردارسازي</a> شركت Mathworks مي توانيد روش هاي متعدد بردارسازي برنامه را پيدا كنيد. در برنامه بالا، يك حلقه كار محاسبه ي ميانگين اختلاف مطلق بلوك ها را به عهده دارد. مي توان با كاربرد تابع  sum بجاي اين حلقه، اين قسمت را بردارسازي نمود. اين تغيير ساده سرعت اجراي كلي برنامه را دو برابر افزايش مي دهد. <br />
</p><div style="float: left; text-align: left; width: 100%;" dir="ltr"><br />function cost = costFuncMAD(currentBlk,refBlk, n)<br /><br />% Non-vectorized code<br /><br />% err = 0;<br />% for i = 1:n<br />%&nbsp;&nbsp; for j = 1:n<br />%&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp; err = err + abs((currentBlk(i,j) - refBlk(i,j)));<br />%&nbsp;&nbsp;&nbsp; end<br />% end<br /><br />% Vectorized code<br /><br />err = sum(abs(currentBlk(:) - refBlk(:)));<br /><br />cost = err / (n*n);</div> <br />
بردارسازي براي محاسبات آرايه اي كه شامل استثناء در محاسبات نيستند، مناسب مي باشد. به بيان ديگر هرگاه بخواهيم عمل محاسباتي اي را بدون وجود استثناء بر روي مجموعه ی بزرگي از داده ها اعمال كنيم، بهتر است از بردارسازي كمك بگيريم. بردارسازي بر روي الگوريتم هايي كه شامل تعدادزيادي استثناء يا ساختارهاي نامنظم هستند، خوب عمل نمي كند. استفاده از بردارسازي در اين چنين محاسباتي موجب مي شود كه برنامه پيچيده تر شود و در نتيجه فهم، نگهداري و اشكال زدايي برنامه سخت تر گردد. در برخي شرايط ممكن است كه استفاده از بردارسازي ممكن نباشد يا حتي استفاده از آن سرعت اجراي برنامه را به دليل افزايش كاربرد حافظه كاهش دهد. در اين شرايط بايد حلقه ها و توابع را تبديل به فايل هاي MEX نمود.<br />
     <br />
فايل هاي  MEXهمانند توابع داخلي MATLAB، فايل هاي كامپايل شده هستند. بنابراين بسيار سريع مي باشند. كار با توابعي كه بصورت فايل MEX در آمده اند بسيار ساده است. اين توابع همانند ديگر توابع مي توانند بطور مستقيم توسط MATLAB فراخوانده شوند.

<p>در  MATLABمي توان با كاربرد دستور mex، فايل هاي MEX مبتني بر C يا Fortran ايجاد كرد. درصورت استفاده از اينترفيس برنامه نويسي MEX (MEX API) كدهاي C يا Fortran را بايد به صورت دستي نوشت. توابع MEX قادرند ورودي را به طور مستقيم از MATLAB بخوانند، خروجي را به MATLAB بازگردانند و يا به متغيرهاي سراسري دسترسي داشته باشند.  MEX APIاين امكان را فراهم مي كند كه از hook در برنامه استفاده نمود. به كمك hook مي توان براي استفاده از توابع مصور سازي و ... به MATLAB بازگشت. <a href="http://www.mathworks.com/support/tech-notes/1600/1605.html">راهنماي MEX-file</a> شركت Mathworks اطلاعات بيشتري در مورد نوشتن فايل هاي MEX در اختيارتان قرار مي دهد.</p>

<p>پر واضح است كه نوشتن فايل هاي MEX بطور دستي كاري وقت گير است. از طرف ديگر احتمال اشتباه نيز زياد است. براي تبديل كدهاي MATLAB به C يا Fortran چندين كار بايد انجام شود. در مرحله اول بايد الگوريتم برنامه تان را كه شامل توابع MATLAB مي باشد، پياده سازي كنيد. به اين منظور مي توانيد كد هاي جديدي بنويسيد يا اينكه توابع و كتابخانه هاي موجود قبلي را فراخواني كنيد. درخلال نوشتن اين كدها، بايد با كاربرد روتين هاي مناسب مديريت حافظه و تعريف متغيرهاي داخلي عمل تخصيص حافظه را انجام دهيد. در پايان بايد بوسيله ي MEX API، كدها را با مدل MATLAB ارتباط دهيد.</p>

<p>اشكال زدايي فايل هايي MEX سخت است چرا كه در اشكالگير (debugger) زبان C يا Fortran هيچ كدام از توابع تحليل و مصورسازي MATLAB در دسترس نيست. همچنين زبانهاي C يا Fortran نسبت به خطاها و اشكالات به اندازه ي MATLAB حساس نيستند.</p>

<p>راه ساده تري نيز وجود دارد و آن اين است كه كه به طور اتوماتيك از طريق MATLAB فايل MEX را ايجاد كرد. به اين ترتيب به طور كامل از محيط MATLAB به منظور اجرا و بهينه سازي برنامه تان بهره مي گيريد. هر زمان كه شما برنامه تان را تغيير دهيد و آن را به فايل MEX تبديل كنيد، تغييرات اعمالي روي برنامه تان بر روي فايل MEX منعكس مي گردد.</p>

<p>با كاربرد فناوري مفسر بهينه ساز مي توانيد برنامه ي MATLAB را به فايل هاي پرسرعت MEX تفسير نماييد. به اين صورت برنامه اي كه درMATLAB  نوشته ايد به طور داخلي به كد هاي واسطه اي C ترجمه مي شود. توانايي توليد كد هاي C از MATLAB به شما تنها امكان توليد فايل هاي MEX را نمي دهد. بلكه با استفاده از آن مي توانيد مدلهاي ANSI مبتني بر  Cايجاد كنيد. اين مدل ها بصورت مستقل اجرا مي شوند.</p>

<p>در برنامه ي مثال بالا، ايجاد فايل MEX موجب مي شود برنامه بالاترين سرعت اجرا را داشته اشد. در مثال بالا، برنامه اصلي داراي زمان اجراي s 46، برنامه بااعمال روش بردارسازي داراي سرعت اجراي s 26 و برنامه ي فايل MEX داراي زمان اجراي s 2.7 مي باشد.  <br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216491_fxyti/electronews-6matlab-fig2.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216491_fxyti/electronews-6matlab-fig2.gif" style="width: 500px;" /></a><br />
</p> <br /><br />
</center><br />
تصویر بالا نشان مي دهد گه چگونه فايل هاي MEX سرعت اجراي الگوريتم مثال بالا را تقريباً ده برابر افزايش داده است. 

<p><strong>درباره ی مؤلف:</strong></p>

<p>لوک سیمریا مدیر محصولات شرکت Catalytic می باشد. پیش از آن، پست هایی در شرکت Synopsys داشته است. موضوعات تحقیقی مورد علاقه ی وی شامل کامپایلرها، ابزار EDA، معماری کامپیوتر، و الگوریتم های DSP می باشد. او مدرک Ph.D خود را در مهندسی برق از دانشگاه استنفورد گرفته است. با استفاده از آدرس luc@catalyticinc.com می توانید با او تماس بگیرید.</p>

<p><strong>مشخصات مترجم</strong></p>

<p>مهدی پاشائی، دانشجوی مهندسی برق مقطع کارشناسی</p>

<p>منبع: <a href="http://www.dspdesignline.com/">dspdesignline</a></p>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساختار كليد های لمسی خازنی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/electronics/370/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/articles//3.370</id>

    <published>2008-05-30T11:39:48Z</published>
    <updated>2008-11-19T10:22:43Z</updated>

    <summary>حسگرهای لمسی سال هاست كه متداول است. پیشرفت های اخیر در حوزه ی ابزارات برنامه پذیر، موجب شده است كه حسگرهای لمسی خازنی به عنوان جایگزینی عملی و مناسب برای كلیدهای مكانیكی در حوزه های متفاوت مطرح شوند. حسگرهای خازنی دارای پوششی سه میلیمتری می باشند. تشخیص انگشت هنگامی كه ضخامت لایه ی پوششی افزایش می یابد بسیار سخت تر می گردد. به بیان دیگر زمانی كه ضخامت لایه زیاد می شود، تنظیمات سیستم برای كاركرد صحیح پیچیده می گردد....</summary>
    <author>
        <name>مهدی پاشائی وانق علیا</name>
        
    </author>
    
        <category term="Electronics" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="حسگر" label="حسگر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حسگرلمسی" label="حسگر لمسی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حسگرخازنی" label="حسگر خازنی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="خازن" label="خازن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[<p>حسگرهای لمسی سال هاست كه متداول است. پیشرفت های اخیر در حوزه ی ابزارات برنامه پذیر، موجب شده است كه حسگرهای لمسی خازنی به عنوان جایگزینی عملی و مناسب برای كلیدهای مكانیكی در حوزه های متفاوت مطرح شوند.</p>

<p>حسگرهای خازنی دارای پوششی سه میلیمتری می باشند. تشخیص انگشت هنگامی كه ضخامت لایه ی پوششی افزایش می یابد بسیار سخت تر می گردد. به بیان دیگر زمانی كه ضخامت لایه زیاد می شود، تنظیمات سیستم برای كاركرد صحیح پیچیده می گردد. برای اینكه نشان دهیم چگونه یك حسگر خازنی بسازیم كه از محدوده های فناوری روز فراتر رود، لایه ی پوششی را از جنس شیشه و با ضخامتmm  10 انتخاب می كنیم. كار كردن با شیشه راحت است و در دسترس نیز می باشد، همچنین بدلیل شفاف بودنش می توانیم قسمت های زیرین را ببینیم. پوششهای شیشه ای كاربرد مستقیم بسیاری در وسایل خانگی دارند.</p>

<p><strong>ظرفیت خازنی انگشت</strong></p>

<p>در قلب هر سیستم حسگر خازنی، مجموعه ای از هادی ها وجود دارد. این هادی ها و میدان های الكتریكی متقابلاً بر هم اثر می گذارند. بافت بدن انسان مملو از الكترولیت های هادی می باشد كه توسط پوست كه یك دی الكتریك پراتلاف است، پوشیده شده است. چیزی كه امكان عملكرد حسگر های خازنی را فراهم می كند، هدایت الكتریكی انگشت است.</p>

<p>یك خازن تخت ساده دارای دو هادی است كه توسط یك دی الكتریك از هم جدا شده اند. بیشتر انرژی در این سیستم بین دو صفحه متمركز شده است. مقداری از انرژی كل، بیرون از دو صفحه هدر می رود. خطوط میدان الكتریكی مرتبط با این اثر، میدان نشتی یا  میدان حاشیه نامیده می شود. یكی از چالش های تولید یك حسگر خازنی عملی، طراحی یک سری از مدار های الكتریكی می باشد كه میدان حاشیه ایی را به داخل ناحیه ی تماس هدایت كند. یك خازن تخت انتخاب مناسبی برای این كار نمی باشد.</p>

<p>قرار دادن یك انگشت در ناحیه میدان های الكتریكی حاشیه ای موجب می شود كه یك سطح هادی در سیستم خازنی قرار گیرد. ظرفیت ذخیره بار الكتریكی اضافی كه توسط انگشت ایجاد می شود را ظرفیت خازنی انگشت می نامیم و با CF نشان می دهیم. در این مقاله ظرفیت خازنی حسگر بدون وجود انگشت را CP  می نامیم. تصور غلطی كه در مورد حسگر های خازنی وجود دارد این است كه در این سیستم، انگشت باید زمین شود تا سیستم كار كند. یك انشگت را می توان حس كرد بدلیل اینكه دارای بار است و این هنگامی كه انگشت زمین شده باشد و یا حتی حالت شناور داشته باشد، اتفاق می افتد.</p>

<p><strong>نمای حسگر</strong></p>

<p>شكل 1 نمای برد مدار ( PCB ) را نمایش می دهد. در این طرح از یك كلید لمسی خازنی استفاده شده است. قطر كلید 10 mm می باشد كه تقریباً برابر اندازه ی سر انگشت های یك انسان بالغ است. PCB طرح ما دارای چهار كلید است كه هر كدام mm 20 با هم فاصله دارند. صفحه ی زمین بر روی لایه ی بالایی قرار دارد. صفحه ی حسگر توسط یك شكاف یكنواخت از صفحه ی زمین جدا شده است. اندازه این شكاف از جمله پارامترهای مهم در طراحی می باشد. اگر شكاف خیلی كوچك باشد انرژی زیادی به زمین هدایت می شود و اگر بیش از حد بزرگ باشد كنترل نحوه ی هدایت انرژی به لایه ی پوششی از دستتمان خارج می گردد. شكافی با قطر mm 0.5 برای هدایت میدان حاشیه ایی به لایه ایی از جنس شیشه و  به قطر mm10 مناسب می باشد.</p>

<center>
<p>
<a href="http://boxstr.com/files/2216073_bslmk/electronews-5capacitor-fig1.gif" target="_new">
<img src="http://boxstr.com/files/2216073_bslmk/electronews-5capacitor-fig1.gif" style="width: 400px;" /></a>
</p> <br />
شكل 1 ) نمای PCB

<p> <br />
</p><p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216074_l55ec/electronews-5capacitor-fig2.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216074_l55ec/electronews-5capacitor-fig2.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /><br />
شكل 2 ) نمای مقطع حسگر خازنی<br />
</center><br />
میدان الكتریكی كوتاه ترین مسیر را به زمین پیدا می كند. ضریب دی الكتریك εr، مشخص می كند كه چه مقدار انرژی در ماده جمع می شود. ضریب دی الكتریك شیشه ی استاندارد پنجره در حدود 8، ماده ی FR4 مربوط به PCB در حدود 4 و شیشه ی پیركس (كه در مواد شفاف مورد كاربرد دارد) در حدود 5 می باشد. در طرح این حسگر، از شیشه ی استاندارد پنجره استفاده شده است. توجه داشته باشید كه ورق شیشه با استفاده از یك لایه ی عایق الكتریكی 468-MP از 3M روی PCB قرار گرفته است.  

<p><strong>حسگر خازنی 101</strong></p>

<p>اجزای اصلی یك سیستم حسگر خازنی شامل یك منبع جریان برنامه پذیر، یك مقایسه كننده آنالوگ و یك گذرگاه مالتی پلكسر آنالوگ می باشد. عملكرد اسیلاتور وقفه ای (رلاكسیون) تابعی از خازن استفاده شده در طرح می باشد. مدار ساده شده طرح در شكل 3 آمده است. <br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216075_5dkf8/electronews-5capacitor-fig3.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216075_5dkf8/electronews-5capacitor-fig3.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 3 ) مدار ساده شده اسیلاتور وقفه ای<br />
</center><br />
خروجی مقایسه كننده وارد ورودی كلاك (ساعت) یك مدار مدولاتور عرض پالس (PWM) می شود. خروجی این مدار نیز، ورودی یك شمارشگر 16بیتی می باشد. فركانس كلاك شمارشگر برابر MHz 24 می باشد. روش كار به این صورت است كه حضور انگشت موجب افزایش ظرفیت خازنی می شود. در نتیجه تعداد شمارش ها زیاد می گردد. شكل موج این سیستم در شكل 4 آمده است.   <br />
<center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216078_rjtzb/electronews-5capacitor-fig4.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216078_rjtzb/electronews-5capacitor-fig4.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 4 ) شكل موج خروجی سیستم<br />
</center><br />
شكل 5 پیاده سازی این طرح توسط یك مدار را نشان می دهد.<br />
 <center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216132_a4oil/electronews-5capacitor-fig5.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216132_a4oil/electronews-5capacitor-fig5.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 5) نمای مدار حسگر خازنی<br />
</center><br />
 <br />
برای حسگر خازنی و ارتباطات سری از PSoC IC سری CY8C21x34 استفاده شده است كه شامل مجموعه ای از بلوك های دیجیتالی و آنالوگ می شود. این بلوك ها توسط نرم افزاری (firmware) كه در حافظه ی فلش  on boardسیستم موجود است پیكربندی می گردند. IC دیگری به منظور ارتباط با رایانه ی میزبان مورد استفاده قرار گرفته است. این IC امكان ضبط اطلاعات حسگر خازنی را با سرعت 115200 باود (بیت بر ثانیه) مهیا می كند. در شكل 5 نحوه اختصاص پین ها به چهار كلید حسگر خازنی را مشاهده می كنید. PSoC توسط ISSP header ( كه شامل پین های توان، زمین و پین های برنامه ریزی SCL و SDA برنامه ریزی می باشد) برنامه ریزی شده است. یك رایانه نیز از طریق رابط DB9 استاندارد به مدار حسگر خازنی متصل می شود.

<p><strong> تنظیم حسگر</strong></p>

<p>هر زمان كه تابع "start scan" در برنامه فراخوانی گردد، ظرفیت خازنی كلید اندازه گیری می شود. مقادیر شمارش اولیه در یك آرایه ذخیره می شود. مقادیر پایه هر كلید، میانگین سطوح شمارش اولیه می باشد كه توسط یك فیلتر IIR در برنامه محاسبه می گردد. سرعت تجدید اطلاعات در فیلتر IIR قابل برنامه ریزی است. مقادیر پایه این امكان را به سیستم می دهد كه خود را با انحرافات و تغییرات بوجود آمده بوسیله ی دما و دیگر اثرات محیطی تطبیق دهد. آرایه اختلاف كلید حاوی مقدار تفاوت بین مقادیر پایه و مقادیر شمارش اولیه می باشد. وضعیت خاموش/روشن توسط مقادیر اختلافی تعیین می گردد. این به سیستم اجازه می دهد كه با وجود انحراف و تغییرات  مقدار پایه، دارای عملكرد و كارایی ثابت باشد. شكل 6 تابع انتقال بین مقدار اختلاف و وضعیت كلید را نشان می دهد.<br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216133_gvn1v/electronews-5capacitor-fig6.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216133_gvn1v/electronews-5capacitor-fig6.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br />  <br />
شكل6 ) تابع انتقال بین اختلاف شمارش و وضعیت كلید<br />
</center><br />
هیسترزیس در این تابع انتقال موجب می شود، تغییر وضعیت بی نقص از خاموش به روشن و برعكس علی رغم وجود نویز در شمارش ممكن باشد كه در نتیجه از خاموش/روشن شدن های نادرست جلوگیری می شود. آستانه ی پایین را آستانه ی نویز و آستانه ی بالا را آستانه ی انگشت می نامیم. تنظیمات سطوح آستانه كارایی سیستم را تعیین می كند. اگرسیستمی دارای لایه ی پوششی ضخیم باشد نسبت سیگنال به نویز آن كم است. تنظیم سطوح آستانه در چنین سیستمی دشوار است.

<p>شكل موج ایده آل شمارش اولیه و سطوح آستانه در شكل 7 آمده است. در این شكل كلید به مدت 3 ثانیه فشرده شده است.<br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216134_6xavn/electronews-5capacitor-fig7.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216134_6xavn/electronews-5capacitor-fig7.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 7)<br />
</center><br />
آستانه ی نویز روی 10 شمارش و آستانه ی انگشت روی 60 شمارش تنظیم شده است (نویز در شكل نشان داده نشده است به این ترتیب سطوح آستانه را می توانید به وضوح مشاهده کنید. دقت كنید كه در شرایط عملی همواره در شمارش نویز داریم).

<p>قسمتی از كار تنظیمات سیستم مرتبط با انتخاب سطح منبع جریان DAC و همچنین تنظیم تعداد تناوب های اسیلاتور می باشد. برنامه (firmware) سطح منبع جریان را روی 200 تا 255 تنظیم می كند كه برای محدوده های كم در حدود 14 میكروآمپر می باشد. همچنین تعداد تناوب های اسیلاتور، 253 تنظیم می شود. تحلیل شمارش اولیه و اختلاف شمارش نشان می دهد ظرفیت پارازیتی(CP) در حدود  pF15 و ظرفیت خازنی انگشت (CF) در حدود pF 0.5 می باشد. تغییرات انگشت ظرفیت خازنی را در حدود 3% تغییر  می دهد.</p>

<p><strong>كارایی</strong></p>

<p>كارایی سیستم حسگر خازنی در شكل 8 آمده است.<br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216135_sfuvd/electronews-5capacitor-fig8.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216135_sfuvd/electronews-5capacitor-fig8.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 8 ) كارایی سیستم حسگر خازنی با كاربرد لایه ی mm 10 شیشه<br />
</center><br />
اختلاف تعداد شمارش ها توسط یك PC بوسیله ی برنامه ی تقلید ترمینالی گرفته شد و سپس رسم گردید. انگشت بر روی لایه ی mm 10 از شیشه به مدت سه ثانیه قرار داده شده است. كلید بطور بی نقصی تغییر وضعیت می دهد. این درحالی است كه سیگنال شمارش به دلیل لایه ی ضخیم پوششی دارای نویز می باشد. توجه كنید چگونه آستانه ی كلید و انگشت بطور متناوب با انحرافات و تغییرات مقدار پایه تنظیم می شوند. هنگامی كه كلید فشرده می شود مقدار پایه قفل می شود و این وضعیت تا زمانی كه انگشت از روی كلید برداشته شود ادامه می یابد. شكل 9 و 10 جزئیات تغییرات وضعیت از روشن به خاموش و برعكس را نشان می دهد.

<p> <br />
</p><center><br />
<p><br />
<a href="http://boxstr.com/files/2216136_y1szx/electronews-5capacitor-fig9.gif" target="_new"><br />
<img src="http://boxstr.com/files/2216136_y1szx/electronews-5capacitor-fig9.gif" style="width: 400px;" /></a><br />
</p> <br /> <br />
شكل 9) تغییر وضعیت به روشن

<p>
<a href="http://boxstr.com/files/2216138_ioow8/electronews-5capacitor-fig10.gif" target="_new">
<img src="http://boxstr.com/files/2216138_ioow8/electronews-5capacitor-fig10.gif" style="width: 400px;" /></a>
</p> <br />
شكل 10) تغییر وضعیت به خاموش
</center>

<p>در شكل 9، كلید در ابتدا خاموش است. با اولین نمونه اختلاف شمارش بالاتر از سطح آستانه ی انگشت، كلید از حالت خاموش به روشن می رود. در شكل 10، وضعیت كلید با اولین نمونه ی اختلاف شمارش كمتر از آستانه ی نویز به خاموش تغییر می كند.<br />
 <br />
اولین مزیت حسگرهای خازنی بر كلیدهای مكانیكی این است كه در استفاده ی طولانی مدت، حسگر خازنی بر خلاف نوع مكانیكی فرسوده نمی شود. با پیشرفت فناوری، هزینه ی حسگرهای خازنی پایین آمده است. این كاهش قیمت در حدی است كه این سیسیتم می تواند در گستره ی وسیعی از كاربردها مورد استفاده قرار گیرد. همچنین پیشرفت های اخیر موجب شده شده است كه قابلیت اطمینان، دقت و دوام این سیستم ها افزایش یابد. با استفاده از طرح پیشنهادی این مقاله، می توان با استفاده از یك لایه شیشه mm 10، فشار انگشت را حس نمود و تغییر وضعیت بی عیبی از حالت خاموش به روشن را داشت. كاربرد روش debounce (جلوگیری از روشن/ خاموش شدن های بی مورد) كه مبتنی بر آستانه ی نویز و انگشت است حسگر های خازنی را تبدیل به جایگزینی مناسب برای كلید های مكانیكی كرده است.</p>

<p><strong>درباره ی مؤلف</strong></p>

<p>مارک لی از مهندسین شرکت Cypress Semiconductor می باشد.</p>

<p><strong>مشخصات مترجم</strong></p>

<p>مهدی پاشائی، دانشجوی مهندسی برق مقطع کارشناسی</p>

<p>منبع: <a href="http://www.planetanalog.com">planetanalog</a></p>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>فناوری وایمکس (WiMAX)، استانداردها و اجرا - قسمت اول</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/communication/wireless/356/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/articles//3.356</id>

    <published>2008-05-20T17:34:20Z</published>
    <updated>2008-07-06T08:50:17Z</updated>

    <summary>با افزايش فاصله هاي مخابراتي، اتصال كابلي و ارتباط با فيبر نوري از لحاظ اقتصادي ديگر به صرفه نمي باشد. اما فناوري بي سیم امكان دسترسي به نواحي دور را به شکلی مقرون به صرفه مهيا مي كند. وايمكس ( مخفف: قابليت كار با سيستم هاي ديگر در برای دسترسی ماكروويو ) - يا IEE 802.16 و Wireless MAN- دسترسي با پهناي باند زياد را به فواصل طولاني تر از 802.16 (LAN بي سيم ) فراهم مي آورند. نكات مثبت...</summary>
    <author>
        <name>مهدی پاشائی وانق علیا</name>
        
    </author>
    
        <category term="Wireless" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="مخابرات" label="مخابرات" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="وایمکس" label="وایمکس" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بیسیم" label="بی سیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[<p>با افزايش فاصله هاي مخابراتي، اتصال كابلي و ارتباط با فيبر نوري از لحاظ اقتصادي ديگر به صرفه نمي باشد. اما فناوري بي سیم امكان دسترسي به نواحي دور را به شکلی مقرون به صرفه مهيا مي كند.</p>

<p>وايمكس ( مخفف: قابليت كار با سيستم هاي ديگر در برای دسترسی ماكروويو ) - يا IEE 802.16  و Wireless MAN- دسترسي با پهناي باند زياد را به فواصل طولاني تر از 802.16   (LAN بي سيم ) فراهم مي آورند.</p>

<p><strong>نكات مثبت وايمكس</strong></p>

<p>چهار عنصر تعريف كننده موجب تفاوت وايمكس با ديگر فناوري هاي بي سيم شده است.<br />
• وايمكس يك روش دسترسي بي سيم و با پهناي باند زياد است(BMA)  . كه ارتباط سريع و با پهناي باند بالا را به نقاط دور ايجاد مي كند. اين فناوري منطبق باIEEE 802.16/ETSI HiperMAN  مي باشد و مناسب تجهيزاتي است كه قابليت كار با سيستم هاي ديگر را دارند.<br />
• فناوري كه مبنا و اساس این استاندارد است اغلب با عنوان "Wireless MAN wireless local loop" يا وايمكس شناخته مي شود.<br />
• مهمترين ويژگي وايمكس قابليت كار محصولات توليد كنندگان مختلف با هم مي باشد. <br />
• وايمكس از روش هاي مدولاسيون  متفاوتي در بين مصرف كننده ها بهره مي جويد و از  ايستگاه هاي پايه در فواصل مختلف استفاده مي كند.</p>

<p><strong>معماري  وايمكس</strong></p>

<p>كارگروه 16  موسسه يIEEE  دو راه دسترسي را براي شبكه ی وايمكس تعريف كرده است .ثابت IEEE802.16TM2004 ) ( و سیار ( IEEE 802.16eTM ). در روش ثابت، دسترسي بوسيله يك آنتن مانند ايستگاه تلوزيوني ماهواره ايجاد مي شود. در روش سیار، ايستگاه مشترك (كاربر) بسيار شبيه ايستگاه هاي IEEE 802.11   فناوري  wi-fiمي باشد.</p>

<p>بکهال (انتقال داده به یک نقطه ی مرکزی) نقطه به نقطه وايمكس مي تواند به منظور اتصال شبكه هايWi-fi   از طريق سلول هاي دو حالته Wi-fi   و وايمكس مورد استفاده قرار گيرد. همچنين مي توان از آن براي دسترسي به بکهال ثابت نقطه به نقطه (كه موجب ارتباط شبكه هاي مش Wi-Fi از طريق سلول هاي دو حالته Wi-Fi و وايمكس مي گردد) استفاده نمود.</p>

<p>علاوه بر آن مي تواند در ايجاد ارتباط با ايستگاه های كاربر ثابت (SS) از طريق توپولوژي یک نقطه به چند نقطه بكار رود. توپولوژي مش را مي توان براي دسترسي به كاربري كه از طريق ايستگاه پايه (BS) قابل دسترسي نيست، بكار برد. SS هاي قابل حمل به زودي پشتيباني مي شوند.</p>

<p>معماري شبكه وايمكس بستگي به دو مورد دارد: ارتباط با Wi-fi  و توپولوژي شبكه. با شكوفايي وايمكس در آينده نزديك مي توان اين دو شبكه را با هم تلفيق نمود و از مزاياي هر دو بهره مند شد. سلول هاي واي مكس مي توانند با سلول هاي Wi-fi  موجود بطور پيوسته كار كنند و بهترين مسير براي انتقال به كاربر انتخاب گردد.</p>

<p>قضيه با معرفي پنج فاكتور ديگر پيچيده تر مي شود. <br />
• واسط هوايي PHY<br />
•  روش مخابره چندتايي (FDD -- استفاده از يک مسير الکتريکى براى حمل دو يا چند سيگنال با فرکانس هاى مختلف / TDD --مالتي پلكس كردن چندكانال با سرعت كم به يك كانال پرسرعت) <br />
• حالت انتقال (نيمه-دو برابر/ كامل- دو برابر)<br />
• عملكرد (با مجوز/ بدون مجوز)<br />
• نمودار ممتد انطباقي</p>

<p><strong>استانداردهاي وايمكس</strong></p>

<p>طي سال ها استانداردهاي مختلفي براي وايمكس ارائه شده است كه هر كدام براي هدف خاصي مناسب مي باشند. در شكل 1 ليستي از اين استانداردها را مشاهده مي كنيد.<br />
<center>
</p><p>
<a href="http://boxstr.com/files/2215922_8ahzz/electronews-4wimax-fig1.gif" target="_new">
<img src="http://boxstr.com/files/2215922_8ahzz/electronews-4wimax-fig1.gif" style="width: 500px; height: 500px;" /></a>
</p> <br />

شكل 1) پشته هاي پروتكل منطبق بر IEEE 802.16 MAC
</center>
<p><br /></p><p><strong>وايمكس چگونه كار مي كند؟</strong></p>

<p>وايمكس دو جزو اصلي را براي ايجاد يك شبكه عملي احتياج دارد.<br />
• ايستگاه مركزي (BS) كه به عنوان يك تكرار كننده عمل مي كند و مي تواند به اينترنت متصل باشد.<br />
• مشترك/ كاربر نهايي كه از دسترسي بي سيم با پهناي بالا از طريق ايستگاه مركزي استفاده مي كند.</p>

<p>واي مكس دو نوع سرويس بي سيم را ارائه مي دهد.<br />
• سرويس خارج از خط ديد (NLOS):  پشته هاي پروتكلي منطبق بر  IEEE 802.16 MAC است. اين نوعي از سرويس wi-fi  مي باشد كه در آن يك آنتن كوچك روي رايانه مشترك ( كاربر) به برج متصل است. در اين سرويس، وايمكس از فركانس پايين تري مشابه wi-fi  استفاده مي كند. اين فركانس بين 2 GHz و 11 GHz  مي باشد. به دليل استفاده از طول موج كوتاه سرويس NLOS مي تواند از موانع عبور كند.<br />
 • سرويس روی خط ديد (LOS) : در اين نوع سرويس يك آنتن بشقابي بر روي سقف يا نقاط قطب يك برج وايمكس نصب مي شود. اين نوع ارتباط پر قدرت تر و پايدار تر مي باشد و مي تواند حجم بزرگي از اطلاعات را با خطاي كمتر بفرستد. اين نوع ارتباط از فركانس بالاتري تا حد 66 GHz  استفاده مي كند. در فركانس هاي بالا  تداخل كمتر است و پهناي باند زيادتري در دسترس مي باشد.</p>

<p>با كاربرد آنتن هاي قدرتمند LOS، ايستگاه وايمكس مي تواند اطلاعات را به رايانه ها و روترها بفرستند، البته روترها و رايانه هايي كه  فناوري وايمكس راپشتيباني مي كنند و در 30 مايلي فرستنده هستند. 30 مايل حداكثر محدوده مخابراتي واي مكس مي باشد.</p>

<center>
<img src="http://boxstr.com/files/2215924_kqedx/electronews-4wimax-fig2.gif" />
  <br />
شكل2) پشته هاي پروتكل منطبق بر IEEE 802.16 MAC
</center>
<p>LAN  اي كه بوسيله Wi-Fi برقرار شده است با وايمكس بصورت پشت سر هم كار مي كند (خروجي يكي ورودي ديگري است).NLOS  معمولاً بين  LAN مشترك (كاربر) و ايستگاه هاي اصلي قرار مي گيرد. در حالي كه LOS بين دو ايستگاه اصلي مورد استفاده قرار مي گيرد.</p>

<p>استاندارد IEEE 802.16-2001  در سال 2001 تكميل شده و در آوريل سال 2002 منتشر گشت. اين استاندارد مشخصات تداخل هوايي شبكه بي سيم LAN را براي شبكه هاي مناطق شلوغ و پر تردد (MANs) بيا ن مي دارد. تكميل اين استاندارد موجب شد دسترسي بي سيم با پهناي باند زياد تبديل به ابزار اساسي در ارتباط خانه ها و مشاغل شود.</p>

<p>همانطور كه در استاندارد IEEE 802.16   آمده است، شبكه بي سيم MAN مي تواند از طريق آنتن خارجي كه در ارتباط با ايستگاه هاي راديويي مركزي (BS) است دسترسي به ساختمان ها را فراهم كند.</p>

<p>شبكه بي سيم MAN جايگزيني براي شبكه هاي كابلي مانند ارتباط فيبر نوري، سيستم هاي كواكسيال (كه از مودم هاي كابلي استفاده مي كنند) و  خطوط ارتباطي دبجبتالي كاربر (DSL) مي باشد. از آنجا كه سيستم هاي بي سيم ظرفيت پوشش منطقه جغرافيايي بزرگي را با زير ساخت هاي كم هزينه دارند، مي توانند دسترسي به همه جا را با پهناي باند بالا ميسر كنند.</p>

<p>با وجود اينكه اين سيستم ها سال ها مورد استفاده قرار گرفته است، پيشرفت استانداردهاي جديد نشانگر موفقيت صنعت در تجهيزات نسل دوم مي باشد. با استفاده از فناوري بي سيم MAN كه شبكه را به ساختمان ها آورده است، كاربران درون ساختمان مي توانند از طريق شبكه هاي سنتي داخل ساختمان به شبكه متصل شوند. از جمله شبكه هاي سنتي داخل ساختمان مي توان به                     IEEE  Ethernetبا استاندارد  802.3 براي انتقال اطلاعات و شبكه بي سيم LANs IEEE با  استاندارد 802.11 اشاره نمود. طراحي استانداردها در نهايت اجازه گسترش پروتكل هاي شبكه بي سيم LAN را به كاربران انفرادي مي دهد.</p>

<p>براي مثال درنظر بگيريد كه روزي يك BS مركزي، اطلاعات پروتوكل "كنترل دسترسي" را با رايانه ي خانگي معاوضه كند. ارتباط بين BS و گيرنده خانه و ارتباط بين گيرنده خانه و لپ تاپ احتمالاً از چند لايه فيزيكي كه متفاوت هستند استفاده كند.<br />
با اين وجود، طرح شبكه بي سيم MAN MAC مي تواند اين اتصال را با كيفيت سرويس بالا (QoS) اصلاح كند.</p>

<p>استاندارد IEEE 802.16 طراحي شد تا تداخلات هوايي مبتني بر پروتكل مشترك MAC و مشخصات لايه هاي فيزيكي (كه بستگي به طيف مورد استفاده و تنظيمات مربوطه دارند) را بيان دارد.</p>

<p><strong>مشخصات مولف</strong></p>

<p>Dr. S. Jagannathan رئيس انتشارات و حقوق انحصاري شركت Tata Elxsi هند مي باشد. ايشان 21 سال تجربه در طراحي سيستم ها بوسيله فناوري هايی چون نرم افزار/ كدينگ تصوير، شبكه كابلي و پروتوكل هاي بي سيم ،  IPv6، XDSL و benchmarking را دارند.براي ارتباط با ايشان ميتوانيد از آدرس Jagannathans@tataelxsi.co.in  استفاده كنيد.</p>

<p><strong>مشخصات مترجم</strong></p>

<p>مهدی پاشائی، دانشجوی مهندسی برق مقطع کارشناسی</p>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>مروری بر استانداردهای مطرح شبکه های بی سیم توان-پائین</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/communication/wireless/254/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/articles//3.254</id>

    <published>2008-02-21T13:49:53Z</published>
    <updated>2008-02-22T21:43:14Z</updated>

    <summary>فناوري هاي بلوتوث ، Wi-Fi و Zigbee جايگاه ويژه اي در مخابرات بی سیم دارند. اما به دلايل مختلف هيچ كدام بطور كامل مناسب شبكه هاي حسگر بی سیم نيستند. محصولات و فناوري شرکت Greenpeak که توسط Neik Van Dierdonek جهت استفاده در كاربرد هاي كنترلي و حسگرها ارائه شده است، به سرعت در حال تبديل به واقعيت است. تعداد كثيري از تحليل گران و فناوران بر اين باورند كه پذيرش جهاني فناوري بی سیم تنها مستلزم زمان است. مؤسسات...</summary>
    <author>
        <name>مهدی پاشائی وانق علیا</name>
        
    </author>
    
        <category term="Wireless" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ieee802154" label="IEEE 802.15.4" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="isa100" label="ISA-100" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="wifi" label="Wi-Fi" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="wirelesshart" label="Wireless HART" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="zigbee" label="ZigBee" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="استاندارد" label="استاندارد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بلوتوث" label="بلوتوث" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بیسیم" label="بی سیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شبکه" label="شبکه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شبکههایبیسیم" label="شبکه های بی سیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[<p>فناوري هاي بلوتوث ، Wi-Fi و Zigbee جايگاه ويژه اي در مخابرات بی سیم دارند. اما به دلايل مختلف هيچ كدام بطور كامل مناسب شبكه هاي حسگر بی سیم نيستند. محصولات و فناوري شرکت Greenpeak که توسط Neik Van Dierdonek جهت استفاده در كاربرد هاي كنترلي و حسگرها ارائه شده است، به سرعت در حال تبديل به واقعيت است. تعداد كثيري از تحليل گران و فناوران بر اين باورند كه پذيرش جهاني فناوري بی سیم تنها مستلزم زمان است.</p>
<p>مؤسسات استاندارد سازي و فناوران، عملكرد خو بي در طبقه بندي راه حل ها و فناوري ها نداشته اند. اگر هم كاري انجام شده است بدليل گنگ بودن در حوزه كاربرد موجب ناكامي شده است.</p>
<p>مصرف كننده هاي نهايي و فناوران، استاندارد سازي را به دلايل گوناگوني احتياج دارند. كه از آن جمله است: پيروي از مقررات جهاني، قابليت كار بين مارک هاي مختلف ، رقابت براي كاهش قيمت و ... .</p>
<p>برخي قطعات تكنولوژيكي به قدري گران مي باشند كه تنها با توليد بالا به مرز سود دهي مي رسند. كه در اين صورت وجود بازار جهاني ضروري و بسيار مهم است. استاندارد ها ابزارات مهمي در ايجاد آگاهي جهاني و بازار جهاني مي باشند. </p>
<p><strong>معماري سيستم شبكه حسگر بی سیم</strong></p>
<p>معماري سيستم حسگر بی سیم از سه لايه تشكيل شده است. (شكل 1) <br /><img style="float: left;" src="http://i26.tinypic.com/ok2a1d.jpg" /><br />گيرنده -فرستنده بی سیم (transceiver) كه اطلاعات ديجيتال را به سيگنال الكترومغناطيسي بی سیم تبديل مي كند . اين سيگنال مي تواند توسط فرستنده ارسال گردد و در گيرنده بازسازي شود.</p>
<p>در نسل قبلي فناوري بی سیم شما يا يك فرستنده براي ارسال داشتيد يا يك گيرنده براي دريافت. امروزه فناوري براي افزايش كارايي و اطمينان پذيري سيستم ، ابزار گيرنده و فرستنده را تؤام كرده است. </p>
<p><strong></strong>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p><strong>مقايسه Wi-Fi و بلوتوث با IEEE 802.15.4</strong> </p>
<p>توليد كنندگان چيپ به فروش بالا براي داشتن سود مناسب نياز دارند و فروش بالا نياز به بازار جهاني دارد. تجربه نشان ميدهد براي رشد بازار جهاني يك فناوري، نياز به استاندارد وجود دارد . فناوري اينترنت بی سیم Wi-Fi با استاندارد IEEE 802.11 a/b/g/n و فناوري بلوتوث كه بر پايه استاندارد تعريف شده در IEEE 802.15.4 (a.b) است از جمله مصداق هاي اين تجربه مي باشند. اين مورد براي شبكه هاي حسگر با استاندارد IEEE 802.15.1 (a/b) سال 2003 نيز صادق است. </p>
<p>هر كدام از اين سه فناوري كاربرد هاي خاصي را هدف قرار داده اند. Wi-Fi به عنوان جايگزيني براي ارتباط Ethernetكابلي رایانه های شخصی در شبكه مي باشد كه داراي ويژگي سرعت انتقال بالا است. در اين فناوري ایستگاه اصلي در مركز و رایانه های شخصی در كنار آن هستند.( شبكه ستاره) .</p>
<p>Wi-Fi مقدار مناسبي توان مصرف مي كند و مي تواند منبع آن باتري يك لپ تاپ باشد .</p>
<p>نرخ انتقال اطلاعات(سرعت) با افزايش فاصله از ایستگاه مركزي به شدت كاهش مي يابد. بلوتوث مرتبط يا كاربرد هاي تلفن همراه مي باشد . به عنوان مثال، ارتباط گوشي با هدفن، GPS و لپ تاپ . سرعت Mbps 1 فناوري بلوتوث براي انتقال صوت كافي است ولي سرعت آن نسبت به Wi-Fi كمتر است . در عوض مصرف توان كمتر است و اغلب سيستم مي تواند از طريق باتري گوشي همراه تغذيه شود. </p>
<p>در اغلب موارد محدوده ارتباطي بلوتوث كوچكتر از Wi-Fi مي باشد. بنابراين براي كاربرد هاي گوشي همراه مناسب مي باشد چراكه معمولاً هدفن ،GPS و لپ تاپ در مجاورت تلفن همراه مي باشند.</p>
<p>كاربردهاي مربوط به حسگر ها نيازمندي هاي ديگري را مي طلبند. خصوصاً در اين مورد كه بحث مصرف توان نيز مطرح است: </p>
<p>حسگر ها اغلب بايد براي مدت 5 سال با باتری ساعت ، انرژي بدست آمده از محيط توسط سلول خورشيدي و يا انرژي بدست آمده از سيستم جذب ارتعاش، كار كنند. اين باتری را نمي توان مانند باتری لپ تاپ يا گوشي همراه شارژ نمود. </p>
<p>نيازمندي هاي ديگر توسط فاكتور هايي چون : اعتماد پذيري سيستم، محدوده ارتباطي، تعداد گره هايي (node) كه بايد در يك شبكه پشتیبانی شوند و همچنين نياز به ساختار شبكه اتوماتيك ، تعيين مي گردد. در مقابل، سرعت پايين انتقال اطلاعات قابل قبول مي باشد چرا كه اغلب حسگر ها اطلاعات نسبتاً كمي توليد مي كنند و از طرفي روند توليد اطلاعات پيوسته نيست.</p>
<p>براي گيرنده-فرستنده هاي حسگر بی سیم ، محدوديت و شايد تنها استاندارد موجود IEEE 802.15.4 باشد. اولين نسخه استاندارد در سال 2003 به تصويب رسيد و در سال 2006 به روز گشت.</p>
<p>فروشندگان متعددي چيپ هاي فرستنده-گيرنده را عرضه مي كنند. بيشتر آنها حداقل اجراي استاندارد ها را رعايت مي كنند. بقيه توليد كننده ها دستگاه ها و فناوري هاي ضميمه ی تشويقي را به همراه محصول ارائه مي كنند كه در برخي كاربرد ها مفيد مي باشند. بطور مثال، گيرنده-فرستنده GP-2000 شركت GreenPeak دارای ويژگي هاي كاهش توان مصرفي مي باشد كه مناسب كاربرد هاي مربوط به باتري ساعت و كاربردهاي بدون باتري مي باشد.</p>
<p>در جدول شماره 1 پارامترهاي اساسي استاندارد IEEE 802.15.4 و مقايسه آنها با فناوري بلوتوث آمده است. پيشنهاد هايي به منظور استفاده از فناوري بلوتوث و Wi-Fi در كاربردهاي مربوط به حسگر ها مطرح شده است. در هر دو مورد Wi-Fi و بلوتوث بطور غير استاندارد استفاده شده اند. در حال حاضر بطور گسترده پذيرفته شده است كه IEEE 802.15.4 بهترين راه حل را براي كاربردهاي مربوط به حسگر ها پيشنهاد مي كند. كه البته تمام فناوران استاندارد IEEE 802.15.4 را رعايت نمي كنند.</p>
<p><br /><img style="float: left; width: 528px; height: 139px;" src="http://i31.tinypic.com/x2nrdj.jpg" height="139" width="513" />&nbsp;</p>
<p>برخي به منظور كاهش پيچيدگي و هزينه، اقدام به توليد گيرنده-فرستنده هايي با حقوق انحصاري كرده اند. </p>
<p></p>
<p><strong>شبكه</strong></p>
<p>ساختار اطلاعاتی شبكه دو مسئوليت دارد. اول اينكه شبكه را شكل دهد و نگهداري كند. ساختار اطلاعاتی شبكه هاي بی سیم بايد بتواند خود را با تغيير مداوم كيفيت لينك بين گره ها هماهنگ كند. براي مثال اتوماسيون يك ساختمان را در نظر بگيريد . در اين ساختمان افراد در رفت و آمد هستند( ممكن است شخصي بين دو گره ايستاده باشد.) و اين مي تواند تاثير خيلي بدي روي كيفيت لينك داشته باشد. بنابراين ساختار اطلاعاتی شبكه بايد در نظر بگيرد كه لينك ممكن است در هر لحضه قطع شود و در اين صورت آن گره يا شاخه مربوطه را ايزوله نمايد. در پاسخ به تداخل ،ساختار اطلاعاتی شبكه بايد مسيرهاي مخابراتي را دوباره برقرار كند و لينك هاي جديد را به گونه اي ايجاد كند كه اتصال بدون وقفه به تمام قسمتهاي شبكه فراهم آيد.</p>
<p>مسئوليت دوم شبكه ، تضمين انتقال پيام از گره مقصد به مبدأ بطور كارآمد و مطمئن مي باشد. منظور از راندمان در اينجا دو مورد مي باشد:</p>
<p>1) برآورده شدن ملزومات تآخير ( زماني كه پيام در مسير است) </p>
<p>2) اجتناب از ايجاد تنگراه ( عامل كند كننده) در مسير پيام </p>
<p>سخت افزار به تنهايي نمي تواند اين انعطاف پذيري را تأمين كند. نياز به وجود ساختار اطلاعاتی قابل برنامه ريزي مي باشد تا هزينه سرمايه گذاري را كاهش داده و سود قابل قبول را با وجود حجم توليد پايين براي قطعه سازان به ارمغان آورد. </p>
<p>در حال حاضر تعدادي ساختار اطلاعاتی شبكه استاندارد بر اساس802.15.4 IEEE ساخته شده اند.</p>
<p><img style="float: left;" src="http://i31.tinypic.com/ve6jie.jpg" /></p>
<p><br /><strong></strong>&nbsp;</p>
<p><strong></strong>&nbsp;</p>
<p><strong></strong>&nbsp;</p>
<p><strong></strong>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p>
<p>&nbsp;</p><br /><p><br /></p><p><br /></p>
<p><strong>تأثيرAlliance Zigbee</strong></p>
<p></p>
<p>Alliance Zigbee يك موسسه استاندارد مستقل مي باشد. اين موسسه توسط گروهي از فناوران و OEM ها اداره مي شود . در اواخر سال 2007 اين گروه مشخصات دو ساختار اطلاعاتی شبكه را نهايي نمود: ساختار اطلاعاتی شبكه Zigbee و ساختار اطلاعاتی شبكهPRO Zigbee .</p>
<p>از نقطه نظر كاربرد ، Zigbeeمناسب شبكه هاي خانگي كه بطور نمونه شامل ده تا چند صد وسيله هستند، مي باشد. PRO Zigbee داراي كاركرد هايي است كه امكان scale شبكه و هماهنگي بهتر با تداخلات بی سیم فناوري هاي ديگر را فراهم مي آورد . </p>
<p>اين ويژگي موجب گشته PRO Zigbee مناسب كاربردهاي بزرگ مانند فضاي يك ساختمان تجاري باشد. هم اكنون اين كاربرد احتياج به حجم بسيار حافظه دارد.در نتيجه قيمت آن زياد است و استفاده از آن را براي بسياري از مشتريان محدود مي كند.</p>
<p>با كاهش روز افزون قيمت سيليكون پيش بيني مي كنيم اختلاف قيمت بين Zigbee و PRO Zigbee به زودي قابل چشم پوشي شود و PRO Zigbee بسياري از كاربرد ها را پوشش دهد.</p>
<p>Alliance Zigbee بطور صريح كاربردهاي صنعتي را نفي نمي كند. با اين وجود تعداد زيادي از شركت هاي بزرگ اتوماسيون صنعتي نياز به ويزگي هاي اضافي را حس كرده اند كه جزو ليست اولويت هاي اصلي Zigbee نمي باشد. دو ويژگي صنعتي مهم تآخير قطعي (deterministic latency ) و قابليت اطمينان قطعي(deterministic reliability ) مي باشند. تآخير قطعي مدت زماني است كه پيام از منبع به مقصد ميرود. اگر منبع يك PLC و مقصد يك ماشين باشد بسيار مهم است كه تآخير قطعي به دقت كنترل شود.</p>
<p>به همين دليل استاندارهايي كه بطور صريح اتوماسيون صنعتي را هدف قرار داده اند از يك ويژگي IEEE 802.15.4 به نام" زمان تضمين شده " بهره مي برند. كه دراين حالت بدترين تآخير پيام تضمين مي گردد. Zigbee از زمان تضمين شده استفاده نمي كند. قابليت اطمينان قطعي اشاره به قابليت ايجاد مسير مخابراتي تضمين شده بين دو وسيله بی سیم دارد.</p>
<p>مهمترين دشمن اعتمادپذيري تداخل مي باشد.اين تداخل بوسيله ديگر كاربران همان باند فركانسي بوجود مي آيد. ابزارات منطبق با IEEE 802.15.4 از باند فركانسي 2.4 GHz استفاده مي كنند. دراين حالت مهمترين تداخل توسط گيرنده-فرستنده هاي Wi-Fi مي باشد. اكثر تداخلات عملكرد دستگاه هاي منطبق بر IEEE 802.15.4 را بطور كامل مختل نمي كنند. اما موجب مي شوند برخي بسته هاي اطلاعاتي از دست رود. براي كاهش اين تلفات ،استانداردهاي بی سیم مورد استفاده در كاربردهاي صنعتي مكانيزمي را فراهم مي آورد كه تلفات بسته ها بطور يكنواخت در طول زمان توزيع شوند. بدين طريق قابليت پيش بيني و قابليت اطمينان به سيستم افزايش مي يابد.</p>
<p><strong>ISA-100 و Wireless HART</strong></p>
<p>ISA-100 و Wireless HART دو استاندارد در اتوماسيون بی سیم صنعتي مي باشند. ISA-100 محصول انجمن اتوماسيون ، سيستم ها و ابزار سازي (ISA ) مي باشد . ISA يك انجمن مهندسي غير تجاري است كه روي اتوماسيون صنعتي تمركز دارد. انتظار مي رودISA-100 مشخصات استانداردي را در بازه زماني 2008-2009 ارائه دهد.</p>
<p>Wireless HART بطور كامل يك پروتكل صنعتي حسگر نمي باشد. در واقع ضميميه اي بر استاندارد قديمي ولي معمول HART است. HART يك استاندارد گذرگاه (Bus) کابلی براي اتوماسيون صنعتي مي باشد.</p>
<p>از آنجا كه ISA-100 و Wireless HART هر دو بطور اساسي مشكلات يكساني را حل مي كنند اخيراً تلاش شده است كه بتوان اين دو را در یکدیگر ادغام كرد. اولين نسخه به احتمال زياد نيازمند پل شبكه ( يك مترجم بين دو سيستم ) خواهد بود. نسخه هاي بعدي احتمالاً از يك زبان مشترك استفاده كنند.</p>
<p>جدول 2 برخي ويژگي هاي استانداردهاي صنعتي و تجاري را فهرست مي كند.</p><img style="padding: 4px; float: left;" src="http://i28.tinypic.com/2ugo1tt.jpg" height="326" width="519" /> 
<p><strong></strong>&nbsp;</p>
<p><strong>فناوري هاي بی سیم انحصاري</strong><br /></p>
<p>علاوه بر فناوري هاي استاندارد حسگر بی سیم، فناوري هاي انحصاري مربوط به شركت هاي خاص نيز وجود دارند. به اين معنا كه يك شركت كنترل يك فناوري را به عهده دارد كه عملاً موجب حق امتياز بر آن فناوري مي شود. استاندارد هاي امتيازي اغلب به منظور استفاده در يك كاربرد خاص يا تعدادي كاربرد خاص بوجود آمده اند. در عمل فناوري هاي انحصاري با سرعت بيش تري مي توانند رشد كنند .فناوري هاي با حقوق انحصاري ممكن است در برخي كاربرد هاي محدود از فناوري هاي استاندارد برتر باشند.</p><br />
<p>دو فناوري مهم در عرصه فناوري هاي انحصاري Zensys' Z-Wave و Cornis' Wavenis مي باشند. Zensys' Z-Wave كاربرد اتوماسيون مسكوني را با حداكثر 273 گره هدف قرار داده است. اين تعداد گره براي خانه مناسب است اما براي تأسيسات بزرگتر مانند هتل ها و ساختمان هاي اداري كافي نيست. در حالي كه Wavenisدر كاربرد هاي اندازه گیری فاصله استفاده مي شود. اگرچه براي كاربردهاي ديگر نيز فروش دارد. </p><br />
<p><strong>پيشرفت هاي اخير </strong></p><br />
<p>حتي با وجود مرز هاي استاندارها، فرصت هاي زيادي براي تمايز بين فناوري ها وجود دارد. براي مثال Greenpeak ، گيرنده-فرستنده ها و ساختار اطلاعاتی منطبق بر IEEE 802.15.4 توليد مي كند كه داراي قابليتهاي اضافه ايي براي كاربرد هاي فوق العاده كم مصرف مي باشد. </p><br />
<p>اين تكنولوژي اين امكان را به سيستم بی سیم مي دهد كه با تغذيه يك باتري ساعت ،انرژي بدست آمده از سلول خورشيدي، جذب كننده انرژي ارتعشات و يا هر وسيله مبدل انرژي محيط بتواند كار كند. شركت Greenpeakفناوري LPR را ارائه كرده است كه در آينده نزديك راه خود را در استانداردها باز مي كند. در يك شبكه LPR ابزاراتي كه با باتري تغذيه مي شوند مي توانند پيامها را از ابزار كناري دريافت كنند و آنها را به زنجيره مخابراتي طولاني تري ارسال كنند.</p><br />
<p>استانداردهاي امروزي فقط قادرند اين قابليت را براي ابزاراتي كه با سيستم برق تغذيه مي شوند ارائه دهند. چرا که نياز است ابزار همواره روشن باشد كه درنتيجه اتلاف توان قابل توجهي را موجب مي شوند. LPR اتلاف توان دستگاه ها ي همواره روشن را حذف مي كند . بدين طريق كه با بكار بردن مكانيزم همزمان سازي زماني، اين امكان را به ابزار مي دهد كه روشن شود و شبكه را برقرار كند. </p><br />
<p><strong>درباره مولف مقاله</strong></p><br />
<p>Neik Van Dierdonek معاونت مديريت توليد و استراتژي را در شركت Greenpeak بر عهده دارد. او از پيشگامان مخابرات حسگر مي باشد. وي در سال 2003 شركت Ubiwave را تأسيس نمود و به عنوان CEO تا سال 2007 در آن فعاليت نمود . در اين سال شركت Xanadu Wireless اين شركت را خريداري كرد و نام آن به Greenpeak تغيير داده شد.</p>
<p></p>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ترانزیستور :  شصتمین سالگرد تولد و همچنان سر حال </title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/history/electronichistory/143/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/articles//3.143</id>

    <published>2007-12-30T13:43:41Z</published>
    <updated>2007-12-30T13:49:16Z</updated>

    <summary> شصت سال پیش از این، محققین موسسه ی Bell Labs مهمترین اختراع قرن بیستم را به جهانیان عرضه کردند؛ اولین ترانزیستور واقعی. اینکه بخواهیم زمان شروع عصر الکترونیک را مشخص کنیم کاری دشوار است، اما شاید بتوان گفت ویلیام استورژئون با توسعه ی آهنربای الکتریکی در سال 1825، زمینی را بذرافشانی کرد که منجر به تلگراف ابتدائی جوزف هانری در 1830 گشت؛ اولین سیستم الکتریکی که برای ارتباط بین فواصل طولانی (یک مایل) مورد استفاده قرار گرفت. تنها 14...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="Electronic-History" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="تاریخچهترانزیستور" label="تاریخچه ترانزیستور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ترانزیستور" label="ترانزیستور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[<p> شصت سال پیش از این، محققین موسسه ی Bell Labs مهمترین اختراع قرن بیستم را به جهانیان عرضه کردند؛ اولین ترانزیستور واقعی.</p>

<p>اینکه بخواهیم زمان شروع عصر الکترونیک را مشخص کنیم کاری دشوار است، اما شاید بتوان گفت ویلیام استورژئون با توسعه ی آهنربای الکتریکی در سال 1825، زمینی را  بذرافشانی کرد که منجر به تلگراف ابتدائی جوزف هانری در 1830 گشت؛ اولین سیستم الکتریکی که برای ارتباط بین فواصل طولانی (یک مایل) مورد استفاده قرار  گرفت. تنها 14 سال بعد، ساموئل مورس پیغامی را بوسیله ی تلگراف در طول یک خط ارتباطی 40 مایلی فرستاد که خود او این خط را بین واشنگتن و بالتیمور کشیده بود.</p>

<p>اگرچه اختراع تلفن در سال 1875 توسط الکساندر گراهام بل امروزه مورد ستایش جهانیان است، اما در ابتدا خیلی کم به عنوان یک دستگاه کاربردی مطرح شد تا اینکه توماس  ادیسون میکروفن کربنی را دو سال بعد از آن عرضه نمود. صدای گوینده مجموعه ای از دانه های کربنی را تلفیق کرده، موجب تغییر مقاومت مدار شده و بنابراین سیگنالی به  دریافت کننده فرستاده می شد.</p>

<p>تعدادی از مخترعین ایده ی ارسال بی سیم را در سر می پروراندند، که این امر با ثبت اختراع گوگلیئلمو مارکونی در سال 1896 و دیگر موارد بعدی تدوین گشت. همچون  تلفن و تلگراف، رادیوهای ابتدائی از هیچ CPU، ترانزیستور و یا حتی لامپ خلاء استفاده نمی کردند. مارکونی بر اساس کارهای دیگران بویژه نیکولا تسلا، از یک ولتاژ بالا و  قوس الکتریکی استفاده کرد تا بتواند امواج الکترومغناطیسی را درون یک سیم پیچ و یک آنتن القا نماید. این سیگنال ها، که با استانداردهای امروزی کاملا نویزدار بوده است، در  تمام طیف الکترومغناطیسی شروع به تابش کردند... اما کار کردند. در واقع، سیستم مشهور تایتانیک بوسیله ی یک قوس الکتریکی 5 KW که توسط شرکت تلگراف بی  سیم مارکونی ساخته شده بود، پخش می شد.</p>

<p>مدارات همگی الکتریکی بودند، نه الکترونیکی.</p>

<p>سیگنال های تلفن در طول فواصل به شدت تنزل پیدا می کردند درحالی که رادیو در حالت خام و ابتدائی باقی مانده بود و پهنای باند محدودی داشت.  جهان شدیدا نیاز به  دستگاهی داشت که بتواند جریان ناشی از الکترون تازه کشف شده را کنترل کند. تقریبا در همین زمان، آمبروس فلمینگ کشف کرد که جریان ناشناخته ی الکتریسیته در یک فضای  خلاء، که ادیسون بطور اتفاقی با آن برخورد کرده بود، می تواند یک جریان متناوب را یکسو کند که مزیت خوشحال کننده ی این امر آشکارسازی امواج رادیویی می باشد. او  اولین دیود لامپ خلاء ساده را اختراع کرد. اما موفقیت اقتصادی چندانی کسب نکرد چرا که قیمت بالائی داشت و نیز فیلامنت آن نیاز به جریان داشت.</p>

<p>در دهه اول قرن جدید، لی دی فورست یک رشته ی شبکه ای بین آند و کاتد وارد لامپ کرد. با این عنصر کنترلی جدید، یک مدار می تواند تقویت، نوسان و سوئیچ بکند. این ها  عملیات اساسی هر بیت از الکترونیک می باشند. توسط این لامپ ها، مهندسان آموختند که می توانند رادیوهای با حساسیت فوق العاده بسازند، صداها را در طول ده ها هزار مایل  کابل ارسال نمایند و بین صفر و یک ها در عرض چند میکروثانیه سوئیچ کنند. در طول چهار سال جنگ جهانی اول، وسترن الکتریک به تنهائی نیم میلیون لامپ برای ارتش امریکا  تولید کرد. حدود سال 1918 بیش از یک میلیون در سال در امریکا ساخته می شد که بیش از پنجاه برابر ارقام قبل از جنگ بود.</p>

<p>الکترونیک متولد شد.</p>

<p>الکترونیک اینگونه تعریف می شود که "علمی که مرتبط است با توسعه و کاربرد دستگاه ها و سیستم های وابسته به جریان الکترون ها در یک لامپ خلاء، در یک پوشش گازی، و در  نیمه هادی ها" و این بیان تقریبا همزبان با تولید لامپ خلاء بوجود آمد. اما این یک تعریف ضعیف و کوچک است. من فکر می کنم تفاوت مدارات الکتریکی و الکترونیکی در  این است که الکترونیک از عناصر اکتیو استفاده می کند، قطعاتی که یکسوسازی، سوئیچ یا تقویت می کنند. اولیه ترین دستگاه های اکتیو احتمالا کریستال های موداری بودند، تکه  ای از سیم فنری شکلی متصل به تکه ی بزرگ نپخته ای از سرب، که به عنوان یک دیود ابتدائی کار می کند. من چیز زیادی درباره ی منشا آن ها پیدا نکردم، اما به نظر می رسد  این کریستال ها برای اولین بار و به مدت کوتاهی قبل از اینکه فلمینگ تحقیق پیشگامانه ی خود را در مورد لامپ خلاء انجام دهد، ظاهر شده اند.  این موضوع تا حدودی کنایه  آمیز است که اولین عنصر اکتیو، که قبل از لامپ خلاء کشف شده بود، یک نیمه هادی بوده است، اما تقریبا نیم قرن دیگر لازم بود تا نیمه هادی ها "کشف" شوند.</p>

<p>در ابتدا رادیوها بودند که تنها از تعدادی لامپ استفاده کردند اما به زودی واحدهای با تکنولوژی بالا از تعداد بالاتری بهره بردند.</p>

<p>افزایش توانائی ها و قابلیت ها، همانطور که امروزه انجام می شود، منجر به بالاتر رفتن توقعات در جهت ویژگی ها، سرعت و کارائی بیشتر شد. اختراع رادار در جنگ جهانی  دوم مطالبات سنگین تری را برای الکترونیک اکتیو ایجاد کرد. برخی از دستگاه ها صدها لامپ خلاء استفاده می کردند. شاید اوج موفقیت تکنولوژی لامپ خلاء ENIAC  در سال 1946 بود، که حدود 18000 قطعه را به کار گرفت. این ماشین هر دو روز یکبار از کار می افتاد. به وضوح ظهور تکنولوژی دیجیتال لامپ های خلاء را  به مرزهای پایانی خود نزدیک ساخت. انواع جدیدی از عناصر فعال مورد نیاز بود، چیزی که اتلاف گرمای کمتری داشته، توان کمتری استفاده کند و قابل اطمینان باشد.</p>

<p>به طور معجزه آسایی، سال بعد والتر براتین و جان باردین ( که به همراه ویلیام شاکلی جایزه ی نوبل 1956 را به خاطر این کار و کارهای مرتبط دیگر بر روی نیمه هادی ها  برنده شدند) ترنازیستور را اختراع کردند. اگرچه بر روی این موضوع ادعاهایی وجود دارد اما این اولین نوع "کاربردی" چنین نیمه هادی بود. محققین Bell  Labs در واقع یک ترانزیستور تماس نقطه ای ساخته بودند، دستگاهی که ساخت آن بسیار دشوار بوده و دیگر مورد استفاده قرار نمی گیرد و هیچ گاه کاربرد آن گسترش  نیافت.<br />
<br /><br />
</p><div align="center"><img src="http://www.porticus.org/bell/images/transistor1.jpg" style="width: 350px; height: 375px;" /><br /></div><p>
"اولین ترانزیستوری اسمبل شده ای که در Bell Labs در سال 1947اختراع شد." عکس و عبارت از Porticus.org, www. porticus.org/bell/belllabs_transistor.html. (این لینک را دنبال کنید تا اسناد تاریخی و تصاویر بیشتری در مورد این  موسسه و ترانزیستور بدانید.)</p>

<p><br />
حدود سال 1950 (مراجع در این باره با هم اختلاف دارند) ، رایتئون اولین دستگاه تجاری قابل دسترس را با نام CK703 تولید کرد. قیمت هر کدام از آن ها  18 دلار بود (با در نظر گرفتن تورم به قیمت امروز 147 دلار می شود) که قابل رقابت با لامپ های خلاء نبودند که قیمت آن ها بطور نوعی حدود 0.75 دلار آن  زمان بود. اگرچه ترانزیستورهای تماس نقطه ای تا حد امیدوار کننده ای نزدیک به یک عنصر فعال ایده آل بودند اما چیزی بهتر از آن نیاز بود.</p>

<p>شاکلی به کار خود بر روی نیمه هادی ها ادامه داد و سرانجام در 1948 ترانزیستور پیوندی مدرن خود را ثبت اختراع نمود. سه سال بعد، Bell Labs  ترانزیستور M1752 (عکس ها در http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/ PhotoGallery_M1752.htm) را عرضه کرد اگرچه تنها در مقیاس آزمایشگاهی ساخته شد.</p>

<p>ترانزیستور مدرن متولد شد. اما نتوانست به سرعت انقلابی در صنعت الکترونیک که همچنان به لامپ های خلاء عشق می ورزید، ایجاد کند. این موضوع همچنان تا 1956  ادامه داشت تا ETL Mark 3 ساخت ژاپن، احتمالا اولین رایانه ی ترانزیستوری، پا به عرصه ی وجود گذاشت اما در آن تنها از 130 ترانزیستور تماس نقطه ای  استفاده شده بود و یک واحد عملی و قابل فروش به حساب نمی آمد. در همین سال IBM شروع به فروش ماشین های 608 خود کرد که از 3000 ترانزیستور ژرمانیم  استفاده شده بود. این اولین رایانه ی ترانزیستوری تجاری بود. 608 حدود 90 درصد توان کمتری نسبت به ماشین های لامپ خلاء قابل مقایسه با خود مصرف می کرد.  دارای کلاک 100 کیلو هرتز، 9 دستور و 11 میلی ثانیه زمان متوسط ضرب دو عدد9 رقمی BCD بود، 40 کلمه حافظه ی مرکزی و 2400 پوند وزن داشت.</p>

<p>درخواست بالای صنعت تلفن برای تقویت کننده ها، موجب توسعه ی لامپ های خلاء و گسیختگی تکنولوژی نیمه هادی گشت. در سال 1952 Bell  Telephone تجهیزات اولین دفتر مرکزی ترانزیستوری را در نیوجرسی امریکا و دوباره با استفاده از ترانزیستورهای تماس نقطه ای، نصب کرد.</p>

<p>مهندسین قدیمی، احتمالا ترانزیستور CK-722 رایتئون را به یاد دارند که یکی از اولین ترانزیستورهای پیوندی تجاری بود. این ترانزیستور در سال 1953 با قیمتی  حدود 7 دلار در دسترس بود که در آن زمان پول بسیار زیادی بود. اواخر 1955 همین قطعه 0.99 دلار قیمت داشت. البته هنوز قانون مور وجود نداشت اما سقوط  شدید قیمت های قطعات الکترونیکی آغاز گشته بود که تماما با استفاده از تکنولوژی جدید نیمه هادی ها میسر شده بود.</p>

<p>Regency Electronics اولین رادیوی ترانزیستوری تجاری را بطور واقعی در سال 1954 ساخت که به همین مناسبت TR-1 نامیده می شد.  (برای دیدن ویدئوهائی از این رادیوی چهار ترانزیستوری سری به اینجا بزنید http://people.msoe.edu/~reyer/regency/ index5.html .) شرکت TI به منظور بازاریابی برای ترانزیستورهای جدید خود، با برخی از سازندگان داخلی رادیو توافقاتی کرده بود اما همه آن جز  Regency لغو شد. یکی از نشریات معاصر با TI مطالبی در مورد TR-1 منتشر می کرد که قطعات پیوندی n-p-n را تریود ژرمانیمی می نامید.  تریود یک لامپ خلاء سه عنصری بود و البته هست.</p>

<p>اوایل دهه ی 60، مصرف کنندگان شیفته و شیدای رادیوهای بسیار کوچک شده بودند (نیمی از 10 میلیون واحدی که ترانزیستوری شده بودند در 1959 به فروش رفت).  بازاریابان که مشتاق بودند محصولات خود را منحصر به فرد بنمایانند، شروع به مانور دادن بر روی تعداد ترانزیستورهای رادیوی خود برای فروش هر چه بیشتر آن ها کردند.  اگرچه حداقل یک فروشنده موفق به ساخت رادیویی با تنها دو ترانزیستور گشت (شماتیک آن: http://www.transistor.org/FAQ/two -transistor.html) ، و به ندرت واقعا بیش از 8 ترانزیستور استفاده می شد، اما اغلب حدود 16 ترانزیستور بر روی برد لحیم می شد و البته بیشتر آن  ها بدون اتصال باقی می ماند. شاید چیزی شبیه به جنگ GB امروز ما باشد که همینطور حجم درایوها افزایش می یابد بی آنکه هیچ وقت پر شوند.</p>

<p>  <br />
امروزه، ترانزیستورهای مجزا بسیار بی مورد به نظر می رسند اگرچه هنوز هم بطور گسترده در بسیاری از کاربردها مورد استفاده قرار می گیرند. قیمت ها برای قطعات معین  از تقریبا هیچ تا ده ها دلار یا بیشتر متفاوت است.  یک IC با سایز برابر CK-722 شامل میلیون ها ترانزیستور می باشد که قیمت هر کدام از آن ها تنها چند  میکروسنت در می آید.</p>

<p>بطور کنایه آمیزی، برخی از مشکلاتی که لامپ های خلاء را آزار داد و آن ها را به مرگ خود نزدیک ساخت هم اکنون متوجه محصولات ترانزیستوری می باشد. در 1946،  تمام قابلیت های رایانه در جهان تنها چند صد کیلو وات توان مصرف می کرد. امروزه یک سرور به تنهائی تعداد زیادی توان مگاواتی مصرف می کند. بر اساس آمار داده شده  در http://blogs.business2.com/greenwombat/2007/02/photo_originall.html درسال  2005، سرورهای سراسر جهان نیازی برابر با 14 نیروگاه یک گیگاواتی داشتند. هم اکنون مرکز داده ی گوگل برج های خنک کننده ای به بلندی 4 طبقه دارد که بسیار  مشهور می باشند.</p>

<p>ترانزیستورها در انواع مختلفی به بازار می آیند، ترانزیستورهای اثر میدان (FET) مهمترین آن ها می باشند. این ترانزیستو ها در سال 1960 ( بر پایه ی کارهای  شاکلی) توسط جان آتالا اختراع شدند که در ابتدا بسیار بدیع و ابتکاری بودند. RCA یک سری از چیپ های منطقی را که در آن ها از FET ها استفاده شده بود  معرفی نمود، اما به علت سرعت کم آن ها تنها در موارد ویژه و کاربردهای با توان کم مورد استفاده قرار می گرفت. همه دانستند که این تکنولوژی هیچ گاه جایگزین  ترانزیستورهای پیوندی که بسیار مفیدتر بودند، نخواهد شد.</p>

<p>البته هم اکنون، FET ها پایه و اساس انقلاب دیجیتالی می باشند. مشکلات سرعت حل شد، و مهمترین مزیت آن ها که نیاز بسیار پائین آن ها به توان مصرفی می باشد، موجب  گشت تا میلیون ها عدد از آن ها تنها بر روی یک IC مجزا قرار داده شوند.</p>

<p>یک رادیوی سه لامپی چندان گرمایی تولید نمی کرد، اما یک گروه 18000 تایی درون یک رایانه و سیستم خنک سازی آن تبدیل به یک مشکل جدی شد. همین مورد در مورد تمام  انواع ترانزیستورها نیز صادق است: یک IC با صدها میلیون FET توان پائین در اثر گرما خود بخود نابود خوهد شد. بنابراین باز هم بصورت طعنه آمیزی باید گفت  که تولیدکنندگان در این موارد دست به دامان تکنولوژی های مختلفی همچون چند هسته ای شده اند تا نسبت MIP بر میلی وات بهتری بدست آورند.</p>

<p>همان زمان که مورس در حال تکمیل تلگراف خود، به عنوان اولین سیستم الکتریکی واقعی بود، رادلف کلاسیوس ایده ی اساسی قانون دوم ترمودینامک را مدون می کرد، که همراه  همیشگی تمام تاریخ الکترونیک می باشد. چندهسته ای بودن شاید راه حلی برای نسبت MIP/mW باشد و شاید هم نباشد، اما تعداد بسیار زیادی CPU توان پائین را بر  روی یک هسته مجزا قرار داده و قانون کلاسیوس هم هنوز آن را پوشش می دهد. تصور می کنم بسیار پیش از رسیدن صدمین تولد ترانزیستور، تکنولوژی های با آنتروپی پائین  اختراع خواهند شد. و این تکنولوژی ها نیز گرفتار مشکلات در ظاهر تسلیم نشدنی گرمائی خواهند شد.</p>

<p>در مورد نویسنده ی مقاله:<br />
Jack Ganssle, (jack@ganssle.com) مدرس و مشاور در زمینه ی توسعه سیستم های جاسازی شده (embedded  systems) می باشد.</p>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>استفاده از MATHCAD در آموزش مهندسي برق-قدرت</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/articles/power/20/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/articles//3.20</id>

    <published>2007-09-13T19:32:51Z</published>
    <updated>2007-09-13T20:11:55Z</updated>

    <summary> چكيده مقاله - دانشجويان معمولا از ماشين حساب هاي كوچك و برنامه هاي كامپيوتري چون MATLAB يا MATHCAD براي انجام محاسبات پايه مهندسي برق استفاده مي كنند. نويسنده بر اساس تدريس چندين واحد درسي مهندسي برق متذكر مي شود كه دانشجويان هنگام استفاده از كامپيوتر براي حل مسائل، مفهوم مساله را فراموش مي كنند و تنها روي تايپ كردن متغيرها و اعداد تمركز مي كنند. بعضي از برنامه ها بطور خاص زمينه ساز اين اين خطا مي شوند. نرم...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="power" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
        <category term="simulator" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
        <category term="software" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="mathcad" label="MATHCAD" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مدارهايمغناطيسي" label="مدارهاي مغناطيسي" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نرمافزارشبيهسازي" label="نرم افزار شبيه سازي" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آموزشمهندسيبرق" label="آموزش مهندسي برق" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ابزارهاينرمافزاريmatlab" label="ابزارهاي نرم افزاريMATLAB" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/articles/">
        <![CDATA[

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">چكيده مقاله - دانشجويان
معمولا از ماشين حساب هاي كوچك و برنامه هاي كامپيوتري چون </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATLAB</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span>
يا </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATHCAD</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> براي انجام محاسبات پايه مهندسي برق استفاده مي كنند. نويسنده بر
اساس تدريس چندين واحد درسي مهندسي برق متذكر مي شود كه دانشجويان هنگام استفاده
از كامپيوتر براي حل مسائل، مفهوم مساله را فراموش مي كنند و تنها روي تايپ كردن
متغيرها و اعداد تمركز مي كنند. بعضي از برنامه ها بطور خاص زمينه ساز اين اين خطا
مي شوند. نرم افزار </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATLAB</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> براي مثال از واحدهاي اندازه گيري استفاده
نمي كند و مديريت واحدها را به كاربر واگذار مي كند. در نتيجه توجه كاربر از مساله
به واحدها منتقل مي شود. از طرف ديگر </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATHCAD</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> (كه البته
به اندازه </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATLAB</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> قدرتمند و سريع نيست) پتانسيل عالي براي كمك
به دانشجويان در يادگيري واحدهاي مقدماتي دارد. </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATHCAD</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span>
دو ويژگي مهم دارد. نمايش معادلات در صفحه تا جاي ممكن هماهنگ با فرم سنتي معادلات
است و كمك مي كند تا دانشجو با مفهوم آشنا شود. با وجود اينكه نوشتن معادلات اندكي
سخت است اما اين معادلات كه به فرم طبيعي نوشته شده اند كمك مي كنند تا از خطاها
جلوگيري شود. استفاده خودكار از واحدها ويژگي دوم </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">MATHCAD</span><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span>
است كه بسيار مفيد مي باشد چرا كه دانشجويان مي توانند بر مفهوم آنچه ياد مي گيرند
تمركز كنند و مطمئن باشند كه تبديل واحدها به خوبي انجام مي شود. روش نمايش منحني
هاي مغناطيس سازي و محاسبات مربوط به آنها هم عرضه شده است. اين روش در شبيه سازي
كامپيوتري محاسبات گرافيكي كه به طرز سنتي در طراحي ماشين هاي الكتريكي استفاده مي
شود مد نظر قرار مي گيرد. تجارب كلاسي نشان مي دهد كه حتي مثال هاي ساده اين مقاله
مي تواند براي دانشجويان سخت باشد.</span></p><p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;">دانلود فايل : <a href="http://electronews.ir/articles/article/Using%20MATHCAD%20in%20Teaching%20Power%20Engineering.pdf">استفاده از MATHCAD در آموزش مهندسي برق-قدرت</a><br /><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p></o:p></span></p>

 ]]>
        
    </content>
</entry>



<entry>
    <title>مصاحبه ای با جاناتان دال، مدیر فروش و بازاریابی IEEE</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/interviews/technology/208/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/interviews//4.208</id>

    <published>2008-02-05T10:50:01Z</published>
    <updated>2008-02-05T13:55:30Z</updated>

    <summary>جاناتان دال مدیر پرسنل و نیز مدیر فروش و بازاریابی IEEE می باشد. اين مصاحبه توسط مجله ی Against the Grain صورت گرفته است. ATG : پيش از هر چيزی، &quot;مدير پرسنلی&quot; چيست؟ دال: فکر کنم، همان نائب رئيس باشد. وقتی 18 سال پيش به IEEE آمدم عنوان شغل من همین بود، و هنوز هم همین است. کار من در این 18 سال چندان پیشرفتی نداشته است. ATG : چرا یک انجمن علمی نیازمند بخش فروش و بازاریابی است؟ دال:...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="Technology" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ieee" label="IEEE" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="کتابداری" label="کتابداری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اقتصاد" label="اقتصاد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="جاناتاندال" label="جاناتان دال" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/interviews/">
        <![CDATA[<img src="http://i26.tinypic.com/ketgcz.jpg" style="float:left; padding:3px">جاناتان دال مدیر پرسنل و نیز مدیر فروش و بازاریابی IEEE می باشد. اين مصاحبه توسط مجله ی <a href="http://www.against-the-grain.com" target="_new">Against the Grain</a> صورت گرفته است.

<strong>ATG : پيش از هر چيزی، "مدير پرسنلی" چيست؟</strong>

<strong>دال</strong>: فکر کنم، همان نائب رئيس باشد. وقتی 18 سال پيش به IEEE آمدم عنوان شغل من همین بود، و هنوز هم همین است. کار من در این 18 سال چندان پیشرفتی نداشته است.

<strong>ATG : چرا یک انجمن علمی نیازمند بخش فروش و بازاریابی است؟</strong>

<strong>دال</strong>: IEEE دقیقا یک "تجارت" نیست اما ما نیاز داریم تا خود را به شکلی اقتصادی اداره کنیم. درآمد سال قبل ما حدود 350 میلیون دلار بود، که در مقابل ناشران اقتصادی اصلی STM بسیار ناچیز، اما در دنیای علمی بسیار بزرگ است. حدود نیمی از درآمد ما از تجارت انتشاراتی ما بدست می آید، که اصلی ترین فعالیتی است که حوزه ی بنده مسئول آن می باشد، اما ما تجارت کنفرانس گسترده ای نیز داریم (ما سالانه بیش از 600 کنفرانس در جهان برگزار می کنیم) و البته ما یک سازمان عضویتی نیز هستیم.

<strong>ATG : چیز دیگری هم هست؟</strong>

<strong>دال</strong>: بله، ما همچنین استانداردهای فنی را توسعه می دهیم، فعالیتی که در جهان انتشارات STM ناشناخته است، اما در صورتی که شما یک شرکت تکنولوژیکی باشید نقش مهمی را بازی می کند. استانداردهایی مانند Wi-fi و WiMax - و صدها مورد دیگر- بر اساس استانداردهای IEEE می باشند.

<strong>ATG : انجمن IEEE در سال 1884 با عنوان موسسه ی مهندسی برق امریکا تاسیس شد، بله؟</strong>

<strong>دال</strong>: بله، این به معنای این است که 125 امین سالروز تولد ما سال 2009 فرا می رسد. ما در حال برنامه ریزی های اساسی هستیم که امیدوارم ATG و خوانندگانش بتوانند در آن ها شرکت کنند.
اما همانطور که گفتید، این موسسه در سال 1884 شکل گرفت - درست همزمان با نمایشگاهی در فیلادلفیا در مورد یک تکنولوژی جدید به نام الکتریسیته. همزمان با آمدن دانشمندان و مخترعین برجسته ی اروپائی به امریکا، که هنوز یک کشور نوپا بود، با الهام از ایده ی اولیه ای که متعلق به Old World Europe بود، چهار نفر ( که دو نفر از آن ها توماس ادیسون و الکساندر گراهام بل بودند) موسسه ای تشکیل دادند تا این دانشمندان را جذب کنند. اگرچه این اولین باری بود که یک نمایشگاه تکنولوژی بین المللی در امریکا برگزار می شد، کنگره تنها 7500 دلار برای برگزاری آن اختصاص داده بود. حتی در آن زمان، این مقدار پول زیادی نبود. بنابراین آن ها باید کار بیشتری انجام می دادند، و AIEE نتیجه ی آن بود.

<strong>ATG : و در سال 1912 موسسه مهندسین رادیو شکل گرفت، سرانجام با AIEE ادغام گشت؟</strong>

<strong>دال</strong>: این هم داستان جالبی دارد. یک ماه پیش از شکل گیری IRE، شب 12 ام آوریل 1912 یکی از بدترین حوادث دریایی اتفاق افتاد. همانظور که همگی می دانیم، در اولین سفر دریایی خود، کشتی اقیانوس پیمای بزرگ "تایتانیک" به همراه 2200 نفر سکنه به یک توده ی یخ برخورد کرد و به سرعت شروع به غرق شدن کرد. چیزی که اغلب ما نمی دانیم این است: اپراتور بی سیم کشتی شروع به ارسال سیگنال هایی نامنظم کرد، که - اگرچه این تکنولوژی هنوز بطور گسترده استفاده نمی شد و نیز با اینکه شب دیر وقت بود - تعدادی از کشتی های دیگر توانسته بودند آن ها را درافت کنند. آن ها پیغام را به قاره امریکا فرستاده بودند، و کشتی های نجات روانه شده بودند. این واقعیت که آن شب بیش از 700 نفر نجات یافتند، کاملا مرهون تکنولوژی رادیو بود. در طول روزهای آینده تمام جهان مجذوب این تراژدی و عملیات نجات آن شب شدند. در عرض چند ماه حکومت های جهان شروع به انتصاب اپراتور رادیو بر روی تمام کشتی ها نمودند - و رادیو و اپراتورهایش جزء اجتناب ناپذیر اقتصاد جهان شدند. بنابراین این دو سازمان به یکدیگر ملحق گشتند تا چیزی را که ما امروز با نام IEEE می شناسیم در سال 1963 تشکیل دهند. یک آغاز بسیار دراماتیک!

<strong>ATG : رقابت شما با مثلا ACM چگونه است؟ آیا انجمن های رقیب دیگری وجود دارند؟ آیا انجمن ها رقابت می کنند؟</strong>

<strong>دال</strong>: بله و نه، اما اغلب نه، انجمن ها رقابت نمی کنند. ما دیگر انجمن های علمی را به عنوان خواهران و برادران خود می بینیم که با هدف مشترکی کار می کنیم. IEEE قانونا یک سازمان 501(c)(3) می باشد، که قهرا به معنای این است که ما برای منافع بشری فعالیت می کنیم. ما برای پول درآوردن زندگی نمی کنیم، حتی برای منافع اعضای خود اینجا نیستیم، یا برای امریکائی ها، بلکه برای خود بشریت. اغلب انجمن ها به همین دلایل فعالیت می کنند. بنابراین ما اغلب احساس خویشاوندی با دیگر انجمن ها داریم، نه حس رقابت، البته گه گاه برای چاپ یک ژورنال رقابت می کنیم، یا مثلا یک کنفرانس. اما بیشتر اوقات بصورت مشارکتی یک ژورنال را چاپ کرده یا کنفرانسی را پشتیبانی می نمائیم، بنابراین انجمن های علمی اغلب همکار هستند تا هماورد.

<strong>ATG : خوب در مورد ACM چطور؟</strong>

<strong>دال</strong>: ACM یک انجمن برجسته است. ما دو ژورنال مهم را با همکاری هم چاپ می کنیم، و کنفرانس های بسیاری را با هم پشتیبانی می نمائیم، اما در عین حال برای مقالات، کنفرانس ها و اعضاء نیز رقابت می کنیم. تقریبا حدود 20 درصد همپوشانی بین عضویت های ACM و IEEE Computer Society وجود دارد. فکر می کنم راه ساده ی توضیح رقابت ما این باشد که، IEEE در انتشارات خود بیش تر متمایل به جنبه ی سخت افزاری علم کامپیوتر می باشد؛ ACM بیش تر رو به جنبه ی نرم افزاری آن دارد. اما این مطلب همیشه هم درست نیست. آیا توانستم موضوع را برایتان روشن کنم؟

<strong>ATG : نه، اما ادامه بدیم. چرا ما، مشتری های شما، باید علاقمند باشیم که آیا یک انجمن یا یک ناشر تجاری ژورنالی چاپ می کند؟</strong>

<strong>دال</strong>: آه، موضوع مورد علاقه ی من. اگر شما نگاهی به تمام نمایه های کیفیت استانداردها بیندازید، مانند Journal Citation Report، مجلات چاپ شده توسط انجمن ها معمولا بطور قابل توجهی بالاتر از مجلات چاپ شده توسط ناشران تجاری قرار می گیرند، حداقل در زمینه ی ما. چیز دیگری که فهمیدیم این است که برخی از شاخص های با استاندارد پائین تر، مانند تولید اختراعات مهم جدید، شدیدا تحت تاثیر مجلات انجمن می باشند.

اجازه دهید مثالی برای شما بزنم، و بسیار به این مطلب افتخار می کنم: در سال 2006، بیش از 250 هزار اختراع ثبت شده در امریکا به ازای 25 شرکت برتر داشتیم - شرکت هایی همچون IBM، Hitachi، Samsung، HP، Sony، Intel و ... البته این اختراعات تنها در زمینه ی تکنولوژی نمی باشد بلکه شامل تمامی اختراعات آن ها می باشد - اختارعات شیمیایی، اختاعات نانو، و تمامی اختراعات. از این 250 هزار اختراع، 38 درصد بر اساس یک مقاله ی ژورنال IEEE بوده است. این یک نتیجه ی شگفت انگیز است! در جایگاه دوم، Elsevier Science با 9 درصد از اختراعات، قرار دارد. تمامی اختراعات ثبت شده توسط این 25 شرکت برتر، به نوعی بر اساس مقالات چاپ شده توسط انجمن های علمی می باشد - موسسه ی فیزیک امریکا، انجمن شیمی امریکا، انجمن واکیوم امریکا، و غیره ... .

بنابراین شما می توانید مطمئن باشید که مطالب تئوری چاپ شده توسط انجمن های علمی، در واقع اکتشافات R&D را به جلو رانده و سرانجام خود اقتصاد را به پیش می برند. علاوه بر این، اگر نگاهی به ناشران بزرگ تجاری STM بیندازید، بسیاری از مجلاتی که آن ها چاپ می کنند از طرف انجمن های علمی است که بسیار کوچک تر از آن هستند که خود مطالبشان را چاپ نمایند.

بنابراین به این علت شما باید توجه کنید که از یک مجله ی علمی اشتراک می گیرید یا از یک مجله ی اقتصادی. کتابخانه های دانشگاه ها می توانند و باید جزء مشتریان متمایز و ویژه ی باشند. و بنده حتی در مورد قیمت صحبت نخواهم کرد.

<strong>ATG : خوب موضوعات داغ در تکنولوژی چه چیزهایی هستند؟</strong>

<strong>دال</strong>: یک راه خوب برای پیدا کردن آن ها این است که سالانه سری به نشریه ی مارس/آوریل مجله ی "Technology Review" دانشگاه MIT بزنید. این نشریه در مورد ده تکنولوژی نوظهور صحبت می کند - پزشکی، نانوتکنولوژی، نرم افزار، انرژی، بیوتکنولوژی، ارتباطات راه دور، و از این دست موارد. چیزهای جالب و جدیدی که این ده دانشمند و مهندس بر روی آن ها کار می کنند.

خوب حالا، چیزی که من به عنوان یک بازاریاب دوست دارم انجام دهم، تحقیق در مورد این است که چه تعداد از این ده نفر مقالاتی در IEEE چاپ کرده اند یا در کنفرانس های IEEE سخنرانی کرده اند. همیشه، این مطلب در مورد اغلب آن ها صدق می کند - من این کار را برای 5 سال یا بیشتر است که انجام می دهم - و گاهی اوقات شامل تمامی آن ها می شود. سپس درباره این موضوع در جلسات صبحانه مشتری در کتابخانه و در شوهای تجاری که شرکت می کنیم، صحبت می کنیم. این راهی برای نمایش دراماتیک این موضوع است که تحقیقات IEEE ، تنها در مورد اختراعات، جهان را تغییر می دهد.

بنابراین اگر کمی به عقب بازگردیم، وقتی IEEE کا خود را آغاز کرد اختصاص به مهندسی برق داشت. سپس با مهندسی رادیو یکی شد. و هم اکنون در قرن 21 ام ما فراتر از این امور رفته و تمامی حوزه های تکنولوژی را تحت تاثیر قرار می دهیم، حتی پزشکی. در واقع، چند سال پیش، در سال 2003، یکی از اعضای IEEE به نام پال لاتربور، جایزه ی نوبل پزشکی را به خاطر اختراع ماشین MRI کسب کرد.

<strong>ATG : کتابدارها باید چه چیزهایی را در مورد IEEE بدانند؟</strong>

<strong>دال</strong>: ما آن ها را استخدام می کنیم! ما گروهی چهار نفره از مدیران خدمات ارباب رجوع داریم که به معنای واقعی کلمه در سراسر جهان مسافرت می کنند - تقریبا 60 درصد از تجارت ما بیرون از امریکای شمالی قرار دارد. - تا به کاربران در مورد محصولات IEEE آموزش دهند، به آن ها در مورد آخرین پیشرفت ها سخن بگویند، و بطور کلی سفیران خوبی برای IEEE باشند. در حال حاضر، آن ها درون بزرگ ترین شرکت های تکنولوژی، و بهترین دانشگاه ها، در امریکا، آلمان، ایتالیا، چین، ژاپن، هند، کره کار می کنند - شما کشور یا شرکت ، یا دانشگاه مورد نظر را نام می برید، و آن ها در آن جا هستند.

در واقع، من با داستان فوق العاده ای در مورد یکی از کتابدارانمان نتیجه گیری می نمایم. نام او راشل برینگتون است وچند سال قبل برای انجام یک دوره ی آموزشی در Jet Propulsion Lab در Caltech حضور داشت. این دوره ی آموزشی در طول هفته های پایانی قبل از ارسال مریخ نورد اتفاق افتاد. آن ها دیسک طلایی ایجاد کرده بودند که همگی می خواستند آن را امضا کرده و در مریخ نورد قرار دهند. از آن جا که راشل آن جا بود و ان ها او را دوست داشتند و از دوره ی آموزشی لذت برده بودند، از او خواستند که در صورت تمایل او نیز دیسک را امضا کند. او نیز پاسخ مثبت داده و آن کار را انجام داد. بنابراین امضای راشل روی این مریخ نورد و بر روی مریخ قرار دارد. این فوق العاده است! چیز بیشتری نمی توان گفت.

<strong>ATG : در پایان، در مورد خودتان به ما بگوئید. خانواده؟ سرگرمی؟</strong>

<strong>دال</strong>: من یک مهندس نیستم اگرچه همه این را از من می پرسند. مدرک من در رشته ی ادبیات و فلسفه بود، بنابراین می توانید مشاهده کنید که من به خوبی از آن استفاده می کنم. بنده سابقه ی انتشاراتی دارم، برای شرکت هایی مثل McGraw-Hill، Prentice-Hall، Pergamon و دیگران کار کرده ام. من مرد پیری هستم اما دو بچه ی جوان دارم، 11 و 14 ساله، بنابراین سعی می کنم همین طور وقتم را بگذرانم تا ببینم آن ها چگونه از آب در می آیند. من همسری دارم که برایم غنیمتی است (امدیوارم او این مطلب را بخواند!) و موسیقی را بسیار دوست دارم. تاکنون 2 هزار و 467 آهنگ بر روی iPod ام دارم که شامل سمفونی ها می باشد، و در حال حاضر در تلاش هستم تا ببینم با چه ترتیبی باید آن ها را گوش دهم.]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>مصاحبه ای با جاستین رتنر: خداحافظ الکترونیک، سلام اسپینترونیک!</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/interviews/electronic/96/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/interviews//4.96</id>

    <published>2007-11-20T23:04:48Z</published>
    <updated>2007-11-21T00:05:09Z</updated>

    <summary>گوردن مور(Gordon Moore)، در مقاله ی مشهور خود در آوریل 1965، در ژورنال Electronics، نوشت: &quot;مدارهای مجتمع منجر به شگفتی هائی بزرگ همچون رایانه های خانگی - یا حداقل ترمینال های متصل به یک رایانه ی مرکزی - کنترل های خودکار برای اتومبیل ها، و تجهیزات ارتباطی قابل حمل شخصی خواهند شد.&quot; او با بررسی آینده ی صنعت چنین پیش بینی کرد که، &quot;قیمت های کاهش یافته ی یکی از جذابیت های الکترونیک مجتمع می باشد و این روند همچنان...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="Electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="فوتونیک" label="فوتونیک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="فوتونیکسیلیکونی" label="فوتونیک سیلیکونی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="قانونمور" label="قانون مور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="محاسباتکوانتومی" label="محاسبات کوانتومی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="محاسباتسیلیکونی" label="محاسبات سیلیکونی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="هوشمصنوعی" label="هوش مصنوعی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اینتل" label="اینتل" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اسپینترونیک" label="اسپینترونیک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="جاستینرتنر" label="جاستین رتنر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="روباتیک" label="روباتیک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/interviews/">
        <![CDATA[<img src="http://vnuuk.typepad.com/photos/uncategorized/img_2992.jpg" style="float:left; padding:4px">گوردن مور(Gordon Moore)، در مقاله ی مشهور خود در آوریل 1965، در ژورنال Electronics، نوشت: "مدارهای مجتمع منجر به شگفتی هائی بزرگ همچون رایانه های خانگی - یا حداقل ترمینال های متصل به یک رایانه ی مرکزی - کنترل های خودکار برای اتومبیل ها، و تجهیزات ارتباطی قابل حمل شخصی خواهند شد."

او با بررسی آینده ی صنعت چنین پیش بینی کرد که، "قیمت های کاهش یافته ی یکی از جذابیت های الکترونیک مجتمع می باشد و این روند همچنان ادامه پیدا خواهد کرد تا آنجا که تکنولوژی به سوی تولید توابع مداری بزرگ تر و بزرگ تر بر روی تنها یک لایه ی نیمه هادی حرکت خواهد کرد. برای مدارات ساده، قیمت هر قطعه تقریبا نسبت عکس با تعداد قطعات خواهد داشت." این بیان به قانون مور شهرت یافت. با گذشت 42 سال از آن تاریخ، این قانون همچنان معتبر است. اما آیا 10 سال بعد از این نیز همین طور خواهد بود؟ جاستین رتنر (Justin Rattner)، مدیر تکنولوژی اینتل، در این مصاحبه به این سوال پاسخ خواهد داد.

<strong>سوال: قانون مور هم اکنون 42 ساله می باشد و همچنان معتبر است. اما آیا در حال نزدیک شدن به مزهای پایانی خود نمی باشد؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> زمانی که کسی می گوید که قانون مور به مرزهای خود نزدیک می شود، من نگاهی به گذشته ی تاریخ صنعت می اندازم. بنده بیش از 30 سال در حال فعالیت در این صنعت بوده ام. برای مدت زیادی با قانون مور زندگی کرده ام. شما می دانید که ما هیچ گاه نمی توانیم بگوئیم چه اتفاقی تا 10 سال بعد در تکنولوژی خواهد افتاد. و علت اینکه نمی توانیم از بیشتر از 10 سال جلو برویم این است که مطمئن هستیم درست پس از پایان آن مدت زمانی، 10 سال دیگر را در پیش روی خواهیم داشت. اگر شما به فناوری 45 نانومتری ما نظری بیندازید، خواهید دید... تعداد مشکلاتی را که ما در مورد قانون مور به عنوان یک قانون هدایتگر با آنها سروکار داشتیم خواهید دید.

چهار یا پنج سال پیش مردم می گفتند که قانون مور را به سبب مشکل نشتی به نقطه ی پایان خواهند رساند. گذر به دی الکتریک با گیت High-K و ترانزیستورهای با گیت فلزی از ترانزیستورهای با گیت سیلیکونی منجر به کاهش چشمگیری در نشتی گشت. این تنها یک مثال برای این است که نشان دهد چگونه ابتکاران فنی، چیزی را که تصور می شد یک محدودیت اساسی است، تحت تاثیر قرار داد. و ابتکارات بسیاری از این دست وجود دارند که من می توانم بیان کنم، هرچند هنوز آنها را به مرحله تولید نرسانده ایم.

بنابراین، آنچه می خواهم بگویم این است که در 10 سال بعد، ترانزیستورهائی که ما می خواهیم بسازیم شاید کوچکترین شباهتی به ترانزیستورهای امروزی نداشته باشند. این البته به معنای پایان قانون مور نیست.

<strong>سوال: اعلام چیپ 80 هسته ای نسل آینده، مثالی از آن تغییرات در طراحی ترانزیستورها می باشد؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> دقیقا! شش یا هفت سال قبل، اینتل شروع به صحبت در مورد اینکه ما چگونه و با چه روش هائی با محدودیت های توان مقابله می کردیم، کرد؛ که این روش ها افزایش کارائی را بسیار سخت می کرد چرا که میزان توان و انرژی که توسط این پروسسورها به صورت گرما تلف می شود، بیش از آن چیزی است که ما بتوانیم به روشی قابل قبول از نظر هزینه آنها را خنک کنیم. بنابرای در سال 2001 در مورد این دیوار انرژی صحبت کردیم، و تصمیم گرفتیم تا روش جدیدی را در طراحی پروسور دنبال کنیم، که شامل استفاده از پروسسورهای با بازده انرژی بالاتر و سپس ... یک پروسسور چند هسته ای می شد. در نتیجه ما هم اکنون پروسسورهای دو هسته ای و چهار هسته ای را داریم. و همچنین نوع هشت هسته ای و بیشتر از آن را خواهیم داشت.

<strong>سوال: و 16 و 32  تایی و غیره ؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> در واقع، بنده تصور می کنم آنچه ما در آینده خواهیم دید سیر تکاملی در تعداد مختلف افزایشی در پروسسورها در خطوط مختلف تولید باشد. فکر می کنم رایانه های قابل حمل و رومیزی بطور نسبی تعداد هسته ی پائینی داشته باشند و به سمت 8، 12، و شاید 16 هسته ای حرکت کنند. اما در مورد دسته ی بالاتر فکر کنم افزایش چشمگیری را شاهد باشیم، و این در واقع محرک و انگیزه ی اصلی برای طراحی پروسسور 80 هسته ای می باشد که دارای قابلیت محاسباتی بسیار بالائی است.

<strong>سوال: آیا فکر می کنید آینده ای برای انجام محاسبات بدون سیلیکون وجود دارد؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> خوب، این یک سوال بسیار هیجان انگیز است. می دانید که در حال حاضر تصور اینکه سیلیکون به عنوان یک قطعه ی اساسی از ادامه ی راه خود باز خواهد ماند، بسیار سخت است. سیلیکون همانند یک ماده ی متنوع و پرکاربرد است که ما همچنان به دنیال کشف راه های جدیدی برای مهار کردن قابلیت های آن هستیم. برای مثال ما در حال ساخت دستگاه های نوری متنوعی از سیلیکون هستیم. در واقع، ما همین ماه پیش خیر از یک مادولاتور نوری سیلیکونی با سرعت 40 گیگابیت بر ثانیه دادیم. بنابراین هم اکنون ما یک سیگنال نوری را گرفته و آن را مادوله می کنیم، و داده ها را با سرعت 40 گیگابیت بر ثانیه در آن قرار می دهیم که تقریبا بالاترین سرعتی است که در بین تکنولوژی های مختلف وجود دارد. سیلیکون یک ماده ی بسیار قدرتمند است و فکر می کنم که به عنوان یک عنصر اساسی در نیمه هادی ها باقی خواهند ماند. و همچنان که به سوی طراحی های جدید ترانزیستور یا همان چیزی که ما می گوئیم معماری ترانزیستور، گام برمی داریم ممکن است موادی را معرفی کنیم که غیر سیلیکونی می باشند.

بنابراین، بنده در مورد ترانزیستورهای سطحی صحبت می کنم. ممکن است ما مواد دیگری را روی سطح ته نشین بکنیم و ترانزیستورهایی از مواد دیگر بسازیم یا ممکن است ابزارهائی بسازیم که که متکی به ویژگی های کوانتومی متفاوتی نسبت به بار الکترونیکی باشند. هر آنچه ما امروزه انجام می دهیم همچنان مدیون بار الکترونیکی می باشد، اما در واقع ما در حال جستجوی چیزهائی بر اساس برخی تاثیرات کوانتومی می باشیم. عموم مردم آن را اسپینترونیک می نامند (به خاطر "الکترونیک مبتنی بر اسپین"، اسپینترونیک مبتنی بر اسپین یک الکترون برای انتقال اطلاعات دیجیتال - 0 ها و 1 ها- می باشد). ممکن است که اسپینترونیک یک طراحی برای نسل آینده ارائه دهد اگر ما بتوانیم به این موضوع دست یابیم که چگونه می توان اثر اسپین را در مدارات  کاربردی و دستگاه ها کنترل کرد.

<strong>سوال: آیا شما اسپینترونیک را  به عنوان یک معادل برای محاسبات کوانتومی به کار می برید؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> نه، نه، آنها دو چیز متفاوت می باشند. خوشحالم که این سوال را پرسیدید. محاسبات کوانتومی در واقع نوع متفاوتی از محاسبات می باشد که امروزه ما می دانیم بر اساس رفتار آماری یافت شده در فیزیک کوانتوم است. این نوع محاسبات برای برخی چیزها مفید و کاربردی خواهد بود اما برای خیلی از چیزهائی که ما امروزه انجام می دهیم چندان مفید نخواهد بود.

<strong>سوال: من فکر می کنم برای محاسبات سنگین مفید می باشد نه برای محاسبات لپ تاپ ها و رایانه های رومیزی امروزی، درسته؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> بله، درست است. آن روش پتانسیل بالائی برای برای مطالبت عظیم و سنگین موازی ارائه می دهد که بسیار پر بازده است. اما تنها برخی مسائل می توانند توسط این نوع از محاسبات که رایانه های کوانتومی انجام خواهند داد، حل شوند. آنچه من در مورد آن سخن می گویم، به بیان ساده استفاده از یکی از ویژگی های کوانتومی می باشد، مثل 1 بودن بار و 0 بودن رنگ. اسپین خصوصا جالب خواهد بود اگر ما بتوانیم این اثرات اسپینی را در دستگاه های جدید با انواع متفاوت کنترل کنیم، و اینتل در حال تحقیق بر روی آن می باشد. اگر به قانون مور برگردیم، ممکن است ما به نقطه ی پایانی برای الکترونیک مبتنی بر بار الکتریکی تا 10 یا 15 یا 20 سال آینده برسیم، هر چقدر هم که طول بکشد بالاخره اتفاق خواهد افتاد. اما ما الکترونیک مبتنی بر بار را با یک سیستم مبتنی بر اسپین جایگزین می نمائیم. اگر شما بگوئید که این پایان قانون مور خواهد بود، بنده نمی دانم. اما تا زمانی که ما بتوانیم در مسیر بهبود کارائی و بازده انرژی و چگالی قدم برداریم شاید بتوانیم آن مرحله ی گذر را ایجاد کنیم.

<strong>سوال: حالا تمایل دارم به موضوع انتقال 40 گیگابیتی برگردم، که با نام فوتونیک سیلیکونی شناخته می شود. ممکن است توضیح دهید فوتونیک سیلیکونی چیست؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> حتما، افزایش سرعت انتقال داده از طریق سیم مسی دیجیتالی همینطور سخت و سخت تر می گردد. همانطور که می دانید، روی یک بورد مداری سیم وجود دارد؛ آنها ممکن است در فاصله های زیادی از هم درون یک مرکز داده یا حتی فراتر از آن قرار داشته باشند. همانطور که هر کسی به خوبی آگاه است، مس ضرورتا از سیستم ارتباطات خارج شده است. هم اکنون فیبرهای نوری هستند که کره زمین را به یکدیگر مرتبط کرده اند. در واقع، جایی که من زندگی می کنیم شرکت تلفن فیبرهای نوری را به درب منزل من آورده است. بنابراین ارتباطات راه دور از طریق آن میسر می شود. و همینطور نزدیک و نزدیک تر می شود، اما هزینه آن نیز نسبتا بالا است.

بنابراین دوباره، 4 تا 5 سال پیش ما شروع به بررسی امکان ساخت این ابزارهای اپتیکی پر بازده بر روی سیلیکون کردیم.  و فوتودیتکتور (آشکارساز نور) های سیلیکون-ژرمانیم با کارائی بالا را ساختیم. ما مادولاتورها را با سرعت اولیه ی 10 گیگابیت بر ثانیه ساختیم و هم اکنون به سرعت 40 دست یافته ایم؛ ما همچنین مالتی پلکسرها دمالتی پلکسرها را ساختیم و سال پیش تکنولوژی به نام لیزر سیلیکونی هیبریدی را ایجاد کردیم - ما به واقع یک لیزر نوری الکتریکی را ساختیم. ما اکنون در نقطه ای قرار داریم که دارای منابع نور، مادولاتورها، مالتی پلکسرها، دمالتی پلکسرها و آشکارسازها می باشیم. ما هم اکنون توانائی کامل دریافت و ارسال نوری به هم پیوسته  را داریم، اما باید همه این ابزارها را با هم داخل یک چیپ قرار دهیم و آن چیزی است که هم اکنون روی آن کار می کنیم. چیزی که ما برای یک سال بعد یا بعد از آن برنامه ریزی کرده ایم ارائه ی یک ترانسیور (سیستم ارسال و دریافت) نوری کامل روی سیلیکون می باشد.

<strong>سوال: این تکنولوژی جدید چه زمانی در بازار در دسترس خواهد بود؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> خوب، ممکن است که تا اواخر این دهه ما محصولات فوتونیک سیلیکونی را در بازار داشته باشیم. اگر 2010 نشد، شاید 2011، اما فکر می کنم که نزدیک هستیم.

<strong>سوال: مردم می خواهند بدانند ابزارهای محاسباتی آینده چه کاهائی انجام خواهند داد و چه زمانی طول می کشد تا انها را داشته باشند. برای هر چه رویائی تر کردن کاربردهای دهه ی بعدی بر روی چه الگوهائی کار می کنید؟</strong>

<strong>رتنر: </strong>ما به تمامی کابردها نظر داشته ایم، که نیازمند حجم بالادی از قدرت محاسباتی برای کاربردی شدن و توسعه یافتگی می باشند. این با چیزی که پیش از این در مورد آن صحبت می کردیم سازگار است، ساخت ماشین های چند هسته ای بسیار بالا مانند پروسسور 80 هسته ای... ما به دامنه ی گسترده ای از موارد نظر داریم مثل ردیابی کاربردی حرکت، توانائی دوربین های ویدئوئی برای مشاهده ی آن چیزی که شما انجام می دهید و تبدیل حرکات شما به حرکت یک انسان در یک رایانه. بنابراین همینطور که شما دستان خود را حرکت می دهید، فیگور موجود در رایانه نیز دستان خود را حرکت می دهد، و اگر شما چشمک بزنید، فیگور رایانه ای نیز با چشمان خود چشمک خواهد زد. ما در نظر داریم تا تمام حالات چهره و تمام حرکات بدن را بدست آوریم. احتمالا این کار می تواند پایه و اساس برای نسل آینده ی بازی ها بوده یا راهی برای آموزش رقص به دیگران می باشد. شریک مجازی شما یک رایانه خواهد بود.

کاربرد جالب توجه دیگر این است که جایی که ما یک ویدئوی زنده از یک مسابقه ی ورزشی مثل فوتبال را تنظیم می کنیم ، رایانه همه ی بازیکن ها را ردیابی و بازی را مشاهده می کند و بصورت خودکار تصویری مشخص نمایش می دهد. بنابراین شما می توانید بگوئید که من فقط می خواهم شوت به دروازه ها را یا فقط ضربات پنالتی را تماشا کنم یا فقط می خواهم این بازیکن خاص را تماشا کنم و به من همه ی تصاویری را که این بازیکن توپ را در اختیار دارد نشان ده. رایانه می تواند تمام این چیزها را بصورت خودکا انجام دهد. این کار البته نیازمند حجم انبوهی از محاسبات است: ردیابی تمامی بازیکنان، آنالیز حرکات، و همه ی چیزهائی که اتفاق می افتد. بنابراین، تا 5 سال آینده شاید یافتن این ویژگی در تلویزیون ها چندان غیرعادی نباشد. اینها چندین مورد از کاربردهای آن در آینده می باشد که ما بر روی آنها کار می کنیم.

هم اکنون، ما همچنین در حال کار بر روی ابزارهای کمکی هستیم. ما آزمایشاتی بر روی تعدادی از تکنولوژی ها انجام داده ایم که شما می توانید با خود حمل کرده و یا آنها زیر لباستان نگاه دارید. آنها ضربان قلب، تنفس، فعالیت فیزیکی شما و تمام موارد شما را کنترل می کنند. آنها اطلاعاتی در اختیار شما قار می دهند که شیوه ی زندگی شما ا بهبود بخشیده و منجر به سلامتی بهتر خواهد شد یا در مورد یک وضعیت پزشکی به شما هشدار می دهد تا به یک پزشک مراجعه نمائید.

<strong>سوال: امروزه، ما برخی روبات های هیجان انگیز واقعی می بینیم که مجهز به تشخیص تصویر و صحبت می باشند. برخی از آنها، به خصوص آنهائی که برای سازمان دفاع طراحی شده اند، می توانند مانند یک موجود زنده راه بوند. آیا فکر می کنید عصر ترمیناتور نزدیک است یا عصر ماشین های هوشمند در حال آمدن است؟</strong>

<strong>رتنر:</strong> عصر ماشین های هوشمند، چیزی است که شما گفتید؟ خوب، من فکر می کنم که  از چند جنبه جواب باید مثبت باشد. پلتفورم کمکی که من داشتم در موردش صحبت می کردم ابعاد متنوعی دارد. همین حالا شما می توانید آن را در جیب خود قرار دهید یا روی کمربندتان ببندید یا چیزی شبیه به آن. آن تمام این داده ها را جمع آوری می نماید و نتیجه گیری می نماید. آن می تواند بگوید که شما نشسته اید یا سر پا هستید، یا داخل خانه اید یا خارج از خانه، اینکه در حال بالا رفتن از پله ها یا پائین رفتن هستید، و سپس بر اساس آن می تواند تصمیمات بسیار دیگری در مورد اینکه شما در حال انجام چه کاری هستید بگیرد. منظور من این است که، وقتی الگوهای فتاری شما را یاد بگیرد، می تواند بگوید شما در خانه هستید یا در سر کار، یا در حال رانندگی ماشین هستید یا ب روی کاناپه نشسته اید.

فکر می کنم این مجموعه ی کامل از محاسبات ادراکی می تواند منشا پیشرفت های سریعی باشد. تصور می کنم که در طول دهه ی آینده یا بعد از آن دستگاه هائی وجود خواهد داشت، حال روبات باشند یا نه، که دارای ادراکات محاسباتی بوده و یک فتار مشابه به انسان از خود به نمایش خواهند گذاشت. فکر می کنم این امر بطور قطع اتفاق خواهد افتاد.]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>مصاحبه اي كوتاه با Jeffrey Taft: هوشمند كردن شبكه هاي قدرت</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/interviews/power/29/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/interviews//4.29</id>

    <published>2007-09-21T00:49:54Z</published>
    <updated>2007-09-29T03:25:29Z</updated>

    <summary>مصاحبه كننده: Margery Conner از EDN جفري تفت (Jeffrey Taft) مدير آرشيتكت شبكه هاي هوشمند در قسمت خدمات تجارت جهاني IBM مي باشد. سوابق او در زمينه پردازش سيگنال ديجيتالي بسيار حياتي است چرا كه او مسئوليت رهبري پروژه ي مهمي را دارد كه مي خواهد IBM را به عنوان تغذيه كننده نرم افزاري مطرح سازد كه اين نرم افزار توانائي اجراي شبكه هاي قدرت هوشمند را داشته باشد. از آقاي Taft پرسيديم، شبكه هاي هوشمند مستلزم و شامل چه...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="power" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ibm" label="IBM" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="پردازشسيگنال" label="پردازش سيگنال" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شبكههوشمند" label="شبكه هوشمند" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/interviews/">
        <![CDATA[مصاحبه كننده: Margery Conner از <a href="http://edn.com">EDN</a>
<img src="http://a330.g.akamai.net/7/330/2540/20070823123903/www.edn.com/articles/images/EDN/20070903/18voices.jpg" style="float:left; padding:3px">جفري تفت (Jeffrey Taft) مدير آرشيتكت شبكه هاي هوشمند در قسمت خدمات تجارت جهاني IBM مي باشد. سوابق او در زمينه پردازش سيگنال ديجيتالي بسيار حياتي است چرا كه او مسئوليت رهبري پروژه ي مهمي را دارد كه مي خواهد IBM را به عنوان تغذيه كننده نرم افزاري مطرح سازد كه اين نرم افزار توانائي اجراي شبكه هاي قدرت هوشمند را داشته باشد. از آقاي Taft پرسيديم، شبكه هاي هوشمند مستلزم و شامل چه چيزهائي هستند، چه منافعي براي بنگاه هاي تجاري و مصرف كنندگان دارند، و پردازش سيگنال ديجيتال چه نقشي در تحويل برق به مصرف كنندگان بازي مي كند.

<strong>شبكه هوشمند دقيقا چيست؟</strong>

ابتدا، بيائيد در مورد شبكه به شكلي كه هم اكنون موجود است صحبت كنيم: شما يك زير ساخت توزيع داريد كه شامل ايستگاه هاي توليد نيرو، خطوط انتقال ولتاژ-بالا براي حمل حجم بالايي از نيرو به سمت نقاط تحويل، ايستگاه هاي فرعي براي شكستن آن نيرو به ولتاژهاي پائين، مدارات تغذيه كننده، و در آخر ترانسفورماتورهاي توزيع براي كاهش بيشتر ولتاژ و مناسب استفاده در منزل شما ، مي باشد. هم اكنون، شبكه برق احتمالا در مورد زمان قطع برق چيزي متوجه نمي شود مگر پس از اينكه تعداد كافي از كاربران توخواني شوند. يك شبكه نيروي هوشمند ابزارآلاتي به دستگاه هاي شبكه مي افزايد، به ايستگاه هاي فرعي، و به خطوط انتقال، و حجم انبوعي از داده ها را جمع آوري مي كند و سپس اين داده ها را پردازش كرده، قادر خواهد بود تا بصورت يك شبكه خودكار عمل كند.

<strong>اين هوشمندي در كل چه معنايي براي مصرف كننده ي مسكوني يا صنعتي خواهد داشت؟</strong>

ابعاد مختلفي در مورد منافع وجود چنين شبكه هوشمندي مي توان در نظر گرفت؛ برخي تاثير مستقيم و برخي اثر غيرمستقيم دارند. اجازه دهيد در مورد تاثيرات مشتري صحبت كنيم. آيا شما مايليد كه بدانيد چه زماني برق شما قيمت بالاتري و چه زماني قيمت پائينتري دارد و بتوانيد استفاده ي خود را بر اين اساس بهينه كنيد؟ آيا مايليد تا بدانيد كه، در طول ساعات مشخصي از روز، برق شما گران تر است؟ آيا دوست داريد كه شبكه شما با شما تماس بگيرد و بگويد كه برق در خانه شما قطع است و اين امكان را به شما بددهد تا گام هاي اوليه را انجام دهيد؟ آيا تمايل داريد كه حتي يك قطعي برق را تجربه نكنيد چرا كه شبكه، پيش از اتفاق افتادن اين امر، راهي براي مديريت آن دارد؟ همه ي اين چيزها با يك شبكه ي هوشمند در دسترس خواهند بود.

<strong>چرا صنايع برق مي خواهند به سمت شبكه ي هوشمند حركت كنند؟</strong>

هنگامي كه سنسورهاي توزيع شده به سيستم انتقال و توزيع اضافه مي شوند، شبكه مي تواند بطو خودكار تمام آن داده ها را به منظور اهداف كنترلي، مانيتورينگ دارائي ها، مانيتورينگ كيفيت برق، و براي هوشمندي قطعي برق مورد تجزيه و تحليل قرار دهد. علاوه بر اين، ايجاد اعتماد در مشتري نسبت به هشدار هاي قطعي برق از ديگر اهداف است؛ شبكه دقيقا مي داند كه قعز برق در كجا خواهد بود، چه تجهيزاتي تحت تاثير قرار خواهد گرفت، و علت اصلي چيست و بطور خودكار خدمه تعمير مورد نياز را اسال خواهد كرد. البته، حتي پيش از اينكه گروه تعمير شروع به كار كنند، شما مايليد كه اين نقطه ي خطا را بوسيله سوئيچينگ خودكار ايزوله كنيد و تا حد امكان، حداكثر مصرف كنندگان را از طريق دور زدن نقطه مشكل ساز در شبكه نگه داريد. شبكه هوشمند قادر به انجام تمام اين كارها است.

<strong>شما يك مهندس الكترونيك با سابقه اي قوي د زمينه پردازش سيگنال ديجيتال هستيد. اين سابقه چگونه به شما كمك مي كند تا يك شبكه نيروي هوشمند بسازيد؟</strong>

پارامترهاي زيادي وجود دارند كه شما بايد از داده هاي waveform خام استنتاج كنيد. سيستم توزيع قدرت يك سيستم سه فاز با اتصالات پيچيده مي باشد. ويوفرم اسمي اين سيستم بايد بصورت موج سينوسي ساده باشد اما در عمل اينطور نيست و شما مجبور هستيد كه پردازش سيگنال پيچيده اي انجام دهيد تنها براي اينكه پارامترهايي را استخراج كنيد كه به شما مي گويند چه اتفاقاتي در حال وقوع است. از طريق پردازش سيگنال ديجيتال، ما اطلاعاتي را بدست مي آوريم كه به ما جريان نيروي واقعي و واكنشي را نشان مي دهد كه موجب آشكارسازي و مكان يابي مشكلات موجود در نقاط خطا مي شود. ما مي توانيد آن داده ها را د سرتاسر چندين سنسور و چندين خطوط نيرو با هم تلفيق كنيم.

براي مثال، يك مدارشكن (circuit breaker) معمولي مي تواند چندين بار راه اندازي شود تا ببيند كه آيا خطايي به سمت "خود ترميمي" پيش مي رود يا نه. فرض كنيم شاخه اي خراب شده و دو خط نيرو را از شبكه بيرون مي اندازد. اين امر ممكن است موقتي بوده و رفع شود؛ شما نمي خواهيد كه به خاطر يك خطاي موقت نيروي موجود را از دست دهيد. بنابراين، مدارشكن مدار را باز مي كند،منتظر مي ماند، ان را مي بندد و بررسي مي كند كه آيا برق آنجا هست يا نه. اين فرايند مي تواند چندين بار تكرار شود و هر بار مدارشكن بسته مي شود، جريان سريعي را از مدارشكن، ترانسفوماتور و خطوط عبور مي دهد كه باعث ايجاد فشار جدي بر تجهيزات مي گردد. اگر شما بتوانيد از روي ويوفرم نيرو فورا بگوئيد كه اين مشكل، يك نقص و خطاي ثابت و پايدار خواهد بود، ديگر نيازي نيست كه سيكل دوباره بستن مدارشكن را انجام دهيد.

آگاهي از عملكرد شبكه قدرت تماما با اعدادي آغاز مي شود كه از طريق پردازش سيگنال ديجيتال بدست مي آيد. پردازش سيگنال ديجيتال در قلب يك شبكه قدرت جاي مي گيرد و درك پيشرفته سيگنال از طريق تجزيه و تحليل ها ، داده هاي سيگنالي را به اطلاعاتي مبدل مي سازد كه بر اساس آنها مي توان به خوبي عمل كرد، چه بوسيله ي سيستم هاي خودكار و چه بوسيله ي افراد. در نهايت، شبكه ي هوشمند امكان اندازه گيري و حفاظت از كيفيت و اطمينان پذيري شبكه قدرت، انجام كنترل هاي شبكه اي پيچيده، ماكزيمم سازي بكارگيري امكانات موجود، پاسخگوئي سريع ، و در اغلب موارد خودكار، به مشكلات شبكه را مهيا مي سازد.]]>
        
    </content>
</entry>



<entry>
    <title>IEEE Standards in Education Web Portal</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/links/education/17/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/links//7.17</id>

    <published>2007-09-11T23:10:34Z</published>
    <updated>2007-09-11T23:24:11Z</updated>

    <summary>پرتالي براي آموزش استانداردهاي IEEE </summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="ٍEducation" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ieee" label="IEEE" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="استاندارد" label="استاندارد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en-us" xml:base="http://www.electronews.ir/links/">
        <![CDATA[

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">به تازگي انجمن </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">IEEE</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> پرتالي براي آموزش
استانداردهاي مورد استفاده در زمان حال و گذشته راه اندازي نموده است كه مي تواند
مرجع مناسبي براي مهندسين و دانشجويان باشد.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">در صفحه اول اين <a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs_iportals/iportals/education/setf/index.html">پرتال</a>
توضيحي با اين مضمون آمده است: "وبسايت </span><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs_iportals/iportals/education/setf/index.html"><span dir="ltr">IEEE Standards in Education</span></a><span dir="rtl"></span><span dir="rtl"></span> <span lang="FA">منابع و مراجعي را از طريق اجراي برنامه هاي مهندسي
و دانشجويي متنوع در اختيار قرار مي دهد و علاوه بر اين، لينك هايي به سازمان هاي
ارتقادهنده ي استانداردها (</span></span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">SDO</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span>)
و ديگر سازمان هايي كه از آموزش استانداردها پشتيباني مي نمايند، ارائه مي نمايد.
محتويات اين سايت، همچنين براي كساني از مردم عادي كه علاقمند كسب اطلاعات بيشتر
در مورد استانداردها، كاربردهاي آنها، و تاثيراتشان بر طراحي محصولات جديد،
فرايندها و خدمات مي باشند مفيد واقع خواهد شد."<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">پرتال مزبور داراي هفت
بخش اصلي به شرح ذيل مي باشد:<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/tutorials.html"><span dir="ltr">Tutorial Modules</span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> و </span><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/case.html"><span dir="ltr">Case Illustrations</span></a><span dir="rtl"></span><span lang="FA"><span dir="rtl"></span><span style="">&nbsp; </span></span></span></strong><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">كه به معرفي تاريخچه استانداردها؛ اصطلاحات
علمي پايه؛ كاربردها؛ تاثيراتشان بر طراحي محصولات، فرايندها، و خدمات؛ و مثال
هايي از كاربردهاي استانداردها در حوزه هاي فني و عمومي مختلف مي پردازند.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/applications.html"><span dir="ltr">Applications </span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span><span style="">&nbsp;</span>كه بوسيله دانشجويان و يا اساتيد دانشكده آنها
نگاشته مي شود و در اين بخش راه و روشي كه استانداردهاي معيني به پروژه مشخصي
اعمال گشته توسط آنان توصيف مي شود.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/glossary.html"><span dir="ltr">Glossary</span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> كه توضيحاتي در مورد اصطلاحات
رايج مرتبط با استانداردها و كلمات يا عباراتي كه در </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">tutorial</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> ها و </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">case illustration</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> ها مورد استفاده قرار
گرفته اند، ارائه مي دهد.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/reference.html"><span dir="ltr">Reference Guide</span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> كه ليستي به ترتيب حروف
الفبا در مورد استانداردها و نيز اصطلاحات فني مرتبط با استانداردها شامل </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">acronym</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> ها (كلمه اي كه از حرف
اول كلمات ديگري تكيب شده باشد) و كلمات اختصاري به همراه توضيحات و لينك هايي به
سايت هاي مرتبط را در خود جاي داده است.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/news.html"><span dir="ltr">News &amp; Features</span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> كه شامل اخبار مرتبط با
استانداردها، مقالات و معرفي كتابهايي براي مطالعه بيشتر مي باشد.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><strong><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs/iportals/education/setf/gateway.html"><span dir="ltr">Gateway to Other Learning Opportunities</span></a></span></strong><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span>
كه براي يادگيري اطلاعات بيشتري در مورد استانداردها كه توسط سازمان هاي ديگري
تهيه شده است مي باشد.<o:p></o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><o:p>&nbsp;</o:p></span></p>

<p class="MsoNormal" dir="rtl" style="text-align: justify;"><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA">پرتال </span><span style="font-family: Tahoma;"><a href="http://www.ieee.org/portal/cms_docs_iportals/iportals/education/setf/index.html"><span dir="ltr">IEEE Standards in Education</span></a><span dir="rtl"></span><span lang="FA"><span dir="rtl"></span> با حمايت كميته آموزش استانداردهاي </span></span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">IEEE</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span>، بورد فعاليتهاي آموزشي
</span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">IEEE</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span>، سازمان استانداردهاي </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">IEEE</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span>، بنياد </span><span dir="ltr" style="font-family: Tahoma;">IEEE</span><span dir="rtl"></span><span style="font-family: Tahoma;" lang="FA"><span dir="rtl"></span> و بنياد علوم ملي شروع
به فعاليت نموده است.<o:p></o:p></span></p>

 ]]>
        
    </content>
</entry>



<entry>
    <title>ساخت تقویت‌کننده‌ی توان چندبانده‌ی فشرده به دست DOCOMO</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/983/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.983</id>

    <published>2011-05-23T10:05:36Z</published>
    <updated>2011-05-24T12:31:57Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، NTT DOCOMO (اپراتور غالب تلفن همراه در ژاپن و از فعالین صنعت ارتباطات سیار در سطح جهان) به تازگی اعلام کرده است که توانسته است نمونه‌ی اولیه‌ای از تقویت‌کننده‌ی توان را برای استفاده در شش باند فرکانسی بین فرکانس‌های 1.5GHz و 2.5GHz با ضریب شکل کمتر از تقویت‌کننده‌های توان تک باندی که به شکل متداول برای همان كار مورد استفاده قرار می‌گیرند، بسازد. اندازه‌ی فشرده‌ی این تقویت‌کننده و قابلیت استفاده...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="nttdomoco" label="NTT DOMOCO" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مخابراتبي‌سيم" label="مخابرات بي‌سيم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بی‌سیم" label="بی‌سیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تقویتكننده" label="تقویت كننده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تقویتكننده‌یتوان" label="تقویت كننده‌ی توان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:254px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/2011/docomodevelo.jpg" style="float:left; padding:8px; width:250px; height:200px"><br /> 
<br /></p> 
 
</div>

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، NTT DOCOMO (اپراتور غالب تلفن همراه در ژاپن و از فعالین صنعت ارتباطات سیار در سطح جهان) به تازگی اعلام کرده است که توانسته است نمونه‌ی اولیه‌ای از تقویت‌کننده‌ی توان را برای استفاده در شش باند فرکانسی بین فرکانس‌های 1.5GHz و 2.5GHz با ضریب شکل کمتر از تقویت‌کننده‌های توان تک باندی که به شکل متداول برای همان كار مورد استفاده قرار می‌گیرند، بسازد.

اندازه‌ی فشرده‌ی این تقویت‌کننده و قابلیت استفاده (تطبیق پذیری) آن در شش باند، که نیاز به استفاده از چند تقویت‌کننده‌ی تك باندی را از بین می‌برد، سایر قطعات را قادر خواهد ساخت که تنها فضایی برابر با میزان اشغال شده توسط یک تقویت‌کننده‌ی تک بانده اشغال نمایند. تقویت‌کننده‌های توان، مدارهایی الکترونیکی هستند که سیگنال ورودی را به میزانی که برای مخابرات و سیستم‌های ارتباطی مناسب است تقویت می‌کنند.

این نمونه‌ی اولیه از تقویت‌کننده‌ی جدید که بر روی برد مدار چاپی با ابعاد تنها 8.05mm در 6.2mm ساخته شده است، نیازهای عمده‌ی استانداردهای مخابراتی LTE، W-CDMA و GSM را برآورده می‌کند که این مسأله باعث می‌شود تا این تقویت‌کننده برای بیشتر شبکه‌های محلی و بین‌المللی که در گستره‌ی فرکانسی بین 1.5GHz تا 2.5GHz فعالیت می‌کنند، ابزاری مفید باشد.

DOMOCO این تقویت‌کننده را در نمایشگاه بزرگ ارتباطات بی‌سیم در توکیو، در فاصله‌ی زمانی 25 تا 27 می 2011 و همچنین در  CommunicAsia 2011در فاصله‌ی زمانی 21 تا 24 ژوئن در سنگاپور به نمایش خواهد گذاشت.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>معرفی تراشه‌ی انباشته شده‌ی جدید به دست گروه تایوانی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/981/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.981</id>

    <published>2011-05-21T11:29:30Z</published>
    <updated>2011-05-21T20:55:12Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، مرکز ملّی پیاده‌سازی تراشه در تایوان (CIC)، به تازگی شکلی جدید از طراحی بسته‌بندی را معرفی کرده است که ادعا می‌کند می‌تواند قیمت فرایند توسعه را به نصف کاهش دهد و به علاوه زمان لازم برای آماده‌سازی یک محصول جدید برای ارائه به بازار را تا دو سوم کاهش دهد. این روش طراحی تراشه که MorPack نام دارد، به شکل انباشته (stacked) صورت گرفته است که به موجب آن تراشه‌هایی که...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="cic" label="CIC" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="morpack" label="MorPACK" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="پردازنده" label="پردازنده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تایوان" label="تایوان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه" label="تراشه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه‌یانباشته" label="تراشه‌ی انباشته" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، مرکز ملّی پیاده‌سازی تراشه در تایوان (CIC)، به تازگی شکلی جدید از طراحی بسته‌بندی را معرفی کرده است که ادعا می‌کند می‌تواند قیمت فرایند توسعه را به نصف کاهش دهد و به علاوه زمان لازم برای آماده‌سازی یک محصول جدید برای ارائه به بازار را تا دو سوم کاهش دهد. این روش طراحی تراشه که MorPack نام دارد، به شکل انباشته (stacked) صورت گرفته است که به موجب آن تراشه‌هایی که به تازگی طراحی شده‌اند، می‌توانند بر بالای یک پردازنده قرار داده شوند (البته با وجود جریان هوا در فاصله‌ی بین‌شان)، که این کار فضای مورد نیاز برای نگهداری آن‌ها را کاهش می‌دهد و از طرف دیگر سرعت تبادل اطلاعات بین آن‌ها را با توجه به این‌که به هم نزدیک‌تر شده‌اند افزایش می‌دهد.

در مقاله‌ای که در کنفرانس iMPAS (International Microelectronics And Packaging Society) ارائه شده است، نویسنده، شین لون چن (Shin-Lun Chen) از CIC، ساختار MorPACK (که اختصار یافته‌ی morphing package است) را به عنوان "بستر یک‌پارچه‌ی ناهمگون"ی از بخش‌های مجتمعی که به عنوان ساختارهای اساسی در کنار هم قرار می‌گیرند و به تراشه امکان اشغال فضای کمتری می‌دهند، توصیف می‌کند. او همچنین تأکید می‌کند که به دلیل نزدیکی زیاد تراشه‌ها در یک ساختار انباشته، تمهیدات ویژه‌ای باید برای برطرف کردن مشکل حرارت انجام شود.

این بسته‌ی انباشته از سمت پایین از قطعات زیر تشکیل شده است: ابتدا در پایین‌ترین بخش، پردازنده قرار دارد که بزرگ‌ترین تولیدکننده‌ی حرارت است و احتمالاً گرماگیری در بالای آن قرار گرفته است. بر روی آن لایه‌های تراشه‌ای قرار دارند (که با واسط‌هایی به هم متصل‌اند) تا پیوند با تراشه‌های حافظه را برقرار سازند و پس از آن هم واسط‌های دیگری برای دستگاه‌های جانبی به شکل مشابه قرار گرفته‌اند. در نهایت بر روی این بخش‌ها تراشه‌های سفارشی قرار می‌گیرند که توسط شرکت‌هایی که MorPACK را برای استفاده در تجهیزات خود خریداری کرده اند، طراحی شده‌اند.

چیوِتزی در (ChiuehTzi-Dar)، مدیر کل آزمایشگاه CIC که تراشه در آنجا طراحی شده است، در مصاحبه‌ها بیان کرده است که این تراشه می‌تواند برای هر نوع دستگاهی که تراشه‌های مجتمع را به کار می‌گیرد، مورد استفاده قرار گیرد؛ که البته شامل تمام دستگاه‌های مصرفی مانند تلفن‌های همراه و دوربین‌ها هم خواهد بود. اگر چنین ادعایی درست باشد، تمام این دستگاه‌ها را می‌توان با اندازه‌ای کمتر از اندازه‌ی کنونی‌شان ساخت چون تراشه‌های مورد کاربرد. با وجودی ‌که اندازه‌ی ساختار کنونی MorPACK چهار سانتی‌متر در چهار سانتی‌متر است، چون مینگ هوانگ (Chun-ming Huang) سرپرست این پروژه بر این باور است که او و گروهش خواهند توانست که آن را به یک چهارم این اندازه برسانند، که این کار دستگاه‌های نامبرده را به اندازه‌ای که فراتر از حد تصور کوچک خواهد کرد.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>استفاده از احتراق داخلی برای ساخت ترانزیستورهای نازک‌پوسته</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/979/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.979</id>

    <published>2011-05-18T09:45:45Z</published>
    <updated>2011-05-19T06:59:18Z</updated>

    <summary> مخلوطی قابل اشتعال از فلز و اکسیژن می‌تواند گشاینده‌ی راهی به سوی الکترونیک انعطاف‌پذیرتر باشد. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum، گروهی از پژوهش‌گران توانسته‌اند راه‌حلی شیمیایی را توسعه دهند که در آن از گرمای داخلی اتم‌های فلز و اکسیژن برای آمیختن آن‌ها استفاده می‌شود و پوسته‌هایی با خاصیت نیمه‌رسانایی، در دمای پایین شکل پیدا می‌کنند. این راه‌کار می‌تواند راه را برای نسل بعدی الکترونیک نازک‌پوسته و انعطاف‌پذیر به شکل ارزان، هموار کند. گزارش این...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="الکترونیکنازک‌پوسته" label="الکترونیک نازک‌پوسته" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکانعطافپذیر" label="الکترونیک انعطاف پذیر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکخمشی" label="الکترونیک خمشی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اکسیدغیربلوری" label="اکسید غیربلوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهنورثوسترن" label="دانشگاه نورث وسترن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سیلیکون" label="سیلیکون" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:254px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://spectrum.ieee.org/image/1835119" style="float:left; padding:8px; width:250px; height:200px"><br /> 
<br /></p> 
 
</div>


مخلوطی قابل اشتعال از فلز و اکسیژن می‌تواند گشاینده‌ی راهی به سوی الکترونیک انعطاف‌پذیرتر باشد.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum، گروهی از پژوهش‌گران توانسته‌اند راه‌حلی شیمیایی را توسعه دهند که در آن از گرمای داخلی اتم‌های فلز و اکسیژن برای آمیختن آن‌ها استفاده می‌شود و پوسته‌هایی با خاصیت نیمه‌رسانایی، در دمای پایین شکل پیدا می‌کنند. این راه‌کار می‌تواند راه را برای نسل بعدی الکترونیک نازک‌پوسته و انعطاف‌پذیر به شکل ارزان، هموار کند. گزارش این تحقیق، که نتایج بررسی بر روی پوسته‌هایی از چند ترکیب گوناگون را نشان می‌دهد، در مجله‌ی Nature Materials ارائه شده است.

الکترونیک نازک‌پوسته‌ی متداول که در صفحات نمایش‌گر تخت امروزی استفاده می‌شود بر اساس ساختارهای بی‌نظم یا غیر بلوری سیلیکون استوار است. امّا این سیلیکون غیر بلوری، تقریباً به حد نهایی کارایی خود رسیده است و یک دسته از مواد جدید (اکسیدهای غیربلوری) به‌زودی در مرحله‌ی تجاری شدن قرار خواهندگرفت. الکترون‌های این اکسیدهای غیر بلوری می‌توانند بسیار بیشتر از سیلیکون غیر بلوری و با همان سرعت، عمل بزرگ‌نمایی را انجام دهند که این مسأله باعث افزایش سرعت در حوزه‌ی الکترونیک خواهد شد. همچنین برخلاف سیلیکون، اکسیدها جریان را به شکل یکسان در هر راستایی حمل می‌کنند که این مسأله آن‌ها را کاندیدای مناسبی برای کاربردهای الکترونیک قابل خمش، مانند آرایه‌های خورشیدی انعطاف‌پذیر و نمایش‌گرهای روی هم جمع شونده یا قابل انباشت (roll-up) می‌نماید.

برای ساخت این پوسته‌های نازک، مهندسان در آغاز به  عمل کاتدپرانی روی آوردند که در آن ماده‌ی بخار شده به سمت ماده‌ی هدف که داخل یک محفظه‌ی خلا بود، پرتاب می‌شد. این فرایند در صورتی‌که ماده را بتوان به جای یک محلول اعمال کرد، ذاتاً ارزان قیمت است، امّا طرفداران روش محلول محور بایستی با فیزیک نامناسبی روبه‌رو شوند. گرما باید برای متراکم کردن اکسید فلز به آن اعمال شود و در صورتی‌که ماده تا میزان 300 درجه‌ی سانتیگراد گرم شود، عمل‌کرد بهتری خواهد داشت که البته این مقدار تقریباً 100 درجه بالاتر از بیشترین میزان قابل تحمل برای پلاستیک‌های انعطاف‌پذیر است.

بسیاری از اکسیدهای فلزی نازک‌‌پوسته که به عنوان راه‌حل مطرح شده اند، با استفاده از آب و نمک‌های شامل آب ساخته شده‌اند. در صورتی‌که دما به اندازه‌ی کافی افزایش یابد، اتم‌های اکسیژن به اتم‌های فلز پیوسته و زنجیره‌ای نامنظم از پیوندهای فلز با اکسیژن را تشکیل می‌دهند. این گروه دریافته است که اگر سوختی مانند acetylacetone یا اوره در این ترکیب باشد، می‌تواند انرژی درونی این ترکیب را افزایش دهد.
یکی از بزرگ‌ترین چالش‌های پیش روی این گروه، یافتن راهی برای رویارویی با تغییرات ساختاری ایجاد شده در فرایند سوختن بوده است. گرمای داخلی می‌تواند باعث ایجاد حفره‌هایی در پوسته‌های تولیدی شود. به گفته‌ی یکی از اعضای گروه، این حفره‌ها برای حس‌گرها و کاتالیزورها که به سطح زیادی نیاز دارند، مفید هستند. امّا این شکاف‌ها از آنجائی‌که همپوشانی بین ابرهای الکترونی را کاهش می‌دهند و در نتیجه‌ی آن توانایی انتقال جریان را کم می‌کنند، برای پوسته‌های نازک زیان‌آور هستند.

فَکچِتی (Facchetti) از اعضای این گروه که با شرکت Polyera نیز هم‌کاری می‌نماید، می‌گوید: «یکی از چالش‌های بزرگ، اطمینان از این است که ما خواهیم توانست یک پوسته‌ی با چگالی بالا بسازیم. راه‌کار نهایی برای حل مشکل حفره‌ها که به وسیله‌ی این گروه ارائه شده است به این شکل است که باید به تناوب عمل رسوب‌گزاری و حرارت دادن را برای ساخت پوسته‌ی نهایی، از لایه‌های نازک انجام داد.

سؤال بزرگی که باید در کارهای بعدی پاسخ داده شود، چگونگی پایداری این قطعات است. ولتاژ آستانه‌ی لازم برای روشن کردن این ترانزیستورها، در اثر استفاده انحراف پیدا می‌کند که این رفتار در دماهای کم، مشکل‌سازتر می‌شود.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>معرفی کارآمدترین مبدل دیجیتال به آنالوگ RF دنیا به وسیله‌ی NXP</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/974/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.974</id>

    <published>2011-05-14T19:22:56Z</published>
    <updated>2011-05-15T08:31:51Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت نیمه‌هادی‌های NXP به تازگی مبدل DAC1627D، مبدل دیجیتال به آنالوگ 16بیتی دو کاناله‌ی LVDS را که نرخ آپدیت خروجی تا 1/25 Gsps را پشتیبانی می‌کند، معرفی کرده است. این مبدل جدید و بسیار سریع، برحسب ویژگی‌های عملکرد دینامیکی، دارای بهترین فاکتور SFDR تک آهنگ در كلاس خود است و همچنین اعوجاج تداخلی دو آهنگ بهتری را در باند گسترده‌ی فرکانس خروجی 200 مگاهرتز از خود نشان می‌دهد. با توسعه‌ی...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="adc" label="ADC" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="nxpهلند" label="NXPهلند" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="rf" label="RF" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مبدلآنالوگبهدیجیتال" label="مبدل آنالوگ به دیجیتال" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مخابراتدیجیتال" label="مخابرات دیجیتال" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه" label="تراشه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركت" label="شركت" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:185px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/2011/worldshighes.jpg" style="float:left; padding:8px; width:180px; height:123px"><br /> 
<br /></p> 
  
</div>

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت نیمه‌هادی‌های NXP به تازگی مبدل DAC1627D، مبدل دیجیتال به آنالوگ 16بیتی دو کاناله‌ی LVDS را که نرخ آپدیت خروجی تا 1/25 Gsps را پشتیبانی می‌کند، معرفی کرده است. این مبدل جدید و بسیار سریع، برحسب ویژگی‌های عملکرد دینامیکی، دارای بهترین فاکتور SFDR تک آهنگ در كلاس خود است و همچنین اعوجاج تداخلی دو آهنگ بهتری را در باند گسترده‌ی فرکانس خروجی 200 مگاهرتز از خود نشان می‌دهد.

با توسعه‌ی کاربردهای زیربنایی بیسیم، این مبدل به طور کامل و با حاشیه‌ی ایمن با مشخصه‌های پوشش طیفی GSM چند حامله و نیز LTE و LTEِ انتقال پیشرفته، سازگار و هماهنگ است. در نتیجه، مبدل DAC1627D برای ایستگاه‌های پایه‌ی رادیویی چند-استاندارد مناسب است و به مهندسان طراح اجازه می‌دهد که معماری انتقال DAC منفردی را به کار گیرند که این کار ریز هزینه‌های مواد را در سیستم کاهش می‌دهد.

فلینت پالسکَمپ (Flint Pulskamp)، تحلیل‌گر ارتباطات بیسیم و ارتباطات بر پایه‌ی سیم نیمه‌هادی در IDC (International Data Corporation) می‌گوید: «پیشرفت‌های فن‌آوری در زیرساخت‌های تلفن همراه نیاز به کارایی بیشتر در مبدل‌های داده‌ی بخش RF را بیشتر کرده است. پرده‌برداری NXP از DAC1627D، كه یك مبدل دیجیتال به آنالوگ با کارایی بالا و سریع از این شركت است، یک راه‌حل قانع‌کننده در این بخش رو به گسترش به شمار می‌رود.»

مائوری وود (Maury Wood)، مدیر خط تولید مبدل‌های سریع NXP می‌گوید: «این موفقیت اعلام شده، یعنی کارآمدترین مبدل دیجیتال به آنالوگ RF، نتیجه‌ی چند دهه تجربه و نوآوری در مبدل‌های داده‌ی با كارایی بالا است. اگر این دستاوردها را با موارد دیگری از همین دست، همچون CGVxpress™  و CGV™ كه اجرای صنعتی ارتباط سریال سرعت‌بالای JESD204A است، ترکیب کنیم، خواهیم دید که NXP برنامه‌ای دارد که به تأمین برجسته‌ترین نیازهای حوزه‌ی انتقال سیگنال دیجیتال رادیویی جامه‌ی عمل خواهد پوشاند. NXP به همکاری نزدیک با مشتری‌هایش به منظور تعریف سطوح جدیدی از کارایی در مبدل‌های دیجیتال به آنالوگ با فرکانس رادیویی در نسل بعدی تولیدات خود در زمینه‌ی ایستگاه‌های رادیویی و سایر کاربردهای مخابرات دیجیتال و تركیب سیگنال، ادامه خواهد داد.

این مبدل المان‌هایی مانند همزمان‌سازی چند ابزاری (MDS) از تکنولوژی CGV شرکت NXP را به کار می‌گیرد که مشکل همزمان‌سازی و تأخیر در سیستم را در بسیاری از کاربردهای مخابرات دیجیتال، مانند MIMO و آرایه‌های فعال آنتن ایستگاه‌های رادیویی حل خواهد کرد.

همچنین در آینده‌ی نزدیک در كنفرانس علمی نظریه‌ها و تكنیك‌های مایكروویو (IMS2011)، NXP مبدل DAC1627D1G25 به علاوه‌ی مدولاتور BGX7100IQ را بر روی برد مدار چاپی ارائه خواهد کرد که در مجموع عمل‌کرد بهتری را منجر خواهد شد.

]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>معرفی کوچک‌ترین تراشه‌ی گیرنده‌ی توان صنعت، به دست Texas Instruments</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/970/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.970</id>

    <published>2011-05-09T13:50:43Z</published>
    <updated>2011-05-10T22:20:42Z</updated>

    <summary> شرکت Texas Instruments به تازگی نسل جدید فن‌آوری بیسیم توان خود را که هشتاد درصد از نمونه‌های پیشین کوچک‌تر است، معرفی کرده است. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، این ابزار بسیار کوچک جدید که با درجه‌ی بالایی مجتمع‌سازی شده است، کار طراحان را در شارژ بیسیم طرح‌های موجود و جدید برای ابزارهای همراه و قابل انتقال مانند تلفن‌های همراه هوشمند، سیستم‌های بازی، دوربین‌های دیجیتال و تجهیزات پزشکی و صنعتی آسان‌تر کرده است. مدار مجتمع گیرنده‌ی...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="texasinstruments" label="Texas Instruments" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گیرنده‌یتوانبیسیم" label="گیرنده‌ی توان بیسیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="انتقالتوانبیسیم" label="انتقال توان بیسیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بیسیم" label="بیسیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:493px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/2011/7802_final20press20image.jpg" style="float:left; padding:8px; width:490px; height:123px"><br /> 
<br /></p> 
  
</div>

شرکت Texas Instruments به تازگی نسل جدید فن‌آوری بیسیم توان خود را که هشتاد درصد از نمونه‌های پیشین کوچک‌تر است، معرفی کرده است.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، این ابزار بسیار کوچک جدید که با درجه‌ی بالایی مجتمع‌سازی شده است، کار طراحان را در شارژ بیسیم طرح‌های موجود و جدید برای ابزارهای همراه و قابل انتقال مانند تلفن‌های همراه هوشمند، سیستم‌های بازی، دوربین‌های دیجیتال و تجهیزات پزشکی و صنعتی آسان‌تر کرده است.

مدار مجتمع گیرنده‌ی bq51013، اصلاح مشخصه‌ی ولتاژ و کنترل کامل توان به روش بیسیم را در یک پکیج WCSP با ابعاد 1.9mm در 3mm با هم ترکیب کرده است. این ابزار جدید، توان خروجی را تا اندازه‌ی 5 وات پشتیبانی می‌کند، دارای راندمان تبدیل AC به DC برابر با 93 درصد است و تنها آی‌سی مورد نیاز بین سیم‌پیچ گیرنده و سیستم است.

سامی کیریاکی (Sami Kiriaki)، نایب رئیس ارشد مرکز مدیریت توان TI می‌گوید: « تولیدکننده‌های تلفن‌های هوشمند و ادوات الکترونیکی مصرفی، به توان بیسیم نیاز دارند و TI برای کمک به مصرف‌کننده‌ها برای استفاده گسترده از این فن‌آوری که شرایط را برای کسانی که می‌خواهند تجهیزات خود را شارژ کنند، آسان می‌کند، در موقعیت مناسبی قرار دارد. طراحان می‌توانند برای مجتمع‌سازی سریع بخش توان بیسیم در کاربردهای کنونی و جدید، با کمترین تأثیر بر روی اندازه‌ی کلّی، از bq51013 استفاده کنند.

ویژگی‌های کلیدی و مزایای این بسته‌ی جدید عبارتند از:
-	این آی‌سی پربازده و فشرده‌ی گیرنده‌ی توان، شامل یکسوسازی تمام‌پل همزمان، اصلاح مشخصه‌ی ولتاژ و کنترل توان بیسیم در یک ابزار به شکل یکجا است.

-	ابعاد کم بسته‌ی WCSP این آی‌سی، اجازه‌ی مجتمع‌سازی راحت با کمترین اثر اندازه را خواهد داد. فضای اشغالی این دستگاه، 80% کمتر از نسل نخست گیرنده‌های TI است.

-	این گیرنده و فرستنده‌ی متناظر با آن (bq500110)، ادواتی کنسرسیومی و اشتراکی (کنسرسیوم توان بیسیم WPC) و تابع Qi هستند که این اشتراک، قابلیت هماهنگی بین تجهیزات همراه مختلف را تضمین خواهد کرد.

-	محافظت درونی ولتاژ، جریان و شرایط ناخواسته‌ی دمایی ما را از کارکرد قابل اطمینان و امن سیستم مطمئن می‌کند.

-	راندمان پیک 93 درصدی، موجب کاهش جهش حرارتی داخل سیستم می‌شود، درحالی‌که نرخ شارژ را تا اندازه‌ای قابل مقایسه با یک آداپتور AC افزایش می‌دهد.

گیرنده‌ی توان بیسیم bq51013 با بسته‌ی WPC در تعداد 1000تایی قیمتی معادل 3.5 دلار دارد.

برای اطلاعات بیشتر در این رابطه می‌توانید به سایت شرکت TI مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;"><a href="http://www.ti.com/bq51013-pr">http://www.ti.com/bq51013-pr</a></div>

]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت نخستین DRAM با فن‌آوری 25 نانومتری صنعت به دست الپیدا</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/966/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.966</id>

    <published>2011-05-04T11:51:18Z</published>
    <updated>2011-05-05T17:15:42Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا، پیشگام ژاپنی جهان در تهیه‌ی حافظه‌های دینامیکی با دسترسی مستقیم (Dynamic Random Access Memory یا DRAM) به تازگی اعلام کرده است که توانسته است با استفاده از فن‌آوری 25نانومتر که هم‌اکنون در صنعت حافظه‌ها پیشتاز است، موفق به ساخت SDRAM نوع DDR3 دوگیگابیتی شود. با به‌کارگیری پیشرفته‌ترین فن‌آوری در دسترس، الپیدا توانسته است به کوچک‌ترین اندازه‌ی تراشه‌ برای این نوع از حافظه‌ها در مقیاس صنعتی دست یابد. فن‌آوری...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="25نانومتر" label="25نانومتر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ddr" label="DDR" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ddr3" label="DDR3" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="dram" label="DRAM" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دوست‌دارمحیطزیست" label="دوست‌دار محیط زیست" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركتالپيدا" label="شركت الپيدا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[
به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا، پیشگام ژاپنی جهان در تهیه‌ی حافظه‌های دینامیکی با دسترسی مستقیم (Dynamic Random Access Memory یا DRAM) به تازگی اعلام کرده است که توانسته است با استفاده از فن‌آوری 25نانومتر که هم‌اکنون در صنعت حافظه‌ها پیشتاز است، موفق به ساخت SDRAM نوع DDR3 دوگیگابیتی شود. با به‌کارگیری پیشرفته‌ترین فن‌آوری در دسترس، الپیدا توانسته است به کوچک‌ترین اندازه‌ی تراشه‌ برای این نوع از حافظه‌ها در مقیاس صنعتی دست یابد.

فن‌آوری جدید 25نانومتر الپیدا در مقایسه با مورد قبلی که با فن‌آوری 30نانومتر ساخته شده است، به 30 درصد سطح سلول کمتری برای هر واحد بیت نیاز دارد. خروجی تراشه‌ی این حافظه‌ی جدید هم به ازای هر ویفر، در مقایسه با مورد پیشین تقریباً 30 درصد بیشتر است.

از آنجایی‌که این حافظه موجب مصرف توان کمتری به‌وسیله‌ی PCها و مصرف‌کننده‌های الکترونیکی دیجیتال می‌شود، زیان کمتری برای محیط زیست خواهد داشت و از این رو دوست‌دار محیط زیست خوانده می‌شود. همچنین به دلیل نیاز به جریان کمتر (15% جریان نقطه کار عادی کمتر و 20% جریان حالت Standby کمتر) عمل‌کرد بهتری هم نسبت به حافظه‌ی 30نانومتر خواهد داشت.

هنگام ساخت و توسعه‌ی حافظه‌ی 25نانومتری، تغییرات مورد نیاز برای انتقال فن‌آوری از 30نانومتر به کمترین اندازه رسانده شد تا هزینه‌های لازم برای تولید انبوه با فن‌آوری 25نانومتر کاهش یابد.

الپیدا قصد دارد تا پایان سال 2011، تولید انبوه حافظه‌های 4گیگابیتی SDRSM DDR3 را با به‌کارگیری فن‌آوری 25نانومتر نیز آغاز کند. در مقایسه با فن‌آوری 30نانومتر، افزایش 44 درصدی خروجی‌ها به ازای هر ویفر برای این حافظه‌ها پیش‌بینی می‌شود. به‌علاوه فن‌آوری 25نانومتر جدید، برای حمایت از توسعه‌ی بیشتر حافظه‌های تجهیزات سیار مورد استفاده قرار خواهد گرفت.

حافظه‌ی دو گیگابیتی مورد بحث توانایی پشتیبانی سرعت‌های بالاتر از DDR3-1866 (با سرعت 1866مگابیت‌بر ثانیه) را دارد و در ضمن با DDR3L-1600 که در سرعت بالا و با ولتاژ پایین 1.35 ولت کار می‌کند نیز سازگاری دارد.

پیش‌بینی می‌شود تولید اولیه‌ی این حافظه‌ی جدید و تولید انبوه آن، هر دو در جولای 2011 آغاز شود.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت فلش مموری NAND با فن‌آوری 19نانومتر به دست توشیبا</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/965/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.965</id>

    <published>2011-05-02T11:51:27Z</published>
    <updated>2011-05-02T21:57:17Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت توشیبا به تازگی اعلام کرده است که موفق به ساخت فلش مموری NAND با فن‌آوری 19نانومتر شده است، که این مورد بهترین سطح ساخته شده تاکنون می‌باشد. این فن‌آوری پیشرفته، پیش از این به تراشه‌های دو بیت بر سلول 64 گیگابیتی که کوچک‌ترین مورد در دنیا هستند و بیشترین چگالی را روی یک تراشه دارند اعمال شده است (8 گیگابایت). توشیبا علاوه بر این، محصولات 3 بیت بر سلول را...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="19نانومتر" label="19نانومتر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="nand" label="NAND" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه‌یفلش" label="حافظه‌ی فلش" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركتتوشيبا" label="شركت توشيبا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت توشیبا به تازگی اعلام کرده است که موفق به ساخت فلش مموری NAND با فن‌آوری 19نانومتر شده است، که این مورد بهترین سطح ساخته شده تاکنون می‌باشد. این فن‌آوری پیشرفته، پیش از این به تراشه‌های دو بیت بر سلول 64 گیگابیتی که کوچک‌ترین مورد در دنیا هستند و بیشترین چگالی را روی یک تراشه دارند اعمال شده است (8 گیگابایت). توشیبا علاوه بر این، محصولات 3 بیت بر سلول را با همین فن‌آوری 19نانومتر، در برنامه‌ی خود قرار داده است.

نمونه‌هایی از این محصول جدید، در انتهای این ماه در دسترس خواهند بود و تولید انبوه آن به ماه‌های جولای تا سپتامبر سال 2011 موکول خواهد شد.

توشیبا پیش‌گام صنعت ساخت تراشه‌های حافظه‌ی فلش NAND با چگالی بالا و اندازه‌ی کوچک بوده است. استفاده از فن‌آوری نسل 19نانومتر اندازه‌ی تراشه را بیش از پیش کاهش می‌دهد و به توشیبا این امکان را می‌دهد که 16 تراشه‌ی 64گیگابیتی حافظه‌ی NAND را در یک پکیج گردآوری کرده و بتواند 128گیگابایت فضا را در تلفن‌های همراه و تبلت‌ها ارائه کند. محصولات با فن‌آوری 19نانومتر، با محافظ DDR2 که سرعت انتقال اطلاعات را افزایش می‌دهد تجهیز خواهند شد.

در بازار تجهیزات همراه مانند تلفن‌های همراه، رایانه‌های تبلت و SSDها (محرکه‌های حالت جامد) تقاضا به سوی حافظه‌های با چگالی بالاتر و اندازه‌ی کوچکتر در حال افزایش است. با شتاب گرفتن تغییرات فن‌آوری در حافظه‌های فلش NAND، توشیبا خواهد توانست پیشتازی و پیشگامی خود را در این گستره حفظ و تقویت کند.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>معرفی حافظه‌ی فلش جاسازی شده‌ی جدید با تکنولوژی 24نانومتر</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/961/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.961</id>

    <published>2011-04-26T21:49:27Z</published>
    <updated>2011-04-30T13:47:02Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت توشیبا به تازگی افزایش کیفیت فلش مموری‌های NAND خود را با معرفی نسل جدید خانواده‌ی 24نانومتری با نام &quot;NAND هوشمند&quot; که مدیریت خطا را در داخل بسته‌ی NAND مجتمع‌سازی می‌کند، اعلام کرده است. تراشه‌های جدید، با پشتیبانی طراحی ساده‌ی Host-side، درخواست نسل پیشرفته‌ی فرآیند NAND را در محصولات پرکاربردی مانند پخش‌کننده‌های صوتی دیجیتال، رایانه‌های تبلت، تجهیزات اطلاعاتی، تلویزیون‌های دیجیتال و سایر کاربردهایی که به حافظه‌های با چگالی بالا و...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="24نانومتر" label="24نانومتر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="nand" label="NAND" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مديريتخطا" label="مديريت خطا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه‌یفلش" label="حافظه‌ی فلش" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركتتوشيبا" label="شركت توشيبا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:284px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/2011/newembeddedn.jpg" style="float:left; padding:8px; width:280px; height:150px"><br /> 
<br /></p> 
</div>

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت توشیبا به تازگی افزایش کیفیت فلش مموری‌های NAND خود را با معرفی نسل جدید خانواده‌ی 24نانومتری با نام "NAND هوشمند" که مدیریت خطا را در داخل بسته‌ی NAND مجتمع‌سازی می‌کند، اعلام کرده است. تراشه‌های جدید، با پشتیبانی طراحی ساده‌ی Host-side، درخواست نسل پیشرفته‌ی فرآیند NAND را در محصولات پرکاربردی مانند پخش‌کننده‌های صوتی دیجیتال، رایانه‌های تبلت، تجهیزات اطلاعاتی، تلویزیون‌های دیجیتال و سایر کاربردهایی که به حافظه‌های با چگالی بالا و غیرفرار نیاز دارند تأمین می‌کند.

نمونه‌هایی از این محصول جدید از اواسط آوریل امسال در دسترس بوده و تولید انبوه آن هم تا ماه ژوئن آغاز خواهد شد.

در سری بسته‌‌های NAND هوشمند، تکنولوژی NAND Flash 24نانومتري، با یک تراشه‌ی کنترل‌کننده که کد تصحیح خطا (ECC) را پشتیبانی می‌کند، مجتمع‌سازی شده است. در آخرین رده‌بندی پنج نوع از اين تراشه‌ها در ظرفیت‌های 4 تا 64 گیگابایت قرار گرفته‌اند و مخصوصا با هدف برداشتن بار ECC (تصحیح خطا) از روی پردازنده‌ی مرکزی، البته با كمترين تغييرات در پروتكل طراحی شده‌اند. کاربرد NANDهای هوشمند در دستگاه‌های همراه چند رسانه‌ای، رایانه‌های همراه تبلت و سایر محصولات مصرفي دیجیتالی خواهد بود.

این محصول 24 نانومتری جدید در آینده در صف جایگزینی با موارد 32نانومتری قرار خواهد گرفت و پردازش پیشرفته‌ی آن به همراه کنترل‌کننده‌ها و ارتباطات داخلی سریع‌تر، باعث انجام سریع‌تر عملیات خواندن و نوشتن خواهد شد و عملکرد کلی را بهبود خواهد داد. NANDهای هوشمند همچنین گستره‌ی بالایی از سرعت خواندن و نوشتن را بسته به مقصد مورد نظر برای داشتن سرعت بهينه جهت رسيدن به طراحی مناسب پشتیبانی می‌کنند. به علاوه چهار وجه کاری برای خواندن و دو وجه کاری برای نوشتن در دسترس خواهد بود.

این محصول جدید شامل ویژگی‌های جدیدی است که برای کاربردهای با کارایی و ظرفیت بالا مناسب است. در محصولات دیجیتالي، مدیریت خطای بیت برای رسيدن به سطح قابل قبولی از کارایی و ضریب اطمینان، یک مسأله‌ی اساسي است. نصب بخش مديريت خطا با به‌كارگيري ابزارهاي NAND در یک بسته‌ي منفرد، به کاربران محصولات توشیبا اجازه مي‌دهد در كنار استفاده از مزایای ظرفیت بالا، مدیریت خطای خوبی هم داشته باشند.

تقاضا برای تراشه‌های با چگالی زياد که کیفیت بالای تصویر و قدرت ذخیره‌ی بالا را پشتيبانی مي‌كنند، رو به افزایش است؛ به ویژه برای حافظه‌های جاسازی شده با یک تابع کنترل‌کننده که ملزومات توسعه را به حداقل می‌رساند و مجتمع‌سازی را در طراحی سيستم ساده می‌کند. توشیبا با عملكرد خود، خود را به عنوان یک پیشگام در این مقوله‌ی كليدی معرفی کرده است و در حال تقویت قدرت راهبردی خود به وسیله‌ی بهبود بیشتر NANDهای هوشمند است.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>تجاری‌سازی نخستین صفحه‌های LCD کوچک و متوسط جهان با استفاده از نیمه‌رسانای اکسیدی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/957/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.957</id>

    <published>2011-04-24T21:59:56Z</published>
    <updated>2011-04-26T21:26:24Z</updated>

    <summary>تجاری‌سازی نخستین صفحه‌های LCD کوچک و متوسط جهان با استفاده از نیمه‌رسانای اکسیدی شرکت شارپ به تازگی توانسته است صفحه‌های LCD با کارایی بالا و با اندازه‌های کوچک و متوسط را با استفاده از نیمه‌هادی اکسیدی InGaZnO بسازد. تولید انبوه این صفحه نمایشگرها در سال جاری در واحد صنعتی شماره 2 کامی‌یاما آغاز خواهد شد. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، همگام بودن با تقاضای بالا برای صفحه نمایشگرهای با ابعاد کوچک و متوسط مورد استفاده در...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ingazno" label="InGaZnO" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="lcd" label="LCD" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نمایشگر" label="نمایشگر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نیمه‌هادیاکسیدی" label="نیمه‌هادی اکسیدی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شرکتشارپ" label="شرکت شارپ" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[تجاری‌سازی نخستین صفحه‌های LCD کوچک و متوسط جهان با استفاده از نیمه‌رسانای اکسیدی

شرکت شارپ به تازگی توانسته است صفحه‌های LCD با کارایی بالا و با اندازه‌های کوچک و متوسط را با استفاده از نیمه‌هادی اکسیدی InGaZnO بسازد. تولید انبوه این صفحه نمایشگرها در سال جاری در واحد صنعتی شماره 2 کامی‌یاما آغاز خواهد شد.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، همگام بودن با تقاضای بالا برای صفحه نمایشگرهای با ابعاد کوچک و متوسط مورد استفاده در تلفن‌های همراه و تبلت‌ها، همراه با نیاز به افزایش کیفیت نمایش خواهد بود که خود شامل مواردی مانند وضوح بالا و کیفیت بالای تصویر، سبک وزنی، طراحی کم‌حجم و فشرده و راندمان بالای انرژی است.

شرکت شارپ با همکاری شرکت آزمایشگاه انرژی نیمه‌رسانا، ترانزیستوری نازک-غشا را با استفاده از ماده‌ی جدید InGaZnO توسعه داده است (که در نوع خود نخستین مورد در دنیا است) و آن را به شکل تجاری در خواهد آورد. در این ساختار، امکان ساخت صفحه‌های نمایشگر با بازدهی انرژی بالا، با کاهش اندازه‌ی ترانزیستور و افزایش میزان نور عبوری در هر پیکسل، فراهم شده است. به علاوه، فن‌آوری منحصربه‌فرد UV2A شارپ، کیفیت بالای نمایش را در اندازه‌های کوچک و متوسط صفحه نمایش، قابل دستیابی کرده است. برای این محصول با کیفیت بالا که از نظر قیمت هم قابل رقابت در بازار است، از نسل هشتم بسترهای شیشه‌ای استفاده شده است و از خط تولید شماره‌ی 2 کامی‌یاما برای شروع تولید انبوه آن در سال جاری استفاده می‌شود.

واحد صنعتی شماره‌ی 2 کامی‌یاما از آگوست سال 2006، فعالیت خود را آغاز کرده است وصفحه‌های نمایشگر کریستال مایع تلویزیون را می‌ساخته است. از هم‌اکنون، این مجموعه علاوه بر مورد پیشین، ساخت صفحه‌های نمایشگر کوچک و متوسط LCD را آغاز خواهد کرد. شارپ هم تلاش خود را برای پیشرفت جدیدترین فن‌آوری نمایشگرها با استفاده از فن‌آوری تولید منحصربه‌فرد خود ادامه خواهد داد.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت کوچک‌ترین بسته‌های منطقی برای کاربردهای سیار دستی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/954/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.954</id>

    <published>2011-04-23T03:45:00Z</published>
    <updated>2011-04-25T22:06:15Z</updated>

    <summary> شرکت NXP سمای‌کنداکتور ساخت کوچک‌ترین بسته‌ی پلاستیکی منطقی را با ابعاد 0.9 در 1.0 در 0.35 میلی‌متر با گام 0.3 میلی‌متر، معرفی کرده است. طراحی بسته‌بندی‌های فوق فشرده برای تجهیزات سیار دستی پیشرو مانند تلفن‌های همراه، تبلت‌ها و کارت‌هایSD که فضای تراشه و برد را به شکل موثری بهبود می‌بخشد، بسیار ایده‌آل است. بسته‌ی SOT1115 اندازه‌ی بسته را ده درصد برای نسخه‌ی 6 پین در مقایسه با کوچک‌ترین بسته‌ی قبلی (SOT891) که برای تولید آن، NXP از یک میلیارد...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="مدارمنطقی" label="مدار منطقی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="هلند" label="هلند" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بسته‌بندی" label="بسته‌بندی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شرکتnxp" label="شرکت NXP" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:172px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://ics.nxp.com/packaging/micropak/images/internal.jpg" style="float:left; padding:8px; width:170px; height:127px"><br /> 
<br /></p> 

<p><img src="http://ics.nxp.com/packaging/micropak/images/ladybird.jpg" style="float:left; padding:8px; width:170px; height:127px"><br /> 
<br /></p>

</div>


شرکت NXP سمای‌کنداکتور ساخت کوچک‌ترین بسته‌ی پلاستیکی منطقی را با ابعاد 0.9 در 1.0 در  0.35 میلی‌متر با گام 0.3 میلی‌متر، معرفی کرده است.

طراحی بسته‌بندی‌های فوق فشرده برای تجهیزات سیار دستی پیشرو مانند تلفن‌های همراه، تبلت‌ها و کارت‌هایSD  که فضای تراشه و برد را به شکل موثری بهبود می‌بخشد، بسیار ایده‌آل است. بسته‌ی SOT1115 اندازه‌ی بسته را ده درصد برای نسخه‌ی 6 پین در مقایسه با کوچک‌ترین بسته‌ی قبلی (SOT891) که برای تولید آن، NXP از یک میلیارد واحد استفاده کرده است، کاهش داده است. بسته‌ی 8 پین SOT1116 هم که در مقایسه با کوچک‌ترین مورد 8 پین قبلی (SOT833) به اندازه‌ی 60 درصد کاهش اندازه داشته است، تولیدکنندگان را قادر خواهد ساخت تا به شکلی اساسی اندازه‌ی مدار چاپی (PCB) خود را کاهش دهند.

پیر یووس (Pierre-Yuves)، نایب رئیس و مدیر عمومی بخش میکروکنترلر و مدارهای منطقی NXP می‌گوید: «تلفن‌های همراه و کتاب‌خوان‌های الکترونیکی در حال کوچک‌تر شدن و باریک‌تر شدن هستند. هم‌زمان با تلاش تولیدکنندگان برای ترکیب ویژگی‌ها و کارکردهای بیشتر و جاسازی در فضاهای محدودتر، تراشه‌های منطقی، انعطاف‌پذیری بیشتری را در بسته‌بندی‌های کوچک فراهم می‌آورند. مدار منطقی مانند پیوند دهنده‌ای است که همه چیز را به هم مربوط می‌کند. به عنوان بزرگ‌ترین تولیدکننده‌ی بسته‌های پلاستیکی بدون سرب در جهان، ما همگام با جدیدترین نیازها و نیازمندی‌های مشتریان در بازار فعالیت می‌کنیم. آخرین بسته‌‌های مدارهای منطقی بدون سرب ما به شکل چشمگیری اندازه‌ی بسته‌ها را کاهش داده‌اند و امکان طراحی نازک‌تر تلفن‌ها، تبلت‌ها  و سایر تجهیزات قابل حمل را به وجود آورده‌اند.»

NXP بررسی‌هایی را که بر روی راه‌های شکست مکانیکی بسته‌‌های مدار منطقی خیلی کوچک وجود دارد انجام داده و به این نتیجه رسیده است که بسته‌بندی‌های پلاستیکی بدون سرب در اصطلاح مکانیکی، در چسبندگی با PCB بهتر عمل می‌کنند. در مقایسه با بسته‌‌هایی با اندازه‌ و شکل مشابه، بسته‌های بدون سرب NXP، از بسته‌های سرب دار و بدون سرب WCSP عمل‌کرد بهتری خواهند داشت؛ زیرا نیاز به نیروی چهار برابر بیشتر برای بیرون راندن دارند که علّت آن داشتن ارتباط بیشتر با PCB در بسته‌های بدون سرب NXP است که موجب عملکرد مکانیکی بهتری می‌شود.

محصولات جدید NXP، SOT1115 و SOT1116 پس از تولید انبوه با قیمت‌های 16.0 و 0.21 دلار در دسترس خواهند بود.

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://ics.nxp.com/packaging/micropak/">بخش محصولات شرکت</a> NXP مراجعه نمایید.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت الکترودهای پنجره مانند طلایی برای سلول‌های خورشیدی آلی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/948/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.948</id>

    <published>2011-04-18T19:23:29Z</published>
    <updated>2011-04-25T12:16:29Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، پژوهش‌گران دانشگاه وارویک پنجره‌ای طلا اندود را به عنوان الکترود شفاف برای سلول‌های خورشیدی آلی ساخته‌اند. برخلاف چیزی که در نگاه اول ممکن است انتظار داشته باشیم به دلیل اینکه ضخامت طلای مورد استفاده تنها هشت میلیاردم متر است، این الکترودها قابلیت این را دارند که نسبتاً ارزان قیمت باشند. این ضخامت خیلی کم به این معنی است که با قیمت کنونی بالای طلا، هزینه‌ی طلای لازم برای ساخت یک...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="نیمه‌هادیآلی" label="نیمه‌هادی آلی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آلی" label="آلی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکنوری" label="الکترونیک نوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="انگلستان" label="انگلستان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهوارویک" label="دانشگاه وارویک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سلولخورشیدی" label="سلول خورشیدی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:192px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/2011/d1928-18.jpg" style="float:left; padding:8px; width:188px; height:142px"><br /> 
<br /></p> 

</div>


به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، پژوهش‌گران دانشگاه وارویک پنجره‌ای طلا اندود را به عنوان الکترود شفاف برای سلول‌های خورشیدی آلی ساخته‌اند. برخلاف چیزی که در نگاه اول ممکن است انتظار داشته باشیم به دلیل اینکه ضخامت طلای مورد استفاده تنها هشت میلیاردم متر است، این الکترودها قابلیت این را دارند که نسبتاً ارزان قیمت باشند. این ضخامت خیلی کم به این معنی است که با قیمت کنونی بالای طلا، هزینه‌ی طلای لازم برای ساخت یک متر مربع از این الکترود چیزی در حدود چهار و نیم پوند است. به علاوه می‌توان به آسانی آن را از سلول خورشیدی در زمان پایان عمرش بازیابی کرد و از آنجائی‌که پیش از این، طلا به شکل گسترده در شکل‌دهی اتصالات داخلی با قابلیت اطمینان بالا مورد استفاده قرار می‌گرفته است، با صنعت الکترونیک ناآشنا نیست.

در سلول‌های خورشیدی آلی مدت‌های زیادی شیشه‌ی پوشانده شده با ایندیم قلع اکسید (ITO) به عنوان الکترود شفاف مورد استفاده قرار ‌گرفته است؛ البته این مسأله بیشتر به دلیل نبود ماده‌ای برای جایگزینی بوده است. ITO ماده‌ای پیچیده و ناپایدار است که در سطح خود ناهمواری زیادی دارد و در صورتی‌که روی بستر پلاستیکی قرار گیرد، به مجرد خم کردن تمایل به شکنندگی دارد.

یک پوسته‌ی بسیار نازک از یک فلز که در معرض هوا پایدار باشد مانند طلا، جایگزین مناسبی برای ITO خواهد بود؛ امّا امکان قرار دادن یک پوسته‌ی به اندازه‌ی کافی نازک به عنوان پوسته‌ای شفاف و بدون شکنندگی و مقاومت الکتریکی به شکل مفید، تاکنون اثبات نشده است.

اکنون این پژوهش که به وسیله‌ی دکتر روس هَتون (Ross Hatton) و پروفسور تیم جونز (Team Jones) در دانشگاه وارویک سرپرستی می‌شود، روشی سریع را برای آماده‌سازی پوسته‌های بسیار نازک و مستحکم طلا بر روی شیشه ابداع کرده‌اند. مهم‌تر این‌که این روش را می‌توان برای کاربردهای مقیاس بالا مانند سلول‌های خورشیدی هم به کار برد و الکترودهایی که به دست خواهند آمد، از نظر شیمیایی کارایی خوبی خواهند داشت.

دکتر هتون می‌گوید: «این روش جدید در ساخت الکترودهای شفاف بر پایه‌ی طلا قابلیت استفاده برای دسته‌ی گسترده‌ای از کاربردهای با مساحت زیاد را خواهد داشت. به ویژه در کاربردهایی که پایداری، کارایی شیمیایی و الکترودهای بسیار نرم نیاز باشد؛ مانند دستگاه‌های الکترونیکی- نوری آلی و زمینه‌های رو به پیشرفت نانوالکترونیک و نانوفوتونیک.»

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201002021">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;">Ultrathin Transparent Au Electrodes for Organic Photovoltaics Fabricated Using a Mixed Mono-Molecular Nucleation Layer</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>مجتمع‌سازی LEDهای سیلیکون نیتراید بر روی یک تراشه برای شمارنده‌های دیجیتال تک‌بیتی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/945/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.945</id>

    <published>2011-04-16T09:45:11Z</published>
    <updated>2011-04-19T13:50:57Z</updated>

    <summary> شمارنده‌ی تک‌بیتی شامل یک ترانزیستور ماسفت کانال P و دیود نوری GaPN تصویر میکروسکوپ الکترونی که هتروساختار n-Si/p-GaPN/n-GaPN/GaP/Si را نشان می‌دهد دیاگرام مداری شمارنده‌ی تک بیتی، تصویر نوری مدار واقعی، همزمان‌سازی تابش LED با ولتاژهای ورودی و خروجی مدار ادوات نیمه‌هادی بر پایه‌ی سیلیکون بر صنعت میکروالکترونیک حکم‌فرما بوده و برای ساخت مدارهای مجتمع با چگالی بالا شامل حافظه‌ها و تجهیزات پردازشی به کار می‌روند. با این وجود، سیلیکون در نوار انرژی خود دارای یک شکاف غیرمستقیم (indirect band...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="led" label="LED" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="هتروساختار" label="هتروساختار" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکنوری" label="الکترونیک نوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهتویوهاشی" label="دانشگاه تویوهاشی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سیلیکون" label="سیلیکون" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شمارنده" label="شمارنده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:198px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/2011/siliconnitri.gif" style="float:left; padding:8px; width:195px; height:137px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>شمارنده‌ی تک‌بیتی شامل یک ترانزیستور ماسفت کانال P و دیود نوری GaPN</em><br /> 
<br /></p> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/2011/1-siliconnitri.gif" style="float:left; padding:8px; width:195px; height:157px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>تصویر میکروسکوپ الکترونی که هتروساختار n-Si/p-GaPN/n-GaPN/GaP/Si را نشان می‌دهد</em><br /> 
<br /></p> 

<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/2011/2-siliconnitri.gif" style="float:left; padding:8px; width:195px; height:420px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>دیاگرام مداری شمارنده‌ی تک بیتی، تصویر نوری مدار واقعی، همزمان‌سازی تابش LED با ولتاژهای ورودی و خروجی مدار</em><br /> 
<br /></p> 

</div>

ادوات نیمه‌هادی بر پایه‌ی سیلیکون بر صنعت میکروالکترونیک حکم‌فرما بوده و برای ساخت مدارهای مجتمع با چگالی بالا شامل حافظه‌ها و تجهیزات پردازشی به کار می‌روند. با این وجود، سیلیکون در نوار انرژی خود دارای یک شکاف غیرمستقیم (indirect band gap) است که کاربرد آن را در ساخت ادوات فوتونیک مانند LEDها و لیزرها به شدت محدود می‌کند.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، یک راه‌حل ابتکاری برای این مشکل، می‌تواند مجتمع‌سازی ادوات سیلیکونی با LEDهای ساخته شده با ترکیبات نیمه‌هادی با شکاف نواری مستقیم در شکل مدارهای مجتمع نوری-الکترونیکی (OEICها) باشد.

هم‌اکنون آکیهیرو واکاهارا (Akihiro Vakahara) و همکارانش در دانشگاه صنعتی تویوهاشی (Toyohashi Tech)، نخستین تحقق را از یک مدار شمارنده‌ی یک بیتیOEIC، با خروجی نوری نشان داده‌اند که شامل یک ترانزیستور اثر میدانی سیلیکونی است و با LEDهای گالیم فسفاید نیتراید (GaPN) بر روی یک تراشه مجتمع‌سازی شده است.

مدارهای مجتمع یک پارچه با استفاده از یک شبکه‌ی تطبیق شده‌ی هتروساختار Si/GaPN/Si که در یک سیستم دو حفره‌ای از اِپیتَکسی باریکه‌ی ملکولی (MBE) بر روی بسترهای سیلیکونی رشد یافته بود، ساخته شدند (ساختار ایجاد شده با مجموعه‌ای از اتصالات بین دو لایه یا ناحیه که هتروپیوند، heterojunction  نامیده می‌شود، را هتروساختار، <a href="http://en.wikipedia.org/wiki/Heterostructure">heterostructure</a> گویند). به شکل قابل ملاحظه، رشد لایه‌ی پوشش سیلیکونی، در دمای بالاتر از 850 درجه سانتیگراد باعث کاهش چشم‌گیر ولتاژ آستانه تا اندازه‌ی 2.1- ولت و افزایش موبیلیته‌ی کانال ترانزیستور تا اندازه‌ی 82 cm2Vs می‌شود. این بهبود از کاهش میزان مشارکت فسفر در فرآیند رشد لایه‌ی روکش ناشی می‌شود.

مدار این شمارنده‌ی تک بیتی که با استفاده از هتروساختار n-Si/p-GaPN/n-GaPN/GaP/n ساخته شده است، عملکرد متعادلی را از خود نشان داده است که در آن نور قرمز ساطع شده از نمایشگرهای ورودی و خروجی با ولتاژهای منطقی ورودی و خروجی همزمان است.

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://apex.jsap.jp/link?APEX/3/074201/">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

K.Yamane, et al. Operation of Monolithically-Integrated Digital Circuits with Light Emitting Diodes Fabricated in Lattice-Matched Si/III-V-N/Si Heterostructure. Applied Physics Express 3, 074201, (2010)
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت حافظه‌ی RAM همراه DDR2 چهارگیگابیتی که با ولتاژ 1.2 ولت و سرعت 1066 مگابیت بر ثانیه کار می‌کند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/943/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.943</id>

    <published>2011-04-13T13:59:14Z</published>
    <updated>2011-04-14T23:25:41Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا مموری اعلام کرد توانسته است حافظه‌ی DDR2 چهار گیگابیتی، برای کاربردهای سیار را با به‌کارگیری فن‌آوری جدید 30 نانومتری تولید کند. این حافظه‌ی جدید، با ولتاژ تغذیه‌ی پایین (1.2 ولت) دارای نرخ انتقال اطلاعات سریعی برابر با 1066 مگابیت بر ثانیه است و به طور کلی جریان کاری آن 30 درصد کمتر از تولیدات دو گیگابیتی تکنولوژی 40 نانومتری الپیدا است. در میان طراحی‌های پیچیده‌ی مداری و فن‌آوری‌های پیشرفته...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="30نانومتر" label="30 نانومتر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ddr2" label="DDR2" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="dram" label="DRAM" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركتالپيدا" label="شركت الپيدا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا مموری اعلام کرد توانسته است حافظه‌ی DDR2 چهار گیگابیتی، برای کاربردهای سیار را با به‌کارگیری فن‌آوری جدید 30 نانومتری تولید کند. این حافظه‌ی جدید، با ولتاژ تغذیه‌ی پایین (1.2 ولت) دارای نرخ انتقال اطلاعات سریعی برابر با 1066 مگابیت بر ثانیه است و به طور کلی جریان کاری آن 30 درصد کمتر از تولیدات دو گیگابیتی تکنولوژی 40 نانومتری الپیدا است. در میان طراحی‌های پیچیده‌ی مداری و فن‌آوری‌های پیشرفته مربوط به فرآیند تولید، این حافظه دارای کمترین اندازه‌ی تراشه در بین تولیدات چهار گیگابیتی LPDDR2 در جهان است. به علاوه، این مورد یکی از حافظه‌های دوست‌دار محیط زیست است که با مصرف توان کم خود، هدفی مهم برای تجهیزات همراه مانند تلفن‌های هوشمند و رایانه‌های تبلت خواهد بود که باعث می‌شود این دستگاه‌ها مدت زمان بیشتری بتوانند از باتری‌های خود استفاده نمایند.

در حال حاضر بازار رو به گسترش تلفن‌های هوشمند همراه و تبلت‌ها، در حال تلاش برای بهبود و گسترش ویژگی‌های مثبت سیستم‌ها و کارکرد بهتر آن‌ها است. به عنوان یک نتیجه، چگالی مورد نیاز یک حافظه‌ی DRAM در حال افزایش است و نیاز فزاینده‌ای هم برای حافظه‌های با چگالی بالا - هشت گیگابیتی برای تلفن‌های همراه پیشرفته و شانزده گیگابیتی برای آخرین مدل تبلت‌ها- وجود دارد. به شکل هم‌زمان، نیاز شدیدی هم برای بسته‌های حافظه‌ی DRAM سبک‌تر، نازک‌تر و کوچک‌تر وجود دارد و توجه شرکت‌های سازنده به سوی فن‌آوری‌های پیشرفته‌ی بسته‌بندی مانند فن‌آوری بسته روی بسته (PoP) و یا تراشه‌ی چندبسته‌ای (MCP) جلب شده است.

شرکت الپیدا قصد دارد تا نمونه‌هایی از RAMهای DDR2 جدید را به شکل‌های PoP، بسته‌های FBGA و همچنین به شکل بدون روکش برای MCP روانه‌ی بازار کند. دسته‌های PoP و FBGA با فن‌آوری اهرم بندی کامل پشته‌سازی ماتریسی ساخته شده‌اند تا بتوانند فاصله‌ی گسترده‌ی محصولات هشت گیگابیت تا شانزده گیگابیت را پوشش دهند و بر همین اساس توانایی پاسخ‌گویی بسیاری از نیازهای مشتری‌ها را داشته باشند. حافظه‌ی جدید 4 گیگابیتی، با بسته‌ی 0.8 میلی‌متری، نازک‌ترین بسته‌بندی کنونی می‌باشد (حافظه‌ی 8 گیگابیتی شامل دو تراشه‌ی 4 گیگابیتی پشته‌سازی شده خواهد بود) که نیاز به این نوع حافظه را نه تنها با چگالی بالا، که با اندازه‌ی کوچک‌تر نیز برآورده می‌سازد.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>نانوذرات قابلیت چاپ سه بعدی را برای آنتن‌های تلفن‌های همراه فراهم کرده‌اند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/940/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.940</id>

    <published>2011-04-09T07:22:08Z</published>
    <updated>2011-04-30T12:13:58Z</updated>

    <summary> پس از این‌که نانوفن‌آوری راه‌حلی را برای مشکل عمده‌ی تلفن‌های همراه که عبارت بود از شارژ روزانه، پیدا کرد، احتمالاً خواهد توانست برای مشکل قطع شدن مکالمه‌ها هم راه‌حلی بیابد. تلفن‌های همراهی که در آن‌ها باتری‌ها ظرف چند ساعت تخلیه می‌شوند واقعاً آزار دهنده‌اند، امّا قطع شدن تماس‌ها هم که از گیرنده‌های معیوب ناشی می‌شود، به همان اندازه آزاردهنده است. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum، این مشکل به تازگی با توجه به موفقیتی که...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Communications" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوذره" label="نانوذره" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آنتن" label="آنتن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکچاپی" label="الکترونیک چاپی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تلفنهمراه" label="تلفن همراه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهایلینویز" label="دانشگاه ایلینویز" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="طراحیآنتن" label="طراحی آنتن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:244px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://spectrum.ieee.org/image/1815087" style="float:left; padding:8px; width:240px; height:190px"><br /> 
<br /></p> 
</div>


پس از این‌که نانوفن‌آوری راه‌حلی را برای مشکل عمده‌ی تلفن‌های همراه که عبارت بود از شارژ روزانه، پیدا کرد، احتمالاً خواهد توانست برای مشکل قطع شدن مکالمه‌ها هم راه‌حلی بیابد. تلفن‌های همراهی که در آن‌ها باتری‌ها ظرف چند ساعت تخلیه می‌شوند واقعاً آزار دهنده‌اند، امّا قطع شدن تماس‌ها هم که از گیرنده‌های معیوب ناشی می‌شود، به همان اندازه آزاردهنده است.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum، این مشکل به تازگی با توجه به موفقیتی که پژوهشگران دانشگاه ایلینویز در ساخت آنتن سه بعدی برای تلفن‌های همراه به دست آورده‌اند و نتیجه‌ی کار خود را به شکل تجاری هم در آورده‌اند، کم‌رنگ‌تر شده است.

در این تحقیق که در ابتدا در مجله‌ی مواد پیشرفته‌ی Wiley منتشر شده است، پژوهش‌گران با استفاده از روش چاپ جوهر افشان که از نانوذرات نقره استفاده می‌کند و آن را بر روی بخش داخلی یا خارجی یک گنبد کوچک نیم‌کره‌ای می‌پاشد، موفق به انجام این کار شده‌اند.

جنیفر ا. لوئیس (Jennifer A. Lewis)، استاد هلندی علوم و مهندسی مواد و سرپرست آزمایشگاه پژوهشی مواد فردریک سیتز در دانشگاه ایلینویز، می‌گوید: «تا جایی که ما اطلاع داریم، این نخستین باری است که آنتن‌های سه بعدی بر روی سطوح منحنی شکل ایجاد می‌شوند. چاپ همه‌سویه‌ی جوهرهای از جنس نانوذرات فلزی، روش جالبی را برای پاسخ‌گویی به ضریب شکل‌های مورد تقاضای آنتن‌های کوچک الکتریکی (ESAها) سه بعدی فراهم می‌کند.»

عمل‌کرد آنتن‌های تلفن‌های همراه روی‌هم رفته به خوبی کوچک‌سازی کلی انجام شده در اجزای مختلف آن با ویژگی‌هایی چون بهره، راندمان، پهنای باند و گستره‌ی آسیب رسانی، نبوده است.

بر اساس گفته‌ی جنیفر ت. برنهارد (Jennifer T. Bernhard)، استاد دانشکده‌ی برق و کامپیوتر دانشگاه ایلینویز، آنتن‌های سه بعدی ساخت این گروه پژوهشی، از لحاظ معیارهای عملکرد به مراتب بهتر از طراحی‌های منوپل نوعی هستند.

برنهارد در مقاله توضیح می‌دهد: «مشکل حداقل کردن نسبت انرژی ذخیره شده به انرژی ساطع شده (Q) در یک ESA مدت‌هاست که مطرح است. با چاپ مستقیم بر بستر سطح نیمه‌کره، ما یک آنتن تک‌حالتی کاملاً چندمنظوره خواهیم داشت که ضریب Q آن خیلی به مقدار نهایی که با قوانین و محدودیت‌های فیزیکی تعیین شده است (که با نام کران چو، Chu limit شناخته می‌شود)، نزدیک خواهد بود.

پژوهش‌گران ادعا می‌کنند که این طراحی، می‌تواند به سرعت با مشخصات مختلف مانند فرکانس‌های کاری مختلف، اندازه‌ی ابزارها یا طراحی‌های مربوط به محفظه تطابق داده شود.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت سلول‌های خورشیدی با نیمه‌هادی آلی منفرد</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/937/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.937</id>

    <published>2011-04-06T12:00:02Z</published>
    <updated>2011-04-07T08:57:38Z</updated>

    <summary>ساخت سلول‌های خورشیدی آلی با غشای نازک، با توجه به یافته‌های پژوهشی اخیر تا اندازه‌ی زیادی ساده شده است. جایی که سابقاً دو نوع نیمه‌هادی آلی مورد نیاز بود، تزریق فولورینِ (fullerene، ملکول کروی یا استوانه‌ای از ترکیب اتم‌های کربن) نیمه‌هادی همراه با موليبدن اکسید (molybdenum oxide) موجب عدم لزوم استفاده از phthalocyanine (ترکیب کودینانسی تعداد زیادی از عناصر) می‌شود. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، مؤسسه‌ی علوم مولکولی، مؤسسه‌ی ملّی علوم طبیعی ژاپن در تاریخ سوم...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="c60" label="C60" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="فولورین" label="فولورین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نیمه‌هادیآلی" label="نیمه‌هادی آلی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آلی" label="آلی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سلولخورشیدی" label="سلول خورشیدی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[ساخت سلول‌های خورشیدی آلی با غشای نازک، با توجه به یافته‌های پژوهشی اخیر تا اندازه‌ی زیادی ساده شده است. جایی که سابقاً دو نوع نیمه‌هادی آلی مورد نیاز بود، تزریق فولورینِ (fullerene، ملکول کروی یا استوانه‌ای از ترکیب اتم‌های کربن) نیمه‌هادی همراه با موليبدن اکسید (molybdenum oxide) موجب عدم لزوم استفاده از phthalocyanine (ترکیب کودینانسی تعداد زیادی از عناصر) می‌شود.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، مؤسسه‌ی علوم مولکولی، مؤسسه‌ی ملّی علوم طبیعی ژاپن در تاریخ سوم مارس 2011 اعلام کرده است که یک گروه پژوهشی به سرپرستی ماساهیرو هیراماتو (Masahiro Hiramato)، موفق به تبدیل نوع رسانای فولورین از نوع n به نوع p با تزریق ناخالصی مولیبدن اکسید (MoO3) شده است. جزئیات این بررسی در مجله‌ی Applied Physics Letters در 28 فوریه‌ی 2011 به صورت آنلاین منتشر شده است.

با وجود اینکه سلول‌های خورشیدی نازک‌پوسته‌ی آلی به دلیل مزایایشان از جمله سبک بودن، انعطاف بالا و قیمت پایین، تجهیزات مفید و امیدوارکننده‌ای هستند، نوع رسانای نیمه‌هادی‌های آلی هنوز مانند آن‌چه در مورد سیلیکون انجام می‌شود، با تزریق ناخالصی قابل کنترل نیست. دو گونه از نیمه‌رساناهای آلی، فولورین نوع n (C60) و phthalocyanine نوع p (Pc)، برای شکل‌دهی میدان‌های ایجاد شده‌ی داخلی در سلول‌های خورشیدی مورد نیاز هستند.

پژوهشگران خاطر نشان کرده‌اند که MoO3 برای افزایش حفره‌ها در مواد شب‌تاب الکترونیکی آلی به کار می‌روند. آن‌ها موفق شده‌اند که نوع رسانشی C60 را به کمک بخار کردن MoO3 و C60، از نوع n به نوع p تغییر دهند. مقدار انرژی تراز فِرمی 4.60 الکترون-ولت برای پوسته‌های بدون ناخالصی C60 که با روش خازن لرزشی کلوین اندازه‌گیری شده است، با استفاده از ناخالصی بخار شده‌ی MoO3 در غلظت 300 ppm و رسیدن به نوار والانس قرارداده‌شده در 6.4 الکترون-ولت، به طور مثبت تا اندازه‌ی 5.88 الکترون-ولت بالا می‌رود. نوار انرژی خمشی بالایی در اتصال شاتکی ایجاد شده در سطح مشترک بین فلز (نقره، Ag) و پوسته‌ی C60 نوع p که با تزریق MoO3 شکل یافته است، بر اساس مشخصات فوتوولتائیکی تثبیت می‌شود. سلول‌های خورشیدی آلی می‌توانند تنها با استفاده از یک ماده‌ی منفرد، مانند فولورین C60 ساخته شوند.

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3556312">اصل مقاله</a> رجوع کنید:

<div style="text-align: left;">Masayuki Kubo, et al. "Conduction-type control of fullerene films from n- to p-type by molybdenum oxide doping", Applied Physics Letters Vol.98, No. 7, p. 073311 2011</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساعت اتمی در مقیاس تراشه</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/935/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.935</id>

    <published>2011-04-04T15:41:16Z</published>
    <updated>2011-04-04T21:33:21Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum، استاندارد تنظیم ساعت‌ها در ایالات متحده یک ساعت اتمی سزیم در بولدر کولورادو است که در هر روز کمتر از یک نانوثانیه عقب می افتد. این ساعت به اندازه یک اتومبیل کوچک بوده و حدود یک کیلووات توان مصرفی دارد. ساعت‌های اتمی با دقت پایین‌تر که در مقاصد تجاری کاربرد دارند، که زمان را با ارتعاش اتم‌ها معین می‌کنند، معمولا به اندازه یک چمدان معمولی هستند، با این وجود...</summary>
    <author>
        <name>سید شهاب غدیری</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="gps" label="GPS" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="mems" label="MEMS" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="موسسه‌یسیمتریکام" label="موسسه‌ی سیمتریکام" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه" label="تراشه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ساعتاتمی" label="ساعت اتمی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سزیم" label="سزیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:210px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://spectrum.ieee.org/image/1811726" style="float:left; padding:8px; width:206px; height:127px"><br /> 
<br /></p> 
</div>


به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum، استاندارد تنظیم ساعت‌ها در ایالات متحده یک ساعت اتمی سزیم در بولدر کولورادو است که در هر روز کمتر از یک نانوثانیه عقب می افتد. این ساعت به اندازه یک اتومبیل کوچک بوده و حدود یک کیلووات توان مصرفی دارد. ساعت‌های اتمی با دقت پایین‌تر که در مقاصد تجاری کاربرد دارند، که زمان را با ارتعاش اتم‌ها معین می‌کنند، معمولا به اندازه یک چمدان معمولی هستند، با این وجود همچون ساعت پیشین غیرقابل حمل هستند. اما امروزه، برای نخستین بار، ساعتهای با دقت اتمی در اندازه‌های کوچک و با مصرف توان مناسب در وسایل باتری‌خور به اندازه‌ی تقریبی کوله‌پشتی در دسترس هستند، شاید روزی یک ساعت اتمی را بتوان در تلفن‌های هوشمند به‌کار برد.

اوایل امسال، موسسه‌ی سیمتریکام (Symmetricom)، در سان جوز کالیفرنیا، اولین ساعت اتمی تجاری در مقایس تراشه را به نام SA.45s معرفی کرد. اندازه‌ی این ساعت 4 در 3/5 در 1/1 سانتیمتر، وزن آن 35 گرم، و مصرف آن نیز مقدار ناچیز 115 میلی‌وات است. دقت این ساعت کوچک کمتر از نصف میکروثانیه در هر روز است. 

به گفته استیو فاسی (Steve Fossi)، مدیر توسعه‌ی تجارت نوین سیمتریکام، تمامی ابزار و قطعات یک ساعت اتمی در مقیاس کامل در نسخه‌ی با مقیاس تراشه جاداده شده‌اند. سلولی رزونانسی شامل سزیم 133 و یک میانگیر (buffer) گازی تا زمانی که بخاری از سزیم با چگالی مناسب در سراسر سلول پخش گردد گرم می‌شود. این بخار با استفاده از نور ناشی از لیزر نیمه رسانایی، روشن می‌شود که در فرکانسی تقریبا برابر 9/192 گیگاهرتز که برابر با فرکانس طبیعی نوسان اتم‌های سزیم است، مدوله می‌گردد. هنگامی که پرتو تابیده شده اتم‌ها را به حالتی از نوسان می رساند، این اتم‌ها بخش اندکی از نور را جذب کرده و به این ترتیب فتون‌های عبور یافته از سلول را می‌توان به منظور تعیین اینکه آیا فرکانس مدولاسیون پرتوهای لیزر با فرکانس رزونانس اتم‌ها انطباق دارند یا خیر به‌کار برد. سپس یک سروموتور می تواند فرکانس مدولاسیون لیزر را در رزونانس اتمی قفل نماید و موجب ثابت ماندن خروجی ساعت شود. 

به گفته‌ی فاسی، قراردادن همه اینا در یک تراشه کار بزرگی نبود، برای مثال سلول رزونانسی، که اتم های سزیم تا زمان بخار شدن حرارت می‌بینند بایستی بسیار کوچک باشد. «تیم طراحی ما می بایستی از حذف یک محصول MEMS (سیستم های میکروالکترومکانیکی) مهندسی شده تا دست یافتن به سلول فعلی با حجم 2 میلیمتر مکعب پیشرفت نماید.»

به گفته‌ی جان کیچینگ (John Kitching)، موسس گروه ابزارها و تجهیزات اتمی در موسسه‌ی استاندارد و فن‌آوری ملی ایالات متحده، NIST، میکروماشین‌کاریِ MEMS در عناصر اصلی ساعت تفاوت عظیمی در کارایی آن ایجاد نموده است. «تا هفت یا هشت سال پیش، تولید کنندگان همچنان از تکنیکهای شیشه‌گری به منظور شکل دادن به محدوده های بدون درز در سزیم استفاده می کردند.» کیچینگ که گروه NIST وی از سال 2001 تا 2006 پیش‌گام کوچک سازی ساعت های اتمی و اولین گروهی بود که یک ساعت اتمی بر مبنای عناصر تولید شده در ابعاد میکرو را به نمایش گذارد اینگونه ادامه می‌دهد: «این بدان معنا بود که ساخت سلول‌های بسیار کوچکتر از یک سانتیمتر مکعب بسیار مشکل بود. کوچک کردن سلولها تا اندازه‌ی یک یا دو میلیمتر مکعب بصورت قابل توجهی میزان حرارت مورد نیاز برای رسیدن ساعت به دمای کاری آن را کاهش داد، که این امر، به این ابزار در دستیابی به مشخصه‌های توانی فعلی‌اش کمک شایانی نمود.» کیچینگ در توسعه‌ی ابزار سیمتریکام شرکتی نداشت.

به تعبیر کیچینگ، تغییر به نوع جدیدی از لیزر انتشار سطحی کاواک عمودی (vertical-cavity surface-emitting) به منظور گرم کردن سلول رزونانس به همان اندازه قدم مهمی محسوب می شود. به گفته‌ی وی پیش از این ساعت‌های اتمی نوعاً از لامپ‌های تخلیه‌ی بار استفاده می‌کردند که به توان زیادی نیاز داشت. سال‌ها زمان برد تا طول موج لیزر به اندازه‌ی کافی ثابت گردد تا بتواند فرکانس ساعت را در رنج 10 x 10^(-10) هرتز و در دمای کاری 10- تا 70 درجه سانتی گراد نگه دارد.

کاربردهای متعددی وجود دارند که در آنها ساعت اتمی در مقیاس تراشه، مناسب است، اما این ساعت اولین بار در گیرنده‌های GPS مورد استفاده قرار گرفت. به گفته فاسی امروزه یک ابزار GPS باید قادر به دیدن چهار ماهواره باشد تا بتواند موقعیت خود را تعیین کند. افزودن ساعت اتمی این امکان را به گیرنده می‌دهد که تنها با سه ماهواره این کار را انجام دهد، «و اگر ارتفاع برایتان مهم نباشد، می توانید تنها با دو ماهواره نیز اینکار را انجام دهید. لذا این وسیله در مناطق شهری بسیار مفید خواهد بود، پیشرفت در کارایی یک واحد GPS برحسب مدت زمان ثابت شدن روی ماهواره‌ها تعیین می گردد.»

بنابر اظهارات فاسی، ارتش ایالات متحده اکنون علاقه‌مند به استفاده از این ساعت است، و به منظور استفاده در GPS وسایل نقلیه و هواپیماها نیز در حال آماده سازی است. سیمتریکام هم اکنون در حال کار با پیمانکاران ارتش که فاسی از ذکر نام آنها خودداری نمود و نیز در نسخه های قابل حمل در کوله‌پشتی‌ها است. هدف نهایی ساخت ابزار دستی GPS با دقت ساعت اتمی است. 

یکی از کاربردهای بالقوه‌ی مهم این وسیله در کاوش‌های نفت و گازهای زیر دریا است. هنگام کاوش در زیر اقیانوس‌ها، شرکت‌های گاز شبکه‌ای از سنسورهای حرکتی و صوتی را بر روی کف اقیانوس آرایش می‌دهند. قایقی روی سطح آب پالس‌های صوتی را از سطح آب به سمت زمین زیر آن می‌فرستد. پالس منعکس شده نشان‌دهنده‌ی لایه‌های مختلف رسوب و سنگ است، سنسورها زمان موج‌های بازتابی را با استفاده از یک ساعت بسیار دقیق ثبت می‌کنند. دادهای پردازش شده مهندسین را قادر به ساخت تصویری از لایه‌های ترکیبی در کف اقیانوس می‌سازد. میزان کیفیت تصویر وابسته به دقت ثبت در حوزه‌ی زمان است. به گفته فاسی ساعت اتمی تراشه-مقیاس سیمتریکام میزان دقت را 10 تا 30 برابر افزایش داده و تنها 20 درصد از توان مصرفی مورد استفاده در استیلاتور کریستالی استفاده شده در این کاربرد را مصرف می کند. 

به گفته‌ی فاسی مدتی طول خواهد کشید که این تراشه‌ها در حوزه‌ی الکترونیک مصرفی حضور یابند. در ایالات متحده این تراشه‌ها با قیمت 1500 دلار، بسیار گرانتر از ابزارهای رایج مورد استفاده هستند و نیز برای قرار گرفتن در یک تلفن هوشمند، هم بسیار بزرگ هستند و هم توان مصرفی بالایی دارند. به گفته‌ی وی «اگر به آینده بنگرید، می‌توانید تصور کنید که این امر چگونه رخ خواهد داد، اما برای تحقق این منظور کار مهندسی فراوانی لازم است که باید انجام دهیم.»
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>محققین دانشگاه هاروارد از طریق نانوسیم ها منطق برنامه پذیر می سازند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/933/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.933</id>

    <published>2011-03-29T23:50:42Z</published>
    <updated>2011-03-30T22:44:47Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum، نانوسیم‌هایی که به شکل &quot;آجرهای منطقی&quot; درآمده‌اند می توانند مبنایی برای نانوپردازنده‌های کم‌توان قرار گیرند. به گفته‌ی پژوهش‌گران دانشگاه هاروارد ترانزیستورهای ساخته شده از نانوسیم‌های سیلیکون‌دار، ژرمانیوم - که از ترانزیستورهای قدیمی بسیار کوچک‌تر هستند - برای اولین بار در واحدهای منطقی برنامه پذیر قرار داده شدند. چنین واحدهایی، که روی یک‌دیگر بصورت لایه لایه خوابانده شده اند، می تواند مبنایی در پردازنده های کوچک گردد که توانایی کنترل...</summary>
    <author>
        <name>سید شهاب غدیری</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="cmos" label="CMOS" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="fet" label="FET" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="منطقبرنامه‌پذیر" label="منطق برنامه‌پذیر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوپردازنده" label="نانوپردازنده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوسیم" label="نانوسیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="پردازنده" label="پردازنده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آجرمنطقی" label="آجر منطقی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاههاروارد" label="دانشگاه هاروارد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:200px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://spectrum.ieee.org/image/1786895" style="float:left; padding:8px; width:196px; height:137px"><br /> 
<br /></p> 
</div>

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum، نانوسیم‌هایی که به شکل "<em>آجرهای منطقی</em>" درآمده‌اند می توانند مبنایی برای نانوپردازنده‌های کم‌توان قرار گیرند.

به گفته‌ی پژوهش‌گران دانشگاه هاروارد ترانزیستورهای ساخته شده از نانوسیم‌های سیلیکون‌دار، ژرمانیوم - که از ترانزیستورهای قدیمی بسیار کوچک‌تر هستند - برای اولین بار در واحدهای منطقی برنامه پذیر قرار داده شدند. چنین واحدهایی، که روی یک‌دیگر بصورت لایه لایه خوابانده شده اند، می تواند مبنایی در پردازنده های کوچک گردد که توانایی کنترل میکروروبوت و یا راه اندازی مانیتورهای قابل کاشت پزشکی را خواهند داشت.

پروفسور چارلز لیبر (Charles Lieber) و همکاران وی، در سال 2006 ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) از جنس نانوسیم‌های سیلیکون/ژرمانیوم را نمایش دادند؛ طول آن‌ها تنها 18 نانومتر بود و از سیلیکون FETهای معمولی نیز بیشتر کارایی داشت. ولی ساخت بادوام و سازگار آن‌ها کاری مشکل بود. لیبر می‌گوید: «پژوهش‌گرانی همچون من بسیار علاقه دارند تا درباره مزایای این سیلیکون ها سخن بگویند اما آن‌ها به اندازه کافی قابل تکثیر نبوده‌اند تا بتوانند به صورت مدارهای بزرگتر جمع شوند.»

اما گروه لیبر در گزارش این هفته‌ی مجله‌ی نیچر بیان داشتند که قادر به ساخت آرایه‌ای برنامه‌پذیر از نانوسیم‌ها شده‌اند که می‌تواند تا هشت گیت متمایز منطقی داشته باشد. آن‌ها چنین آرایه‌ای را "<em>آجر منطقی</em> (logic tile)" نامیدند، با این فرض که آجرهای چندگانه به منظور انجام عملیات منطقی پیچیده‌تر، می‌توانند به یکدیگر متصل شوند و ساختار بزرگ‌تری ایجاد نمایند.

نانوسیم‌ها از هسته‌ای به پهنای 10 نانومتر از جنس ژرمانیوم تشکیل شده‌اند که با یک پوسته‌ی سیلیکونی به ضخامت 2 نانومتر پوشیده شده‌اند. ابداع اولیه به منظور پوشاندن این سیم‌ها با یک روکش سه‌لایه‌ای از: عایق آلومینیوم اکسید به عنوان اولین لایه سپس زیرکونیوم اکسید و در آخر لایه‌ی دیگری از آلومینیوم اکسید، صورت گرفت. این ماده‌ی سه‌لایه، سیم‌ها را قادر می سازد تا حامل‌های بار را سد کرده، و موجب شود آن‌ها همچون یک حافظه‌ی غیرفرار قادر به فعالیت نماید، و حتی هنگامی که هیچ جریانی برقرار نیست، سبب نگهداشتن یک وضعیت مثبت یا منفی گردد. نانوسیم‌ها به موازات یکدیگر با یک سورس و درین در دو انتها آرایش داده شده‌اند. یک سری از الکترودهای گیت فلزی بطور عمود از سیم ها عبور می‌کند. هر نانوسیم شامل ترانزیستورهای چندگانه است، چرا که هر محل برخورد بین نانوسیم و گیت فلزی یک ترانزیستور را مشخص می‌سازد.

این طراحی امکان ایجاد ترانزیستورهای بیشتری در یک سطح مشخص، در مقایسه با آنچه ترانزیستورهای متداول نیمه‌هادی اکسید فلزی تکمیلی (CMOS) به آن خواهند رسید، فراهم می‌کند. به گفته لیبر در صورتی که ترانزیستورهای CMOS طبق آنچه بسیاری از محققین پیش‌بینی می‌کنند به پهنای 16 نانومتری برسند، هم‌چنان هشت برابر یک ترانزیستور نانوسیمی فضا اشغال می‌کنند. اما وی هم‌چنان عنوان نمی‌کند که فن‌آوری وی بتواند جایگزین CMOS گردد. او می گوید: «ما می توانیم روی چگالی‌های بسیار بالا تمرکز کنیم اما دست‌یابی به سرعت بسیار بالا رویایی است.» لیبر پیش‌بینی می‌کند که ترانزیستورهای وی بتوانند در سرعتی بین 10 تا 100 مگاهرتز فعالیت کنند و این در حالی است که سرعت CMOS روی گیگاهرتز می باشد. از سوی دیگر ترانزیستورهای وی توان بسیار کمتری نیاز دارند. در حالی که CMOSهای آتی قرار است 10 تا 100 نانووات در هر عنصر ترانزیستوری استفاده کنند، بنا به پیش بینی لیبر، ادوات وی نیازمند تنها 1 نانووات در هر عنصر خواهد بود. این امر، این ترانزیستورها را در کاربردهایی که وسیله‌ی مورد استفاده کوچک بوده و نیازمند مصرف کم است و جایی که پردازش سریع لازم نیست، به ابزاری ایده‌آل تبدیل می‌کند. برای مثال، آجرهای منطقی ممکن است کنترل کننده‌ای را برای وسیله‌ی میکروالکترومکانیکی ایجاد کنند، لذا این وسیله دیگر لازم نیست که به یک پردازنده‌ی بزرگ‌تر خارجی متصل شود. این واحدها هم‌چنین می توانند برخی از دسته‌های حسگرهای زیستی (biosensor) را به‌کار بیاندازند تا بتوانند مانیتورینگ دایم از وضعیت پزشکی یک فرد را مهیا کنند.

به گفته‌ی ژانگ لین وانگ، مدیر مرکز شناسایی نانوسازه در موسسه‌ی جئورجیاتک، مفهوم استفاده از آرایه‌های ساده از ترانزیستورها و جمع کردن آنها به شکل یک پردازنده‌ی پیچیده‌تر (روش پایین به بالا) یکی از بزرگ‌ترین ابداعات نانوفن‌آوری می باشد. به گفته‌ی وانگ، آجر نانوپردازنده‌ی گروه پژوهشی لیبر «نمایانگر حرکتی روبه جلو در پیچیدگی و کارایی مدارهای ساخته شده از روش پایین به بالا بوده و لذا نشان دهنده‌ی این است که الگوی پایین به بالا، که از روش تجاری مدارهای امروزی کاملاً متمایز است، می‌تواند در نانوپردازنده‌ها و سایر سیستم های مجتمع آینده به‌کار گرفته شود.»

به گفته ی لیبر، چالش بعدی دست یافتن به کنترل بهتر در تطبیق نانوسیم‌ها روی تراشه‌ها در محل‌هایی که در آن قرار می گیرند به همراه کاهش تغییرات ولتاژ روشن- خاموش در سیم‌های مجزا خواهد بود. اگر محققین بتوانند آجرهای منطقی هم‌شکل‌تری بسازند، می‌توانند تعدادی از آن‌ها را به یک‌دیگر متصل نمایند، کاری که لیبر پیش بینی می‌کند طی یک یا دو سال آینده آن را انجام خواهد داد. او امیدوار است که موفقیت‌هایی که تیم وی گزارش داده‌اند، موجب جلب سرمایه گذاری‌های بیشتری در این فن‌آوری گردد و به پیشرفت پروژه کمک نماید. او می‌گوید: «ما در نهایت پیشرفت‌های چشمگیری در پردازنده‌هایی در اندازه‌ی نانو که با روش پایین به بالا مجتمع می‌شود کسب خواهیم کرد.»
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>محققین موفق به ساخت لیتوگرافی تک اتمی در گرافین شدند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/932/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.932</id>

    <published>2011-03-27T23:02:45Z</published>
    <updated>2011-03-27T23:41:27Z</updated>

    <summary>مقدار اندکی روی می تواند آسیب فراوانی به گرافین وارد آورد. محققین دانشگاه رایس، از این مزیت برای ایجاد لیتوگرافی لایه‌ی تک اتمی استفاده نموده اند. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از آزمایشگاه شیمی جیمز تور، که در این هفته از ژورنال ساینس منتشر گردید، روی پاشیده شده بر گرافین چند لایه این امکان را برای این تیم آزمایشگاهی فراهم نمود که یک لایه منفرد را بدون از بین بردن لایه‌های زیرین جدا نمایند. این کشف جدید همچنین...</summary>
    <author>
        <name>سید شهاب غدیری</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="لیتوگرافی" label="لیتوگرافی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گرافین" label="گرافین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الگودهی" label="الگودهی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهرایس" label="دانشگاه رایس" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="روی" label="روی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[مقدار اندکی روی می تواند آسیب فراوانی به گرافین وارد آورد. محققین دانشگاه رایس، از این مزیت برای ایجاد لیتوگرافی لایه‌ی تک اتمی استفاده نموده اند. 

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از آزمایشگاه شیمی جیمز تور، که در این هفته از ژورنال ساینس منتشر گردید، روی پاشیده شده بر گرافین چند لایه این امکان را برای این تیم آزمایشگاهی فراهم نمود که یک لایه منفرد را بدون از بین بردن لایه‌های زیرین جدا نمایند. 

این کشف جدید همچنین می تواند برای پژوهش‌گرانی که در حال بررسی ویژگی‌های الکتریکی گرافین در نسل‌های جدید میکرومدارها و سایر ادوات بر پایه‌ی گرافین هستند مفید باشد.کشف گرافین، شکل ضخیم تک اتمی از کربن، موجب برنده شدن آخرین جایزه‌ی نوبل فیزیک برای کاشفان آن گردید.

به منظور ساخت یک الگوی سه بعدی، محققین با حذف لایه های افقی و عمودی صفحه‌ای شطرنجی از جنس گرافین ساختند.

آنها همچنین یک جغد در اندازه میکرو چاپ کردند، نماد خوش شانسی دانشگاه رایس، که اندازه‌ی آن حدودا 15 میلیونیوم متر بود. به گفته‌ی تور(Tour) پژوهش‌گر دانشگاه رایس: «جدا کردن یک لایه منفرد از گرافین یا گرافین اکسید، شگفت انگیز بود. ما فکر می کردیم که با استفاده از این پروتکل چندین لایه جدا خواهد شد، اما دیدن این‌که لایه های منفرد جدا می‌شوند یکی از شگفت‌انگیزترین  رویدادها در جهان علم بود که طبیعت بیش از آنچه انتظارش را داشتیم به ما کمک نمود.» 
تور بیان کرد که قابلیت جداسازی لایه های منفرد گرافین در یک حالت کنترل شده «نیازمند دقیق ترین ابزار طرح‌یابی ممکن در حال یا آینده خواهد بود، به‌طوری بتوان به دقت تک-اتمی در بعد عمودی دست یافت. این مسئله برای همیشه حدی در الگوی در طرح‌یابی عمودی خواهد بود؛ ما به حد پایین این مقیاس دست یافته‌ایم.»
آیرات دیمیو (Ayrat Dimiev)، دانشمند فوق دکترای آزمایشگاه تور، این تکنیک را کفش کرد و این سوال را مطرح کرد که چرا گرافین تا این حد متمایل به الگویابی است. او روی را بر گرافین اکسید و سایر مواد گوناگون ساخته شده از طریق تبدیلات شیمیایی، رسوب‌سازی شیمیایی با بخار و روش میکرومکانیک (روش " Scotch-tape") پاشید. شستشوی گرافین در هیدروکلوریک اسید رقیق شده، سبب جدا شدن گرافین در تمامی قسمت‌هایی شد که روی به آن برخورد نمود و لایه های زیرین را دست نخورده باقی گذارد. سپس گرافین با آب شستشو داده شد و در بخار نیتروژن خشک گردید.
در مورد جغد، دیمیو یک الگو را در PMMA با پرتو الکترون برش زد و آنرا روی گرافین اکسید قرار داد. وی با پاشیدن روی بر سطح الگو زده‌شده و پوشاندن آن و سپس شستشوی روی موجود بر سطح با استفاده از هیدروکلریک اسید رقیق شده، جغد را بر روی سطح جاسازی نمود.
گرافین پوشیده شده با آلومینیوم نیز همین اثر را از خود نشان داد. اما زمانی که دیمیو روی را با استفاده از فرایند تبخیر به‌کار بست، گرافین دست نخورده باقی ماند.
بررسی انجام شده بر سطح پاشیده شده پیش از شستشو با اسید نشان داد که فلزات بروز دهنده نواقص در گرافین، پیوندهای شش ضلعی مشابه سیم‌بندی قفسی (chicken wire) خود را با لایه‌ی محاط خویش مانند یک برش دهنده می شکند. روی پاشیده شده، آلومینیوم، طلا و مس، همگی اثرات مشابهی را از خود نشان دادند، هرچند که روی، بهترین فلز در نمایاندن، الگویابی مطلوب بود.
پژوهش‌گران موفق به ایجاد یک خط 100 نانومتری در یک لایه از گرافین شدند که این امر حاکی از آن است که میزان دقت روش الگودهی فلز تنها حد افقی دقت در این پروسه، می باشد.
تور بیان کرد: «گام بعدی، کنترل الگودهی افقی با دقت مشابه آنچه در بعد عمودی انجام داده‌ایم خواهد بود، سپس دیگر جا برای هیچ بُعدی باقی نخواهد ماند، مگر اینکه دست کم اتم های منفرد را نقطه‌ی پایان خود، برای مقاصد عملی در نظر بگیریم.»

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://www.sciencemag.org/content/331/6021/1146.short">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>پیشرفتی در تولید ادوات نیمه‌هادی با به‌کارگیری نور</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/929/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.929</id>

    <published>2011-03-26T16:04:34Z</published>
    <updated>2011-03-26T16:28:55Z</updated>

    <summary> تصویر میکروسکوپ نوری از شبکه‌ی شش ضلعی تمام اتصال یافته از میکروسیم‌های ایجاد شده با نانوذرات خودمونتاژ روی الگوی فرآیند تولید ادوات نیمه‌هادی موادی که جریان الکتریسیته را هدایت می‌کنند و نیز برای ایجاد نور مناسب بوده و شفاف هستند، برای نمایش‌گرهای الکترونیکی، دوربین‌ها و سلول‌های خورشیدی اهمیت دارند. ماده‌ی استاندارد صنعت برای این کاربردها ایندیوم تین اکسید (ITO) است، اما قیمت متغیر و محدودیت تأمین ایندیوم دانشمندان را وادار به جستجوی مواد جایگزین کرده است. به گزارش خبرگزاری...</summary>
    <author>
        <name>میثم حسنی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="لیتوگرافی" label="لیتوگرافی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="لیتوگرافینوری" label="لیتوگرافی نوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="موسسه‌یastar" label="موسسه‌ی A-STAR" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوذره" label="نانوذره" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="خودمونتاژ" label="خودمونتاژ" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سنگاپور" label="سنگاپور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شبکه‌یحلقه‌ای" label="شبکه‌ی حلقه‌ای" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:194px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/794.jpg" style="float:left; padding:8px; width:190px; height:138px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>تصویر میکروسکوپ نوری از شبکه‌ی شش ضلعی تمام اتصال یافته از میکروسیم‌های ایجاد شده با نانوذرات خودمونتاژ روی الگوی فرآیند تولید ادوات نیمه‌هادی</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>


موادی که جریان الکتریسیته را هدایت می‌کنند و نیز برای ایجاد نور مناسب بوده و شفاف هستند، برای نمایش‌گرهای الکترونیکی، دوربین‌ها و سلول‌های خورشیدی اهمیت دارند. ماده‌ی استاندارد صنعت برای این کاربردها ایندیوم تین اکسید (ITO) است، اما قیمت متغیر و محدودیت تأمین ایندیوم دانشمندان را وادار به جستجوی مواد جایگزین کرده است. 

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، یک راه امیدبخش ایجاد شبکه‌های حلقه‌ای شکل از سیم‌های فلزی فوق‌نازک رسانا است که نور می‌تواند از آن‌ها عبور کند. ایوان واکارِلسکی (Ivan Vakarelski) در بخش علوم و مهندسی شیمی موسسه‌ی A*STAR و نیز زیاسانگ تانگ (Xiaosong Tang) و سین اُشیا (Sean O'Shea) از بخش تحقیق و مهندسی مواد موسسه‌ی A*STAR هم‌اکنون پروسه‌ی ایجاد این حلقه‌های ریز را که امکان تولید مقیاس بالا را دارند، تصحیح کرده‌اند.

راز تولید چنین میکروساختارهای پیچیده‌ای به‌کار بردن نانوذرات فلزی برای مونتاژ خودشان با استفاده از یک سوسپانسیون مایع است. این امر نیازمند یک الگوی از پیش تعیین شده برای هدایت خود مونتاژی است (به همان راهی که دانه‌های قهوه به شکل حلقه‌ای در ته فنجان با مایع تبخیر شده شکل می‌یابند).

چند سال پیش واکارلسکی و هم‌کارانش امکان به‌کارگیری میکروذرات لاتکس را به عنوان الگویی برای استفاده‌ی حلقه‌ای در محلولی شامل نانوذرات طلا،  اثبات کرده بودند. اُشیا می‌گوید: « مشابه مایع حلال تبخیر شده، یک مایع شبکه‌ای‌ واسط که در اطراف لاتکس ایجاد می‌شود، از پشت شبکه‌ای از میکروسیم‌های شکل داده شده با خود مونتاژی ذرات طلا، خارج می‌شوند. این یک روش ساده برای مقاصد پژوهشی است، اما در مقیاس تولید انبوه کنترل آن مشکل است.»

برای مهار کردن این مشکل، پژوهش‌گران به روشی از لیتوگرافی نوری روی آورده‌اند، که شامل به‌کارگیری پرتو فرابنفش برای ایجاد الگو در پوسته‌ی مربوط به فرآیند تولید ادوات نیمه‌هادی است. سپس بخش‌های ظاهرشده و سخت‌شده در این فرآیند مانند الگوی دقیقی برای خود مونتاژی نانوذرات طلا رفتار می‌کند. واکارلسکی در این رابطه می‌گوید: «اگرچه، تولید کره‌هایی که الگوی ذرات لاتکس را تکرار می‌کنند با استفاده از لیتوگرافی نوری دشوار است. ما ساختارهای پیشنهادی گوناگونی را امتحان کرده‌ایم و دریافته‌ایم تنها ساختارهای گوسی به خوبی کار می‌کند.»

با استفاده از لیتوگرافی نوری برای تولید الگویی از ساختارهای قوسی شکل و راه حل‌های مشابه برای نانوذرات طلا، پژوهش‌گران حلقه‌هایی از میکروسیم‌های کیفیت-بالا (مطابق شکل) تهیه کرده‌اند که هدایت و شفافیت قابل مقایسه باماده‌ی درجه-بالای ITO دارد. اشیا می‌گوید: «مزیت اضافه‌ی ساختار گوسی این است که، بر خلاف میکروذرات لاتکس، ما در مضیقه‌ی توپولوژی شبکه‌ی شش ضلعی نیستیم.» در واقع، این پژوهش‌گران به شکل موفقیت‌آمیزی شبکه‌های مستطیلی، شش‌ضلعی و مثلثی را تولید کرده‌اند. واکارلسکی می‌گوید: «با استفاده از این روش ما در نظر داریم شبکه‌های وابسته را با به‌کارگیری انواع دیگری از ذرات، شامل ذرات نیمه‌هادی، ذرات مغناطیسی، نانولوله‌های کربن، DNAها و پروتئین‌ها بررسی کنیم.»

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201002644">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;">Tang, X., et al, I. U. "Photoresist templates for wafer-scale defect-free evaporative lithography." Advanced Materials 22, 5150-5153 (2010)
</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>پردازنده‌ی پلاستیکی، تراشه‌ای قابل انعطاف</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/925/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.925</id>

    <published>2011-03-16T00:37:15Z</published>
    <updated>2011-03-17T06:48:08Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum، در کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد در سان‌فرانسیسکو در فوریه‌ی 2011، پژوهش‌گران اروپایی اولین ریزپردازنده‌ی ساخته شده با نیمه‌هادی‌های زیستی (organic semiconductors) را معرفی کردند. این پردازنده با 4000 ترانزیستور، مداری با منطق 8 بیتی دارای قدرت پردازشی تنها معادل مدل‌های سیلیکونی دهه‌ی 1970 است، ولی یک مزیت کلیدی دارد: این‌که می‌تواند خم شود. طراحان تجهیزات الکترونیکی می‌گویند این تراشه می‌تواند آغازگر راهی به سوی نمایش‌گرها و سنسورهای انعطاف‌پذیر...</summary>
    <author>
        <name>میثم حسنی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="imec" label="IMEC" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="لیتوگرافی" label="لیتوگرافی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مدارزیستی" label="مدار زیستی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="پردازنده" label="پردازنده" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکچاپی" label="الکترونیک چاپی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="الکترونیکانعطافپذیر" label="الکترونیک انعطاف پذیر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بلژیک" label="بلژیک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ترانزیستورزیستی" label="ترانزیستور زیستی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه‌یزیستی" label="تراشه‌ی زیستی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سیلیکون" label="سیلیکون" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum، در کنفرانس بین المللی مدارهای حالت جامد در سان‌فرانسیسکو در فوریه‌ی 2011، پژوهش‌گران اروپایی اولین ریزپردازنده‌ی ساخته شده با نیمه‌هادی‌های زیستی (organic semiconductors) را معرفی کردند. این پردازنده با 4000 ترانزیستور، مداری با منطق 8 بیتی دارای قدرت پردازشی تنها معادل مدل‌های سیلیکونی دهه‌ی 1970 است، ولی یک مزیت کلیدی دارد: این‌که می‌تواند خم شود. طراحان تجهیزات الکترونیکی می‌گویند این تراشه می‌تواند آغازگر راهی به سوی نمایش‌گرها و سنسورهای انعطاف‌پذیر ارزان‌تر شود. در کاربردهایی که نیاز به پیچیدن به دور لوله وجود دارد، برای مثال، برگه‌های سنسور با این پردازنده می‌تواند مقدار متوسط فشار آب را ثبت کند، یا در صنایع غذایی و داروسازی می‌تواند وضعیت فساد غذا و یا فراموشی دارو و... را مشخص کند.

به گفته‌ی جان ژِنُوِه (Jan Genoe) پژوهش‌گر پلیمر و الکترونیک ملکولی در مرکز پژوهش نانوتک بلژیک (nanoelectronics research center)، آی‌مِک (IMEC)، در لِئووِن که سرپرستی این پژوهش را به همراه هم‌کارش کریس ماینی (Kris Myny) برعهده دارد، راه حل این کار برای طراحان تراشه رام کردن ترانزیستورهای زیستی است که تا حدی رفتار سرکشانه دارند. مزیتی که سیلیکون نسبت به مدارات زیستی دارد، ساختار تک بلوری آن است که اجازه‌ی ایجاد کلیدهای خوش رفتار را می‌دهد. اگر شما ولتاژ گیت ترانزیستور را به بالاتر از حدی که ولتاژ آستانه نامیده می‌شود افزایش دهید، جریان شروع به جاری شدن می‌کند. اما ترانزیستورهای زیستی امروزی -که در آن‌ها بسپار (پلیمر) جایگزین سیلیکون شده است- غیر قابل پیش‌بینی هستند، هر کدام می‌توانند آستانه‌ی هدایت کمی متفاوت داشته باشند.

در کاربردهایی که ترانزیستورهای زیستی پیش از این استفاده می‌شدند، مانند روشن و خاموش کردن پیکسل‌ها در برخی از نمایش‌گرهای کتاب‌خوان‌های الکترونیکی، کارکرد نامناسب تعدادکمی از ترانزیستورها در کارکرد کلی سیستم تأثیر نمی‌گذارد. این در حالی است که در مدارهای منطقی، یک ترانزیستور ساده می‌تواند کل سیستم را متوقف کند. به گفته‌ی ژنوه: «اگر تنها یک بیت برای مدت کوتاهی خاموش شود، آنگاه هیچ چیز کار نمی‌کند.»

بنابراین گروه ژنوه گیتی اضافی در پشت هر ترانزیستور زیستی اضافه نموده‌اند. به گفته‌ی وی این گیت پشتی به پژوهش‌گران اجازه می‌دهد میدان الکتریکی را در نیمه‌هادی بهتر کنترل کنند و بنابراین از کلیدزنی تصادفی جلوگیری کنند.

ساختن تراشه‌ی با ضخامت 25 میکرومتر آغاز ایجاد زیر لایه‌ی ساخته شده با پلی اتیلن هیدروکربن یا به عبارتی پلاستیک است. ژنوه می‌گوید: « شما می‌توانید آن را با ماده‌ای که به دور ساندویچ خود می‌پیچید مقایسه کنید. بسیار انعطاف پذیر است.» گروه پژوهشی، لایه‌ای با ضخامت 25 نانومتر از جنس طلا روی آن قرار داده‌اند که برای ساخت مدار الگوسازی شده است. بر روی آن یک دی‌الکتریک زیستی، به همراه دومین لایه‌ی الگوسازی شده‌ی طلا، و در نهایت نیمه‌هادی زیستی ساخته شده از پنتاسین قرار می‌گیرد.

بعد از ساخت تراشه، تیم ژنوه آن را با اجرای یک برنامه 16 خطی برای میانگین‌گیری تغییرات مقادیر ورودی با آنچه در حافظه ذخیره شده است تست کردند. این برنامه، یک نرم‌افزار برای آنچه در دومین تراشه‌ی قابل انعطاف سیم‌بندی شده است، محسوب می‌شود. به گفته‌ی ژنوه این پردازنده می‌تواند شش دستور اجرایی را در یک ثانیه انجام دهد.

ژنوه امیدوار است چنین تراشه‌هایی بتوانند با قیمت یک دهم مدارهای مشابه سیلیکونی ساخته شود اما برای درک این ادعا، تولیدکنندگان نیاز به تفسیر پژوهش‌گران آی‌مِک از لیتوگرافی نوری کنترل شده با دقت زیاد دارند تا با تکنیک تبدیل تولید با مقیاس آزمایشگاهی به مقیاس صنعتی به حالتی برسند که در سطح بزرگ قابل به‌کارگیری باشد، یعنی الکترونیک چاپی.

دَن گاموتا رئیس شرکت چاپ الکترونیکی پرینتووِیت تکنولوژی (Printovate Technologies) در پالاتین، I11، می‌گوید: « این امر به سختی آنچه فکر می‌شود نیست.» گاموتا که در این پژوهش مشارکت نداشته است، در دهه‌ی اول 2000، زمانی که در موتورولا سرپرست بود به کاربران ماشین چاپ‌های تجاری آموخته بود که چگونه تکنیک‌های سنتی چاپ جوهر روی کاغذ را برای ساخت نمایش‌گر با الکترونیک چاپی اولیه به‌کار گیرند.

او می‌گوید چاپ کردن مدارهای منطقی باز هم همان ملزومات را خواهد داشت. به گفته‌ی وی برای الکترونیک چاپی امروزی، همانند آنچه در گذشته برای تجهیزات روشنایی پیشنهاد شد، ضخامت ماده بسیار تعیین کننده است، اما برای مدارهای منطقی تولید کنندگان همچنین نیازمند تنظیم لایه‌ها به شکل کاملاً دقیق خواهند بود. این امر علاوه بر ابزارهای جدید اندازه‌گیری نیاز به برنامه‌های جدید آموزش قابلیت اطمینان برای کاربران ماشین چاپ دارد. گاموتا می‌گوید: «یک کاربرالکترونیک چاپی مشابه یک مکانیک است که می‌داند چگونه روی یک اتومبیل فِراری کار کند، در حالی که یک چاپ‌کننده‌ی سنتی نحوه‌ی تعمیر فورد را می‌داند.»

به گفته‌ی گاموتا با وجود این‌که صنعت تولید در حال توسعه است، ولی او باور نمی‌کند مدارهای منطقی زیستی بتوانند حتی چندصد ترانزیستور از میلیون‌ها ترانزیستوری که در تراشه‌های سیلسکونی امروزی به‌کار می‌رود را تشکیل دهد. در عوض او می‌گوید در این حوزه به نظر می‌رسد استفاده از مدارهای زیستی نسبت به پردازنده‌های سیلیکونی مانند برنامه‌ی سایدکیک یک کند ذهن است. او به عنوان مثال خرید یک شلوار جدید را با استفاده از تلفن هوشمند برای ارتباط مستقیم با مدارهای پلاستیکی که درون لباس قرار دارد را توصیف می‌کند. این مدار به شما خواهد گفت که شلوار مربوطه اگر آن را بپوشید چگونه خواهد شد و به این ترتیب امکان پرو مجازی برای شما وجود خواهد داشت.

مشابه گاموتا، گِروین گِلینک که در بخش تراشه‌ی آی‌مک کار می‌کند، معتقد است که مدارهای زیستی کار خود را به عنوان تکمیل کننده‌ی سیلیکون شروع خواهند کرد. گلینک که در مراکز مختلف و مهمی فعالیت داشته است، معتقد است سرانجام شاید مدارهای زیستی پیچیده‌تری در تجهیزاتی مانند نمایش‌گرها، برای کاهش اندازه و قیمت این ابزارها با تراشه‌های سیلیکونی "جانبی" جایگزین شود.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>توسعه‌ی روشی مقیاس‌پذیر برای ساخت گرافین</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/921/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.921</id>

    <published>2011-03-12T12:19:05Z</published>
    <updated>2011-03-12T12:36:29Z</updated>

    <summary> مدارهای گرافینی رشد یافته با مس به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، پژوهشی جدید از دانشگاه پنسیلوانیا روشی پایدارتر و ارزان‌قیمت‌تر را در ساخت گرافین -ماده‌ی با مقیاس اتمی که کاربردهای امیدوارکننده در بسیاری از زمینه‌ها دارد و جایزه‌ی نوبل فیزیک در سال 2010 را از آن خود کرده است- نشان داده است. بر اساس آنچه در مطالعات اخیر شرح داده شده است، یک گروه پژوهشی این دانشگاه توانستند یک نوع از گرافین کیفیت بالا را...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="گرافین" label="گرافین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهپنسیلوانیا" label="دانشگاه پنسیلوانیا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="صیقلالکتریکی" label="صیقل الکتریکی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:188px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/physicistsde.jpg" style="float:left; padding:8px; width:185px; height:185px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>مدارهای گرافینی رشد یافته با مس</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>


به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، پژوهشی جدید از دانشگاه پنسیلوانیا روشی پایدارتر و ارزان‌قیمت‌تر را در ساخت گرافین -ماده‌ی با مقیاس اتمی که کاربردهای امیدوارکننده در بسیاری از زمینه‌ها دارد و جایزه‌ی نوبل فیزیک در سال 2010 را از آن خود کرده است- نشان داده است.

بر اساس آنچه در مطالعات اخیر شرح داده شده است، یک گروه پژوهشی این دانشگاه توانستند یک نوع از گرافین کیفیت بالا را بسازند که در %95 سطح خود تنها به اندازه‌ی یک اتم ضخامت دارد و در آن از موادی که به راحتی در دسترس هستند و همچنین فرآیند ساختی که قابل گسترش به ابعاد صنعتی باشد، استفاده شده است.

چارلی جانسون (Charlie Johnson) استاد فیزیک که پژوهش‌گر اصلی این تحقیق به شمار می‌آید می‌گوید: «من در جریان گزارش‌هایی که به درصدی به اندازه‌ی 90 رسیده‌اند هستم؛ این پژوهش ما را به اندازه‌ی نهایی که 100 درصد است نزدیک خواهد کرد. ما دیدگاه یک فرآیند تمام صنعتی را داریم.»

سایر اعضای این گروه همگی از دانشجویان تحصیلات تکمیلی گروه فیزیک و نجوم از دانشکده‌ی علوم و هنر دانشگاه پنسیلوانیا هستند. یافته‌های این گروه در مجله‌ی شیمی مواد در دهم فوریه منتشر شده است.

گرافین شامل یک شبکه از اتم‌های کربن است که در ورقه‌های نازکی با ضخامت یک اتم تنها مرتب شده‌اند. ویژگی‌های فیزیکی منحصربه‌فرد آن از جمله هدایت الکتریکی بی‌نظیر می‌تواند منجر به پیشرفت‌های برجسته‌ای در انرژی خورشیدی، ذخیره‌ی انرژی، حافظه‌های کامپیوتری و فن‌آوری‌های دیگری از این قبیل شود. امّا در حال حاضر فرآیند ساخت پیچیده و نتایج معمولاً غیر قابل پیش‌بینی، مانع به‌کارگیری گسترده‌ی آن شده است.

یکی از ترفندهای امیدوارکننده‌ی تولید، CVD یا رسوب‌سازی شیمیایی با بخار (Chemical Vapor Deposition) است که شامل دمیدن متان بر روی ورقه‌های نازک فلز است. اتم‌های کربن در متان یک پوسته‌ی نازک گرافینی را روی ورقه‌های فلز شکل می‌دهند، امّا این فرآیند باید در محیطی مشابه خلأ انجام شود تا از جمع شدن لایه‌های چندگانه‌ی کربن در دسته‌های غیر قابل استفاده جلوگیری شود.

پژوهش گروه دانشگاه پنسیلوانیا نشان داده است که در صورتی‌که ورقه‌های فلزی به اندازه‌ی کافی هموار باشند، گرافین با ضخامت یک لایه می‌تواند با اطمینان در محیط‌های با فشار معمولی ساخته شود.

ژنگتِین لو (Zhengtang Lou) نویسنده‌ی اصلی مقاله‌ی مربوط به این پژوهش می‌گوید: «این حقیقت که این فرآیند در فشار اتمسفری انجام شده است، ساخت گرافین را به شکل ارزان‌تر و با انعطاف بیشتر ممکن می‌سازد.»

با وجود اینکه سایر روش‌ها ورقه‌های مسی را با دقت زیاد و با استفاده از یک فرآیند گران‌قیمت آماده می‌کردند، گروه جانسون از ورقه‌های نازک مسی در دسترس در آزمایش‌هایشان استفاده کرده‌اند. جانسون می‌گوید: «در واقع شما می‌توانید این ورقه‌ها را از یک فروشگاه سخت‌افزار هم تهیه کنید.»

سایر روش‌ها برای داشتن ورقه‌های مسی تا جای ممکن هموار، مجبور به سفارش ورقه‌های مسی گران‌قیمت می‌شوند. خرابی در سطح باعث می‌شود که گرافین به شکل غیرقابل پیش‌بینی انباشته شود. در عوض، گروه جانسون ورقه‌های مسی را به شکلی الکتریکی صیقل داده‌اند که این روش یک روش صنعتی رایج در روسازی نقره‌آلات و ابزارهای جراحی است. ورقه‌ی صیقل داده شده به اندازه‌ی کافی هموار است تا بتواند گرافین تک‌لایه را در %95 سطح خود ایجاد کند.

لو می‌گوید: «در مجموع این سیستم تولید ساده‌تر، ارزان‌تر و انعطاف‌پذیرتر است.»

شاید برجسته‌ترین بخش این ساده‌سازی توانایی ساخت گرافین در فشار محیط، به دلیل پتانسیل اقتصادی آن در رسیدن به خط تولید گرافین در آینده باشد.

جانسون در این رابطه می‌گوید: «اگر شما نیاز به کار در خلأ بالا داشته باشید، باید نگران وارد و خارج کردن محصول تولیدی از اتاق خلأ بدون ایجاد نشتی در آن باشید. اما اگر شما در فشار اتمسفری کار کنید می‌توانید عمل صیقل الکتریکی مس، ته‌نشین کردن گرافین روی آن و سپس ارسال آن در طول تسمه نقاله برای ادامه‌ی فرآیند تولید در کارخانه را ممکن فرض کنید.»
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>سلول‌های خورشیدی می‌توانند به کمک ذرات آلومینیوم، نازک‌تر و سبک‌تر شوند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/915/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.915</id>

    <published>2011-03-07T20:05:50Z</published>
    <updated>2011-03-09T11:10:53Z</updated>

    <summary> شمای یک سلول خورشیدی سیلیکونی که بین آلومینیوم و اتصالات الکتریکی شفاف ایندیم قلع اکسید قرار گرفته است. نانوذره‌های آلومینیوم که در بالا قرار گرفته‌اند (رنگ خاکستری)، می‌توانند میزان جذب نور را افزایش دهند. سلول‌های خورشیدی یک فن‌آوری کلیدی در حرکت به سوی تولید پاک‌تر انرژی هستند. متأسفانه این فن‌آوری هنوز از نظر اقتصادی به صرفه نیست و قیمت این سلول‌ها باید کاهش یابد. یک راه برای غلبه بر این مشکل، کاهش مقدار مواد نیمه‌رسانای گران‌قیمت مورد استفاده در...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="موسسه‌یastar" label="موسسه‌ی A-STAR" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوذره" label="نانوذره" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بازدهینوری" label="بازدهی نوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سلولخورشیدی" label="سلول خورشیدی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سنگاپور" label="سنگاپور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:205px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/solarcellsca.jpg" style="float:left; padding:8px; width:200px; height:130px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>شمای یک سلول خورشیدی سیلیکونی که بین آلومینیوم و اتصالات الکتریکی شفاف ایندیم قلع اکسید قرار گرفته است. نانوذره‌های آلومینیوم که در بالا قرار گرفته‌اند (رنگ خاکستری)، می‌توانند میزان جذب نور را افزایش دهند.</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>

سلول‌های خورشیدی یک فن‌آوری کلیدی در حرکت به سوی تولید پاک‌تر انرژی هستند. متأسفانه این فن‌آوری هنوز از نظر اقتصادی به صرفه نیست و قیمت این سلول‌ها باید کاهش یابد. یک راه برای غلبه بر این مشکل، کاهش مقدار مواد نیمه‌رسانای گران‌قیمت مورد استفاده در این سلول‌هاست؛ امّا سلول‌های نازک پوسته، کارایی کمتری در مقایسه با سلول‌های متداول خواهند داشت.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، یوری آکیموف (Yuriy Akimov) و وی شینگ کُوه (Wee Shing Koh) در مؤسسه‌ی A*STAR مربوط به محاسبات کارکرد بالا در سنگاپور، اکنون بازدهی تبدیل نوری سلول‌های خورشیدی نازک پوسته را با ته‌نشین کردن ذرات آلومینیومی در سطح سلول بهبود داده‌اند.

نانوذره‌های فلزی می‌توانند نور را به شکل بهتری به داخل سلول خورشیدی هدایت کنند و از پراکندگی آن جلوگیری کنند. در سلول‌های ضخیم پوسته‌ی متداول، به علّت جذب کامل نور به‌وسیله‌ی پوسته (به دلیل ضخامت بالای آن) این نانوذره‌ها اثر کمتری داشتند. امّا برای پوسته‌های نازک، این نانوذره‌ها می‌توانند تفاوت بزرگی ایجاد کنند. پراکندگی آن‌ها مدّت زمان ماندن نور در پوسته را افزایش می‌دهد که این کار موجب می‌شود جذب نهایی نور در سلول به مقداری قابل مقایسه با سلول‌های متداول برسد. آکیموف می‌گوید: «این راهکار به ما اجازه می‌دهد تا قیمت تولید این سلول‌ها را تا چند مرتبه کاهش دهیم و روش فوتو ولتائیک را به روشی قابل رقابت با سایر روش‌های تولید انرژی تبدیل کنیم.»

پژوهش‌گران راندمان جذب نور سلول‌های خورشیدی را با نانوذره‌هایی با جنس‌ها و اندازه‌های گوناگون مدل‌سازی کرده‌اند. به شکل ویژه آن‌ها نانوذره‌های دو ماده‌ی نقره و آلومینیوم را با هم مقایسه کرده‌اند. در بیشتر بررسی‌ها بر روی این موضوع، نانوذره‌های نقره ترجیح داده می‌شوند. نانوذره‌های نقره دارای تشدیدهای نوری در بخش مرئی طیف دارند که در متمرکز کردن نور در سلول خورشیدی بهتر کار می‌کنند. متأسفانه در این بین یک مصالحه برقرار است و آن این‌که تشدید نوری سبب جذب نور به‌وسیله‌ی نانوذره‌ها نیز می‌شود که به معنی کاهش بازدهی سلول‌های خورشیدی است.

در مورد نقره، این تشدید دقیقاً در بخش کلیدی طیف سلول خورشیدی قرار می‌گیرد، به گونه‌ای که جذب نور قابل ملاحظه است. امّا در مورد نانوذره‌های آلومینیوم این گونه نیست و این تشدیدها خارج از بخش مهم طیف نور قرار می‌گیرند. به علاوه، نانوذره‌های آلومینیوم، عمل اکسایش را به شکل بهتری انجام می‌دهند و ویژگی‌هایشان با تغییر شکل و اندازه تغییر کمتری خواهد داشت و مهمتر این‌که ویژگی پراکندگی آن‌ها در مقایسه با نانوذره‌های نقره قوی‌تر است. آکیموف می‌گوید: «ما دریافته‌ایم که نانوذره‌هایی که از آلومینیوم ساخته شده‌اند کارکرد بهتری در قیاس با سایر مواد در افزایش به دام اندازی نور در سلول‌های خورشیدی نازک پوسته دارند. ما بر این باوریم که ذرات آلومینیومی می‌توانند در تجاری‌سازی سلول‌های خورشیدی نازک پوسته کمک شایانی کنند.»

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به مقالات زیر مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;"> Akimov, Y.A. & Koh, W.S. Design of plasmonic nanoparticles for efficient subwavelength light trapping in thin-film solar cells. Plasmonics. Published online: <a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11468-010-9181-4">22 Oct 2010 DOI:10.1007/s11468-010-9181-4</a> 

 Akimov, Y A. & Koh, W.S. Resonant and nonresonant plasmonic nanoparticle enhancement for thin-film silicon solar cells. Nanotechnology 21, 235201 (2010)</div>]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>توسعه‌ی مدل کامل عددی عکسبرداری EUV</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/913/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.913</id>

    <published>2011-03-04T23:45:04Z</published>
    <updated>2011-03-05T14:49:07Z</updated>

    <summary>خطای مجاز در اندازه‌ی مشخصه، شکل و جایگذاری در نسل آینده‌ی تراشه‌های کامپیوتری که با لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ساخته شده باشند، در گستره‌ی چند نانومتر تا کمتر از یک نانومتر خواهد بود. برای دستیابی به این مقدار مجاز، ناهمواری کناری مشخصه‌ها که به طور متداول ناهمواری لبه خط (LER) نامیده می‌شود، لازم است کمتر از دو نانومتر باشد. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، پژوهشگران مرکز علم و فن‌آوری نانومقیاس (CNST) وابسته به مؤسسه‌ی ملّی استاندارد...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ler" label="LER" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="لیتواگرافیفرابنفش" label="لیتواگرافی فرابنفش" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مؤسسه‌یملیاستانداردوفن‌آوری" label="مؤسسه‌ی ملی استاندارد و فن‌آوری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مرکزعلموفن‌آورینانومقیاس" label="مرکز علم و فن‌آوری نانومقیاس" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="پرتودهی" label="پرتودهی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آمارکوانتومی" label="آمار کوانتومی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آزمایشگاهملیلورنسبرکلی" label="آزمایشگاه ملی لورنس برکلی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تراشه" label="تراشه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[خطای مجاز در اندازه‌ی مشخصه، شکل و جایگذاری در نسل آینده‌ی تراشه‌های کامپیوتری که با لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ساخته شده باشند، در گستره‌ی چند نانومتر تا کمتر از یک نانومتر خواهد بود.
برای دستیابی به این مقدار مجاز، ناهمواری کناری مشخصه‌ها که به طور متداول ناهمواری لبه خط (LER) نامیده می‌شود، لازم است کمتر از دو نانومتر باشد.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، پژوهشگران مرکز علم و فن‌آوری نانومقیاس (CNST) وابسته به مؤسسه‌ی ملّی استاندارد و فن‌آوری امریکا (NIST) و آزمایشگاه ملّی لورنس برکلی، یک مدل عددی را که می‌تواند دو منبع بارز LER را در نظر بگیرد، ایجاد کرده‌اند. این دو منبع عبارتند از: آمار کوانتومی پرتودهی و ایجاد مقاومت؛ و ناهمواری ترکیبات پوششی.
روکش LER چیزی حدود 10 نانومتر ضخامت دارد که روی ویفر با استفاده از سیستم عکسبرداری 5X EUV به 2 نانومتر کاهش خواهد یافت.

این مدل میزان جبران ضرر نسبی‌ای که هر منبع LER در شرایط گوناگون عکسبرداری و پردازش به ویفر وارد می‌کند را تعیین می‌کند. این مدل همچنین LER ویفر را پیش‌بینی می‌کند و به علاوه میزان تغییری که در اثر عکسبرداری، پرتودهی و فرآیند ساخت در محتوای فرکانسی روکش‌ها ایجاد می‌شود را هم تشخیص می‌دهد.

پژوهشگران دریافته‌اند که ترکیب‌هایی از فرآیندها وجود دارند که در آن‌ها روکش القاشده‌ در اثر ناهمواری، جبران‌کننده‌ی اصلی LER ویفر هستند، امّا اثر فرکانسی آن به تنهایی از بخش‌های پرتودهی و آمار فرآیند ساخت، غیرقابل تشخیص است. بنابراین، روش‌های سنجه‌شناسی مستقیم دیگری علاوه بر محتوای فرکانسی LER ویفر برای تعیین نقش و اثر هر قسمت مجزا لازم خواهد بود. این کار ادامه‌ی پیشرفت فن‌آوری ساخت نیمه‌رساناها را حمایت خواهد کرد.

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://avspublications.org/jvstb/resource/1/jvtbd9/v28/i6/p1259_s1?isAuthorized=no">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;">The Effect of Resist on the Transfer of Line-edge Roughness Spatial Metrics from Mask to Wafer, G. M. Gallatin and P. P. Naulieau, Journal of Vacuum Science & Technology B, 28, 1259-1266 (2010).</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت ترکیبی منحصربه‌فرد از عناصر برای نانونوارهای حرارتی</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/908/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.908</id>

    <published>2011-02-28T08:08:24Z</published>
    <updated>2011-03-04T23:20:34Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، مؤسسه‌ی پژوهش‌های نیمه‌هادی (SRC) و پژوهشگرانی از دانشگاه استنفورد، ترکیب جدیدی از عناصر را توسعه داده‌اند که ماده‌ی نانوساختاری منحصربه‌فردی را برای بسته‌بندی نتیجه می‌دهد. این پیشرفت به ادوات نیمه‌هادی اجازه می‌دهد که علاوه بر داشتن قیمت کمتر، طول عمر بیشتری هم نسبت به جديدترين فن‌آوری کنونی داشته باشند. علاوه بر سازندگان تراشه، صنایع دیگری هم می‌توانند از فن‌آوری مدیریت انرژی حرارتی مربوطه بهره‌هایی ببرند. برای نیمه‌رساناها، این بهبود در شکل...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="src" label="SRC" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="قانونمور" label="قانون مور" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="موسسه‌یپژوهش‌هاینیمه‌هادی" label="موسسه‌ی پژوهش‌های نیمه‌هادی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مدیریتگرما" label="مدیریت گرما" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانونوار" label="نانونوار" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گرماگیر" label="گرماگیر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="بسته‌بندی" label="بسته‌بندی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دمابرق" label="دمابرق" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهاستنفورد" label="دانشگاه استنفورد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، مؤسسه‌ی پژوهش‌های نیمه‌هادی (SRC) و پژوهشگرانی از دانشگاه استنفورد، ترکیب جدیدی از عناصر را توسعه داده‌اند که ماده‌ی نانوساختاری منحصربه‌فردی را برای بسته‌بندی نتیجه می‌دهد. این پیشرفت به ادوات نیمه‌هادی اجازه می‌دهد که علاوه بر داشتن قیمت کمتر، طول عمر بیشتری هم نسبت به جديدترين فن‌آوری کنونی داشته باشند. علاوه بر سازندگان تراشه، صنایع دیگری هم می‌توانند از فن‌آوری مدیریت انرژی حرارتی مربوطه بهره‌هایی ببرند.

برای نیمه‌رساناها، این بهبود در شکل بسته‌بندی ابزارها خود را نشان می‌دهد. به زودی سازندگان باید از پین‌های کوچک یا لحیم‌کاری ضخیم‌تر برای کارکرد یک قطعه‌ی به‌خصوص استفاده کنند. با این حال، مواد موجود برای لحیم‌کاری، به علّت گرما و فشارهای الکتریکی، تمایل به از هم پاشیدگی و شکنندگی دارند. در ادامه‌ی راه کاهش اندازه‌ی مدارهای مجتمع، SRC و دانشگاه استنفورد موادی را مورد بررسی قرار داده‌اند که منجر به هدایت گرمایی زیادی-قابل مقایسه با مس- می‌شوند. این امر به وسیله‌ی یک نوار حرارتی با ساختار نانو ایجاد شده است که هدایت گرمایی آن با فلز برابری می‌کند، درحالی‌که به مواد مجاور اجازه می‌دهد تا با تغییرات دما منقبض و منبسط شوند (فلزات در برابر این ویژگی بسیار مقاوم‌اند). این قابلیت برای کاهش دمای تراشه درحالی‌که وظیفه‌ی نامبرده شده هم به خوبی انجام شود، یک پیشرفت کلیدی برای بسته‌بندی الکترونیکی است.

پروفسور کن گودسون (Ken Goodson)، پژوهشگر ارشد SRC در دانشگاه استنفورد می‌گوید: «یک مانع بزرگ برای افزایش کارایی تراشه‌های مدرن، نقاط گرم یا نواحی میلی‌متری تولید بالای توان هستند. این پیشرفت در مواد و روش‌های نانوساختاری به ما اجازه می‌دهد تا این نقاط را به شکل بهتری خنک کنیم و به عنوان یک روش کلیدی برای افزایش چگالی مدارهای محاسباتی به شمار می‌رود. این مسأله به فن‌آوری بسته‌بندی کمک می‌کند تا بقای قانون مور را ادامه دهد.»

در برشمردن چالش‌های پیش‌رو در فرآیند کوچک‌سازی، نخستین ابزار دفاعی در برابر این نقاط پرحرارت، ماده‌ی واسط است. با انجام حدوداً دو دهه پژوهش و شبیه‌سازی پیشرفته برای مشکلات ممکن در سطح بسته‌بندی-که بیشتر آن به وسیله‌ی SRC تأمین مالی شده است- در نهایت، گروه دانشگاه استنفورد به ترکیب منحصربه‌فرد آن‌ها که با نانولوله‌های کربن احاطه شده است، دست پیدا کرده است. انتظار می‌رود که این ابداع، باعث بهتر کردن بالاترین اتصال حرارتی و رسیدن به مطلوب‌ترین سطح الاستیسیته در هر گونه راه‌حل بسته‌بندی شناخته شده شود.

جان کندلاریا (Jon Candelloria)، سرپرست علوم بسته‌بندی و اتصالات SRC می‌گوید: «پژوهشگران تمایل دارند تا مواد و ساختارهای مفیدی را که ما هیچ‌گاه پیش از این ندیده‌ایم، بسازند و این نانونوار حرارتی جدید باعث انقلابی در اتصال گرماگیر تراشه خواهد شد. به‌جای اجبار برای استفاده از ویژگی‌های یک ماده‌ی تنها، این ترکیب به صنعت مدارهای مجتمع این فرصت را می‌دهد تا بسیاری از محدودیت‌های کارکردی را پشت سر گذاشته و به بهبود بسته‌بندی بدون افزایش قیمت ادامه دهد.»

در حالی‌که این پژوهش به دست اعضایی از SRC برای افزایش تراشه‌های کامپیوتری تأمین مالی شده است، تقاضا برای کاربردهای این نوع از واسط‌های حرارتی در سایر صنایع هم در حال افزایش است. برای مثال، تعدادی از شرکت‌های مربوط به خودروسازی امیدوارند تا توان الکتریکی خود را از گازهای خروجی در خودروها و کامیون‌هایی که از مبدل‌های انرژی دمابرقی استفاده می‌کنند، بازیابی می‌کنند که این امر، باعث استفاده‌ی بهینه از سوخت می‌شود. با این وجود، واسط‌های قابل اعتماد یک مشکل برای این فن‌آوری به شمار می‌رود. 

حق امتیاز این تکنولوژی در حال حاضر معوق است. گام بعدی در این پژوهش، اجازه دادن به روش‌ها و مواد نوین برای ترقی دادن واسط‌های حرارتی به منظور کامل کردن این کاربرد است. انتظار می‌رود که این تکنولوژی در سال 2014 به بهره‌برداری کامل برسد.

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl100443x">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;">Temperature-Dependent Phonon Conduction and Nanotube Engagement in Metalized Single Wall Carbon Nanotube Films</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ورقه‌هایی با ضخامت اتمی، راهی به سوی دستیابی به تکنولوژی‌های آینده</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/906/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.906</id>

    <published>2011-02-26T13:32:59Z</published>
    <updated>2011-02-26T16:04:01Z</updated>

    <summary> نانوورقه‌ای که با میکروسکوپ الکترونی عکسبرداری شده است راهی جدید برای تجزیه‌ی مواد لایه‌ای مانند گرافیت به ورقه‌هایی با ضخامت برابر تنها یک اتم، می‌تواند موجب انقلابی در فن‌آوری‌های ذخیره‌ی انرژی و الکترونیک نوین شود. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، یک گروه بین‌المللی به سرپرستی دانشگاه آکسفورد و دانشمندان دانشگاه ترینیتی دوبلین، روش فراگیری برای ساخت این نانوورقه‌های با ضخامت یک اتم در گستره‌ای از مواد توسط اعمال پالس‌های فراصوتیِ ملایم اختراع کرده است. این...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوورقه" label="نانوورقه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گرافین" label="گرافین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گرافیت" label="گرافیت" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="انگلستان" label="انگلستان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ایرلند" label="ایرلند" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دمابرقی" label="دمابرقی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهآکسفورد" label="دانشگاه آکسفورد" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهترینیتیدوبلین" label="دانشگاه ترینیتی دوبلین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:195px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/atomthickshe.jpg" style="float:left; padding:8px; width:190px; height:197px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>نانوورقه‌ای که با میکروسکوپ الکترونی عکسبرداری شده است</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>

راهی جدید برای تجزیه‌ی مواد لایه‌ای مانند گرافیت به ورقه‌هایی با ضخامت برابر تنها یک اتم، می‌تواند موجب انقلابی در فن‌آوری‌های ذخیره‌ی انرژی و الکترونیک نوین شود.

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، یک گروه بین‌المللی به سرپرستی دانشگاه آکسفورد و دانشمندان دانشگاه ترینیتی دوبلین، روش فراگیری برای ساخت این نانوورقه‌های با ضخامت یک اتم در گستره‌ای از مواد توسط اعمال پالس‌های فراصوتیِ ملایم اختراع کرده است. این روشِ جدید، ساده، سریع و ارزان است و قابلیت ارتقا به کار در مقیاس صنعتی را نیز دارد.

این گروه گزارشی از این پژوهش را در مجله‌ی ساینس منتشر نموده است.

هر یک لایه‌ی یک میلیمتری از گرافیت، از حدود سه میلیون لایه‌ی گرافین-ورقه‌ای مسطح از کربن با ضخامت یک اتم- که بر روی هم قرار گرفته‌اند، تشکیل شده است.

دکتر والریا نیکولوسی (Valeria Nicolosi) از دانشکده‌ی مواد دانشگاه آکسفورد که این پژوهش را به همراه پروفسور جاناتان کولمن (Jonathan Coleman) از دانشگاه ترینیتی دوبلین سرپرستی کرده است می‌گوید: «به دلیل خواص الکترونیکی خارق‌العاده‌، گرافین توجه بسیاری را به خود جلب کرده است و از آنجایی‌که فیزیک‌دانان امیدوارند که روزی در الکترونیک فرا رسد که گرافین با سیلیکون رقابت کند، این ماده جایزه‌ی اخیر نوبل را از آن خود کرده است. امّا در واقع، صدها نوع ماده‌ی لایه‌ای شکل دیگر هم وجود دارند که می‌توانند ما را در  ایجاد تکنولوژی‌های قدرتمند جدید تواناتر کنند.»

پروفسور کولمن نیز می‌گوید: «این گونه مواد جدید، دارای ویژگی‌های شیمیایی و الکترونیکی خاصی هستند که آن‌ها را برای کاربردهای موجود در ابزارهای الکترونیکی جدید، هم‌گذاره‌(composite)های خیلی قوی و تولید و ذخیره‌ی انرژی به موادی مفید تبدیل کرده است. به‌طور ویژه این پژوهش پیشرفت بارزی را به سوی گسترش مواد دمابرقی کارآمد مهیا می‌کند.»

در کل بیش از 150 گونه‌ی مختلف از این مواد لایه‌ای شکل نامتعارف -مانند بور نیتراید، مولیبدِنُم دی‌سولفید و تنگستن دی‌سولفید- که بسته به ترکیب شیمیایی و آرایش اتم‌هایشان قابلیت بودن در حالت فلزی، شبه فلزی یا  نیمه‌رسانایی را دارند.

پژوهشگران به مدت چند دهه در تلاش بوده‌اند تا نانوورقه‌هایی از این گونه مواد تهیه کنند، چون مرتب کردن این مواد در شکل‌هایی با ضخامت اتمی، ما را قادر خواهد ساخت تا به ویژگی‌های غیرعادی الکترونیکی و دمابرقی آن‌ها دست پیدا کنیم. با این وجود، همه‌ی روش‌های پیشین به شدت وقت‌گیر و طاقت‌فرسا بوده‌اند و همچنین مواد منتجه هم شکننده بوده و برای بیشتر کاربردها مناسب نبوده‌اند.

دکتر نیکولوسی می‌گوید: «روش جدید ما دارای قیمت کم و بازده بسیار بالا است و همچنین یک قابلیت برجسته دارد و آن اینکه ظرف دو ساعت و با تنها یک میلی‌گرم از ماده، میلیاردها میلیارد از نانوورقه‌های با ضخامت یک اتم با ساختاری شبیه به گرافین را می‌توان در آن واحد از خیل گسترده‌ی مواد لایه‌ای نا متعارف به دست آورد.»

نانو ورقه‌های ساخته شده با این روش را می‌توان به منظور تولید "پوسته‌های پیوندی" که ذاتاً توانایی‌های آن‌ها را قادر به مجتمع‌سازی با تکنولوژی‌های متداول می‌کند، بر روی سطح سایر مواد مانند سیلیکون پاشید. چنین پوسته‌هایی را در کنار موارد دیگر می‌توان برای ساخت و طراحی ابزارهای جدید محاسباتی، حس‌گرها و یا باتری‌ها به‌کار گرفت.

گزارشی از این پژوهش به نام " نانوورقه‌های دو بعدی تولید شده با رویه‌سایی مواد لایه‌ای (Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials)"  در شماره‌ی 4 فوریه‌ی مجله‌ی ساینس منتشر شده است.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>آی‌سی مبدل DC-DC باک-بوست شش مگاهرتزی که منجر به کوچک شدن قطعات خارجی و افزایش گستره‌ی ولتاژ باتری‌ها می‌شود</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/power/power-electronics/903/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.903</id>

    <published>2011-02-23T18:25:26Z</published>
    <updated>2011-02-24T12:42:49Z</updated>

    <summary> آی‌سی MB39C326 با ابعاد 2.15 در 1.94 میلی‌متر به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت فوجیتسو ساخت آی‌سی مبدل DC-DC باک-بوست (MB39C326) را برای تقویت‌کننده‌های توان فرکانس رادیویی در تلفن‌های همراه، تلفن‌های هوشمند، کتاب‌خوان‌ها و سایر تجهیزات سیار دستی اعلام کرده است. نمونه‌هایی از این فرآورده‌ی جدید در ژوئن 2011 به سراسر دنیا فرستاده خواهد شد. این آی‌سی با فرکانس 6 مگاهرتز در کاربردهای صنایع پیشرو نقشی مانند تقویت‌کننده‌های توان فرکانس رادیویی در مبدل‌های DC-DC دارد....</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Power Electronics" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="مبدلdcdc" label="مبدل DC-DC" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="مبدلباکبوست" label="مبدل باک-بوست" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="باتریلیتیم" label="باتری لیتیم" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="تقویتتوان" label="تقویت توان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شرکتفوجیتسو" label="شرکت فوجیتسو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:200px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/smallerexter.jpg" style="float:left; padding:8px; width:200px; height:205px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>آی‌سی MB39C326 با ابعاد 2.15 در 1.94 میلی‌متر</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت فوجیتسو ساخت آی‌سی مبدل DC-DC باک-بوست (MB39C326) را برای تقویت‌کننده‌های توان فرکانس رادیویی در تلفن‌های همراه، تلفن‌های هوشمند، کتاب‌خوان‌ها و سایر تجهیزات سیار دستی اعلام کرده است. نمونه‌هایی از این فرآورده‌ی جدید در ژوئن 2011 به سراسر دنیا فرستاده خواهد شد.

این آی‌سی با فرکانس 6 مگاهرتز در کاربردهای صنایع پیشرو نقشی مانند تقویت‌کننده‌های توان فرکانس رادیویی در مبدل‌های DC-DC دارد. عملکرد آی‌سی در فرکانس بیشتر نسبت به سایر موارد، می‌تواند فضای مربوط به بخش منبع تغذیه‌ی سیستم را بیشتر کاهش دهد (تا نصف محصولات کنونی).

عملکرد در وجه باک-بوست، سبب می‌شود تا باتری‌های لیتیم-یونی در گستره‌ی وسیع‌تری از ولتاژ کار کنند. این مبدل همچنین موجب می‌شود هنگامی که ولتاژ باتری‌های لیتیم-یونی افت می‌کند، ولتاژهایی تثبیت شده به تجهیزات متصل شده تحویل داده شود و طول عمر باتری‌ها نیز افزایش یابد.

هم‌اکنون تلفن‌های همراه، تلفن‌های هوشمند، کتاب‌خوان‌ها و سایر تجهیزات سیار دستی به عملکرد بهتر و ظرفیت انتقال داده‌ی بیشتری نیاز دارند و به‌همین ترتیب باید ابعاد قطعات و فضای لازم برای آن‌ها روی برد به نحو چشم‌گیری کاهش یابد. بنابراین فشار زیادی وجود دارد که اندازه‌ی نهایی تقویت‌کننده‌ی RF باید بدون قربانی شدن ثبات و بازدهی منبع تغذیه‌اش کاهش یابد. سلف پسیو یکی از اجزای بزرگ در طراحی است که فضای زیادی را لازم دارد. در مبدل‌های DC-DC با فرکانس کلیدزنی بالا، اندازه‌ی سلف می‌تواند کاهش یابد. بنابراین با به کار بردن این محصول جدید که با فرکانس 6 مگاهرتز کار می‌کند نسبت به موارد پیشین که با فرکانس 1 و 2 مگاهرتز کار می‌کنند، اندازه‌ی سلف کاهش خواهد یافت و به همین ترتیب انتظار می‌رود فضای نهایی بستر مدارهای کنترل کننده‌ی توان به نصف کاهش یابد. این آی‌سی برای تنظیم دقیق ولتاژ باتری لیتیم-یونی کلیدزنی کارکرد حالت باک-بوست را به شکل خودکار انجام می‌دهد و به این ترتیب تغذیه‌ی پایداری را نیز برای تقویت‌کننده‌ی توان فراهم می‌کند.

شرکت فوجیتسو این مبدل جدید را در کنگره‌ی دنیای موبایل که در چهاردهم تا هفدهم فوریه در بارسلونا برگزار شده است، معرفی کرده است. نمونه‌های این محصول هم در ژوئن 2011 در دسترس خواهند بود.
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>تکنیکی جدید که قابلیتی را به ساختار گالیم نیتراید توان بالا می‌افزاید</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/901/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.901</id>

    <published>2011-02-21T10:02:30Z</published>
    <updated>2011-02-21T10:17:28Z</updated>

    <summary> با کاشت میانگیر(buffer)ی از جنس آرگون، پژوهشگران قطعه‌ای را با GaN ساخته‌اند که می‌تواند با توانی تا ده برابر کار کند. این میانگیر آرگونی در اینجا با رنگ سبز و با نام «ناحیه‌ی کاشت شده‌ی یونی» نشان داده شده است. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، ماده‌ی گالیم نیتراید ماده‌ای امیدوارکننده برای قطعات با توان بالا که از راندمان انرژی بیشتری در مقایسه با فن‌آوری‌های موجود برخوردار هستند، به شمار می‌رود. امّا شکل متداول این قطعات...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
        <category term="Power Electronics" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="ولتاژشکست" label="ولتاژ شکست" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گالیمنیتراید" label="گالیم نیتراید" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="گالیمنیترایدتوانبالا" label="گالیم نیتراید توان بالا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دیودشاتکی" label="دیود شاتکی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهایالتکارولینایشمالی" label="دانشگاه ایالت کارولینای شمالی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:197px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/8-newtechnique.jpg" style="float:left; padding:8px; width:190px; height:200px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>با کاشت میانگیر(buffer)ی از جنس آرگون، پژوهشگران قطعه‌ای را با GaN ساخته‌اند که می‌تواند با توانی تا ده برابر کار کند. این میانگیر آرگونی در اینجا با رنگ سبز و با نام «ناحیه‌ی کاشت شده‌ی یونی» نشان داده شده است.</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>


به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، ماده‌ی گالیم نیتراید ماده‌ای امیدوارکننده برای قطعات با توان بالا که از راندمان انرژی بیشتری در مقایسه با فن‌آوری‌های موجود برخوردار هستند، به شمار می‌رود. امّا شکل متداول این قطعات در زمانی‌که در معرض ولتاژ بالا قرار گیرند، دچار شکست می‌شوند. هم‌اکنون،  پژوهشگران در دانشگاه ایالت کارولینای شمالی این مشکل را با معرفی میانگیر(buffer)ی که به قطعات GaN اجازه‌ی کار با توانی تا ده برابر بیشتر را می‌دهد، برطرف کرده‌اند.

مروه اوزبک (MerveOzbec) دانشجوی دکترای دانشگاه ایالت کارولینای شمالی و نویسنده‌ی مقاله‌ای که این پژوهش را شرح می‌دهد، می‌گوید: «برای فن‌آوری‌های تجدیدپذیر در آینده مانند شبکه‌های هوشمند و خودروهای الکتریکی، ما نیاز به قطعات نیمه‌رسانایی با توان بالا داریم. و ظرفیت تبدیل توان برای توسعه‌ی این قطعات مهم است».

پژوهش پیشین در مورد توسعه‌ی قطعات GaN توان بالا، به دلیل ایجاد میدان‌های الکتریکی در نقاط خاصی از لبه‌ی قطعه در زمان اعمال ولتاژ بالا -که به شکلی مؤثر، قطعه را تخریب می‌کند- به موانعی برخورده است. پژوهشگران دانشگاه ایالت کارولینای شمالی این مشکل را با کاشت یک میانگیر ساخته شده از عنصر آرگون در لبه‌ی قطعه، برطرف کرده‌اند. این میانگیر میدان الکتریکی را پخش می‌کند و به قطعه، اجازه‌ی تحمل ولتاژ بالاتری را می‌دهد.

پژوهشگران این تکنیک جدید را بر روی دیودهای شاتکی -از قطعات الکترونیکی رایج- آزمایش کرده‌اند و دریافته‌اند که کاشت آرگون، به دیودهای GaN اجازه‌ی تحمل ولتاژی تقریباً هفت برابر بیشتر را می‌دهد. دیودهایی که کاشت آرگون را نداشتند، زمانی که در معرض ولتاژ حدود 250 ولت قرار گرفتند، دچار شکست شدند؛ این در حالی است که دیودهای با کاشت آرگون، ولتاژی تا اندازه‌ی 1650 ولت را بدون شکست تحمل کردند.

دکتر جِی بالیگا (Jay Baliga)، استاد ممتاز دانشکده‌ی برق و کامپیوتر ایالت کارولینای شمالی و نویسنده‌ی همکار مقاله می‌گوید: «با ارتقای ولتاژ شکست از 250 ولت به 1650 ولت ما می‌توانیم مقاومت الکتریکی این قطعات را تا صد برابر کم کنیم. این کاهش در مقاومت قطعه، به معنی این است که این قطعات می‌توانند توانی تا ده برابر بیشتر را هم تحمل کنند».

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=5680581">اصل مقاله</a> مراجعه کنید:

<div style="text-align: left;">Ozbek, A. M.; Baliga, B. J.; "Planar, Nearly Ideal Edge Termination Technique for GaN Devices," IEEE's Electron Device Letters</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>خازنی با کارایی بالا که می‌تواند منجر به ساخت باتری‌های قابل شارژ بهتر شود</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/899/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.899</id>

    <published>2011-02-19T16:55:39Z</published>
    <updated>2011-02-19T23:16:38Z</updated>

    <summary> آرایه‌ی سه بعدی منحصربه‌فرد نانوروزنه‌های کربن با قالب‌گذاری زئولیت، می‌تواند آن را به عنوان الکترود، آماده‌ی استفاده در ابرخازن‌هایی کند که ظرفیت بالا و زمان شارژ اندکی دارند. به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، به منظور توسعه‌ی نسل بعدی وسایل نقلیه‌ی الکتریکی، سیستم‌های انرژی خورشیدی و سایر فن‌آوری‌های انرژی‌های پاک، پژوهشگران به یک راه کارآمد برای ذخیره‌ی انرژی نیاز دارند. یکی از قطعات کلیدی در ذخیره‌ی انرژی برای کاربردهای این‌چنینی و نیز سایر کاربردها، ابرخازن است...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="نانو" label="نانو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="نانوروزنه" label="نانوروزنه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="کربنباقالبزئولیت" label="کربن با قالب زئولیت" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ابرخازن" label="ابرخازن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="باتری" label="باتری" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="خازن" label="خازن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهتوهوکو" label="دانشگاه توهوکو" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<div style="float:left; padding:8px; width:253px" dir="rtl"> 
 
<p><img src="http://cdn.physorg.com/newman/gfx/news/hires/zeolite-templatedcarbonelectrodes.jpg" style="float:left; padding:8px; width:250px; height:127px"><br /> 
<br /></p> 
 
<p><em>آرایه‌ی سه بعدی منحصربه‌فرد نانوروزنه‌های کربن با قالب‌گذاری زئولیت، می‌تواند آن را به عنوان الکترود، آماده‌ی استفاده در ابرخازن‌هایی کند که ظرفیت بالا و زمان شارژ اندکی دارند.</em><br /> 
<br /></p> 
 
</div>


به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، به منظور توسعه‌ی نسل بعدی وسایل نقلیه‌ی الکتریکی، سیستم‌های انرژی خورشیدی و سایر فن‌آوری‌های انرژی‌های پاک، پژوهشگران به یک راه کارآمد برای ذخیره‌ی انرژی نیاز دارند. یکی از قطعات کلیدی در ذخیره‌ی انرژی برای کاربردهای این‌چنینی و نیز سایر کاربردها، ابرخازن است که خازن الکتریکی دو لایه (electric double-layer capacitor) نیز نامیده می‌شود. در مطالعه‌ای جدید، پژوهشگران امکان استفاده از ماده‌ای به نام کربن با قالب زئولیت (zeolite-templated carbon) را به عنوان الکترود در این خازن‌ها بررسی کرده‌اند و دریافته‌اند که ساختار روزنه‌ای منحصربه‌فرد این ماده به نحو چشم‌گیری کارایی کلّی خازن را بهتر می‌کند.

چهار پژوهشگر ژاپنی از دانشگاه توهوکو در سندای ژاپن، نتایج بررسی‌هایشان را بر روی این خازن دو لایه‌ی‌ با کارایی بالا، در مقاله‌ای جدید در مجله‌ی انجمن شیمی امریکا منتشر نموده‌اند. 

این خازن دو لایه برای ذخیره‌ی انرژی توسط یون‌هایی که از یک محلول فشرده به یک الکترود انتقال پیدا می‌کنند و در سطح آن جذب می‌شوند، شارژ می‌شود. پیش از رسیدن به سطح الکترود، این یون‌ها باید به سریع‌ترین و کارآمدترین شکل ممکن از میان نانوروزنه‌های باریک موجود بر سر راه‌شان عبور کنند. اساساً هر قدر یون‌ها بتوانند سریع‌تر از این مسیرها عبور کنند، خازن می‌تواند سریع‌تر شارژ شود و نتیجه‌ی نهایی آن خازن با سرعت کارکرد بالا است. همچنین هرچه اندازه‌ی چگالی یون‌های جذب شده در الکترود بیشتر باشد، مقدار بار یا انرژی‌ای که خازن می‌توان ذخیره کند، افزایش خواهد یافت که نتیجه‌ی این مسأله خازنی با ظرفیت بالاتر در واحد حجم است.

به تازگی دانشمندان موادی را با اندازه‌ها و ساختارهای گوناگون در روزنه‌هایشان آزمایش کرده‌اند تا به هر دو مورد انتقال سریع یون‌ها و چگالی بالا در جذب سطحی یون دست پیدا کنند. امّا این دو مورد به تا حدی متضاد هم هستند؛ به این دلیل ‌که یون‌ها از میان روزنه‌های بزرگتر، سریع‌تر عبور می‌کنند، امّا روزنه‌های بزرگ موجب کاهش چگالی الکترود می‌شوند و بنابراین چگالی یون‌های جذب شده را کم می‌کنند.

نیشی‌هارا (Nishihara)، یکی از چهار پژوهشگر درگیر در این کار می‌گوید: «در این کار، ما با موفقیت نشان داده‌ایم که هر دو خواسته‌ی به‌ظاهر متناقض گفته شده، یعنی چگالی توان و ظرفیت خازنی بالا در واحد حجم، را می‌توان با کربن با قالب زئولیت برآورده کرد.»

کربن با قالب زئولیت، شامل نانوروزنه‌هایی است که قطری برابر با 1.2 نانومتر دارند (کوچک‌تر از بیشتر مواد الکترودی) و نیز ساختاری بسیار منظم دارند (برخلاف سایر روزنه‌ها که می‌توانند نامنظم و تصادفی باشند). اندازه‌ی کوچک این روزنه‌ها چگالی یون‌های جذب شده را زیاد می‌کند، در صورتی‌که ساختار منظم این ماده -که شبیه الماس دارای چارچوب مشخصی است- به یون‌ها اجازه می‌دهد تا به سرعت از میان نانوروزنه‌ها عبور کنند. در مطالعه‌ای که پیش از این انجام شده بود، پژوهشگران نشان داده بودند که کربن با الگوی زئولیت، با روزنه‌هایی کمتر از 1.2 نانومتر، نمی‌توانند باعث انتقال سریع یون‌ها شوند و پیشنهاد داده بودند که این اندازه می‌تواند تعادل بهینه بین سرعت و ظرفیت بالا را برقرار کند.

در آزمایش‌ها، ویژگی‌های امیدوارکننده‌ی کربن با الگوی زئولیت، از سایر مواد پیشی گرفته است که قابلیت آن را در استفاده به عنوان الکترودی برای خازن الکتریکی دو لایه‌ی با کارایی بالا  نشان می‌دهد.

نیشی‌هارا می‌گوید: «هم‌اکنون ما در حال تلاش برای افزایش هرچه بیشتر چگالی انرژی کربن با الگوی زئولیت تا حد باتری‌های کمکی هستیم. اگر چنین خازن الکتریکی دو لایه‌ای ساخته شود و برای ادوات سیار مانند تلفن‌های همراه استفاده شود، زمان لازم برای شارژ آن‌‌ها می‌تواند به چند دقیقه کاهش پیدا کند. یک کاربرد مهم دیگر برای این خازن دو لایه، پشتیبانی باتری‌های کمکی در وسایل نقلیه‌ی الکتریکی به منظور افزایش طول عمر باتری است. برای این منظور علاوه بر مورد فوق، دست‌یابی به چگالی انرژی بیشتر، یکی از موضوعات اصلی است.»

برای اطلاعات بیشتر می‌توانید به <a href="http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja108315p">اصل مقاله</a> مراجعه نمایید:

<div style="text-align: left;">Hiroyuki Itoi, Hirotomo Nishihara, Taichi Kogure, and Takashi Kyotani, "Three-Dimensionally Arrayed and Mutually Connected 1.2-nm Nanopores for High-Performance Electric Double Layer Capacitor." Journal of the American Chemical Society.</div>
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>حافظه‌ی اسپینترونیک سیلیکونی که می‌تواند اسپین را به جای چند میکروثانیه، تا دقایقی ذخیره کند</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/897/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.897</id>

    <published>2011-02-16T19:20:40Z</published>
    <updated>2011-02-16T22:17:04Z</updated>

    <summary> به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از IEEE Spectrum دانشمندان موفق به ذخیره‌سازی اطلاعات به مدت دو دقیقه با استفاده از یک ویژگی مغناطیسی هسته‌ی فسفر که در سیلیکون جاسازی شده است، شده‌اند. برای این ویژگی که اسپین نامیده می‌شود، دو دقیقه زمان خارق‌العاده‌ای محسوب می‌شود. این کشف، می‌تواند باعث ایجاد انواع جدیدی از حافظه‌های بر پایه‌ی سیلیکون شود که حتی ممکن است در سطح یک اتم تنها کار ‌کنند. برخلاف رویکرد متداول در الکترونیک، که از ویژگی...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="فسفر" label="فسفر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="محاسباتکوانتومی" label="محاسبات کوانتومی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="کامپیوترکوانتومی" label="کامپیوتر کوانتومی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="آزمایشگاهملیمیدان‌هایمغناطیسیبزرگ" label="آزمایشگاه ملی میدان‌های مغناطیسی بزرگ" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="انگلستان" label="انگلستان" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اسپین" label="اسپین" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="اسپینترونیک" label="اسپینترونیک" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="استرالیا" label="استرالیا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهلندن" label="دانشگاه لندن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهنیوساوثوِلز" label="دانشگاه نیو ساوث وِلز" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهپرینستون" label="دانشگاه پرینستون" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهاوتاه" label="دانشگاه اوتاه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهایالتفلوریدا" label="دانشگاه ایالت فلوریدا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="دانشگاهسیدنی" label="دانشگاه سیدنی" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="سیلیکون" label="سیلیکون" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[<img src="http://spectrum.ieee.org/image/1764271" style="float:left; padding:8px;  width:302px; height=163px"><br />

به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از IEEE Spectrum دانشمندان موفق به ذخیره‌سازی اطلاعات به مدت دو دقیقه با استفاده از یک ویژگی مغناطیسی هسته‌ی فسفر که در سیلیکون جاسازی شده است، شده‌اند. برای این ویژگی که اسپین نامیده می‌شود، دو دقیقه زمان خارق‌العاده‌ای محسوب می‌شود. این کشف، می‌تواند باعث ایجاد انواع جدیدی از حافظه‌های بر پایه‌ی سیلیکون شود که حتی ممکن است در سطح یک اتم تنها کار ‌کنند.

برخلاف رویکرد متداول در الکترونیک، که از ویژگی حمل بار الکترون‌ها برای ساخت مدارها استفاده می‌کند، اسپینترونیک از ویژگی مکانیک کوانتومی الکترون‌ها که به نام اسپین الکترون شناخته شده است برای ساخت ابزارهای مفید استفاده می‌کند. (اسپین الکترون شکلی از گشتاور مغناطیسی است که باعث می‌شود الکترون‌ها مانند یک آهنربای میله‌ای رفتار کنند.) با این وجود اسپین‌ها در حالت عادی طول عمر کمی دارند (در حد چند میکروثانیه)، که این مسأله ساخت رجیسترها و سایر ابزارهای محاسباتی را به وسیله‌ی اسپین با چالش همراه می‌کند؛ زیرا این عملیات نیاز به ذخیره‌سازی اطلاعات برای مدت زمانی به نسبت طولانی دارند.

هم‌اکنون گروهی از فیزیک‌دان‌های دانشگاه سیدنی در استرالیا، به سرپرستی دِین‌مک‌کِیمی (Dane McCamey)، موفق به استفاده از اسپین‌های مغناطیسی هسته‌ی فسفر در سیلیکون ناخالص شده با فسفر، برای ذخیره‌ی اطلاعات به مدت 112 ثانیه شده‌اند. اساساً این امر تکنیکی هوشمندانه است که به پژوهش‌گران اجازه می‌دهد تا اطلاعات اسپین الکترونیکی را در هسته‌ی اتم‌های دهنده‌ی (donor) فسفر نگاشت و ذخیره کنند. اسپین‌های هسته‌ای را می‌توان به شکل الکترونیکی و به صورت مکرر خواند و بنابراین این اطلاعات مدت زمان بیشتری نسبت به اسپین الکترونی دوام خواهند داشت.

مک‌کِیمی که با سه نفر از دانشگاه‌های اوتاه، ایالت فلوریدا و لندن کار می‌کند، می‌گوید: «از آنجائی‌که هسته‌های دهنده (donor) در سیلیکون برهم‌کنش خوبی با اسپین‌های الکترون دارند، طول عمر بالایی دارند و همچنین سیلیکون ماده‌ای است که با الکترونیک متداول کنونی، سازگار است، استفاده از سیلیکون راهی اساسی و بزرگ برای انجام این کار بوده است».

دست‌یابی به این زمان ذخیره‌سازی، و نیز انجام این فعالیت‌ها که نیاز به استفاده از تجهیزات تخصصی در دماهای بسیار پایین در آزمایشگاه ملی میدان‌های مغناطیسی بزرگ در تالاهاسی فلوریدا کار آسانی نبوده است. این کار به میدانی برابر با 9/8 تسلا (چیزی حدوداً 200,000 برابر بزرگتر از میدان مغناطیسی زمین) برای هم‌ترازکردن اسپین‌های الکترون‌های فسفر در ویفر سیلیکونی ناخالصی که تا دمای 5/3 درجه‌ی کلوین سرد شده بود، احتیاج داشت.

پالس‌های الکترومغناطیسی اعمال شده، با فرکانس 240 گیگاهرتز اسپین‌ها را روی الکترون‌های در حال چرخش به دور اتم‌های فسفر "می‌نوشتند". سپس امواج رادیویی گستره‌ی FM، اطلاعات ذخیره شده در اسپین‌های الکترون را روی هسته‌ی فسفر می‌نگاشتند. پس از حدود دو دقیقه، اسپین‌ها به شکل معکوس بر روی الکترون‌ها نگاشته می‌شدند و درنهایت، خوانده می‌شدند. به گفته‌ی مک‌کِیمی این تکنیک علاوه بر فسفر برای هسته‌ی اتم‌های دیگر هم قابل اجراست که این مسأله نشان دهنده‌ی قابلیت استفاده‌ی بالای این روش است.

کارشناسان از یک مسأله شگفت زده شده‌اند؛ مهم‌ترین مسأله این است که آن‌ها حالت اسپین هسته‌ای را با یک جریان الکتریکی اندازه می‌گیرند. استفان لیون (Stephen Lion) استاد دانشکده‌ی برق پرینستون، می‌گوید نمی‌توان فهمید که آیا این تکنیک سرانجام در دمای اتاق هم که همه‌ی ما با آن سر و کار داریم قابل اجراست یا خیر، «امّا در نوع خود گام مهمی به شمار می‌آید».

او با اشاره به این‌که هرچند آزمایش‌های مک‌کِیمی در دمای پایین انجام شده‌اند، گفت: «باید یادآور شد که مقاومت‌های مغناطیسی بزرگ (GMRها) هم که امروزه در همه‌ی دیسک درایوهای ما استفاده می‌شوند، در آغاز به عنوان یک پدیده در دمای پایین خود را نشان دادند.» در واقع، هدف بعدی پژوهشگران این خواهد بود تا راهی برای کار کردن این حافظه در دماهای بالاتر و با میدان‌های مغناطیسی ضعیف‌تر پیدا کنند.

لیون همچنین گمان می‌کند نتایج گروه پژوهشی مک‌کِیمی می‌توانند در محاسبات کوانتومی مفید باشند. بسیاری از پژوهشگران هنوز در مفهوم تئوری کامپیوتر کوانتومی که از هسته‌ی فسفر در سیلیکون برای ذخیره و مدیریت اطلاعات کوانتومی استفاده خواهد کرد، سردرگم مانده‌اند. لیون در رابطه با تکنیک مک‌کِیمی می‌گوید: «اگر ما بتوانیم حساسیت را تا جائی‌که بتوان یک تک‌اسپین هسته‌ای را اندازه گرفت افزایش دهیم، این امر می‌تواند مرحله‌ی خواندن را در یک کامپیوتر کوانتومی تشکیل دهد».

اندرو دوارک (Andrew Dwark)، از دانشگاه نیو ساوث وِلز در استرالیا که عضوی از این گروه بوده است، با این حرف موافق است. او می‌گوید: «من گمان می‌کنم که این کار، قابلیت فراوانی برای توسعه‌ی ابزارهای اسپینترونیکی در سیلیکون دارد. درصورتی‌که شما بخواهید ادوت اسپینترونیکی مجتمع مقیاس بالا را بسازید، آشکارسازی الکتریکی مسأله‌ای مهم خواهد بود.»
]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>ساخت کوچک‌ترین حافظه‌ی همراه DDR دوگیگابیتی صنعت</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/news/electronic/physics-of-electronic/895/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2011:/news//2.895</id>

    <published>2011-02-14T10:01:13Z</published>
    <updated>2011-02-16T21:38:00Z</updated>

    <summary>به گزارش خبرگزاری الکترونیوز و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا مموری، پیشرو جهانی حافظه‌های دینامیکی (DRAM) در ژاپن اعلام کرد که توانسته است یک حافظه‌ی DDR دوگیگابیتی را برای کاربردهای سیار با استفاده از تکنولوژی 40 نانومتر بسازد. این حافظه‌ی همراه جدید اندازه‌ی تراشه‌ای کمتر از 50 میلی‌مترمربع دارد که کمترین اندازه در میان تراشه‌های تکنولوژی DRAM پیشرفته در نسل 40 نانومتر که به مرحله‌ی تولید انبوه رسیده‌اند محسوب مي‌شود. در بازار حافظه‌های مورد استفاده برای تجهیزات سیار دستی،...</summary>
    <author>
        <name>بهنام عبدلی</name>
        
    </author>
    
        <category term="Physics of electronic" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="40نانومتر" label="40 نانومتر" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ddr" label="DDR" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="dram" label="DRAM" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="ژاپن" label="ژاپن" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="حافظه" label="حافظه" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شركتالپيدا" label="شركت الپيدا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/news/">
        <![CDATA[به گزارش خبرگزاری <a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a> و به نقل از فیزورگ، شرکت الپیدا مموری، پیشرو جهانی حافظه‌های دینامیکی (DRAM) در ژاپن اعلام کرد که توانسته است یک حافظه‌ی DDR دوگیگابیتی را برای کاربردهای سیار با استفاده از تکنولوژی 40 نانومتر بسازد. این حافظه‌ی همراه جدید اندازه‌ی تراشه‌ای کمتر از 50 میلی‌مترمربع دارد که کمترین اندازه در میان تراشه‌های تکنولوژی DRAM پیشرفته در نسل 40 نانومتر که به مرحله‌ی تولید انبوه رسیده‌اند محسوب مي‌شود.

در بازار حافظه‌های مورد استفاده برای تجهیزات سیار دستی، نیاز به محصولات DRAM که می‌توانند حجم بیشتری از اطلاعات و توان را در خود نگه دارند، در تجهیزاتی مانند تلفن‌های همراه سبک و کوچک، تلفن‌های هوشمند، تبلت‌ها و سایر دستگاه‌های این‌چنینی موجب تکامل با شدت هرچه بیشتر این حافظه‌ها می‌شود. در پاسخ به این نیاز، الپیدا حافظه‌ی همراه DDR دوگیگابیتی را که کوچک‌ترین تراشه‌ی با تکنولوژی 40 نانومتر در صنعت DRAM است به شکل تجاری در آورده است. الپیدا مصرف توان پایین آن را که با بهینه‌سازی مدار و طراحی قالب‌بندی بهینه و استفاده از روش‌های طراحی منحصربه‌فرد انجام شده است به عنوان ویژگی برجسته در آن عنوان کرده است. این حافظه‌ی تازه ساخته شده‌ی همراه، آخرین کمک دوستانه‌ی الپیدا به کشورهای عضو اکو در جبران ضررهای مربوط به DRAMها و حمایت از ادوات سیار پیشرفته‌ی امروزی است.

مشتری‌هایی که از محصولات یک گیگابیتی تکنولوژی 50 نانومتر الپیدا استفاده کرده‌اند اکنون می‌توانند انتظار  محصول دو گیگابیتی را با تکنولوژی 40 نانومتر و حجم حافظه‌ای دو برابر بدون افزایش در فضای فیزیکی مورد نیاز برای تراشه داشته باشد. به‌علاوه، حافظه‌ی جدید دو گیگابیتی توانی کمتر از نصف توان لازم برای دو تراشه‌ی یک گیگابیتی را مصرف می‌کند.

در حال حاضر، تقاضا برای حافظه‌های دو گیگابیتی DRAM در تلفن‌های همراه هوشمند و سایر دستگاه‌های سیار به شدت در حال افزایش است. با این حافظه‌ی همراه جدید، الپیدا در صدد است که نیاز مشتریان را با افزایش سرعت تولید خود به حداکثر سرعت مجاز برآورده کند. محموله‌ی آزمایشی این محصول در ژوئن 2010 به سراسر جهان ارسال شده و تولید انبوه آن نیز در جولای اين سال آغاز شده است.
]]>
        
    </content>
</entry>



<entry>
    <title>نسخه ی 8.6 نرم افزار LABVIEW با امکان پشتیبانی از طراحی چندهسته ای و بی سیم عرضه شد</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/softwares/437/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2008:/softwares//5.437</id>

    <published>2008-08-08T15:52:02Z</published>
    <updated>2008-08-08T15:58:41Z</updated>

    <summary>نسخه ی 8.6 نرم افزار LABVIEW، ساخت شرکت نشنال اینسترامنتس، روشی هایی برای بهبود طراحی پردازنده های چندهسته ای، FPGA ها و ارتباطات بی سیم اضافه می نماید. به گزاش خبرگزاری برق، الکترونیک و کامپیوتر ایران (الکترونیوز) و به نقل از ای ای تایمز، LABVIEW هم اکنون امکانات مجزایی را برای افزایش سیستم آزمایش و کنترل پردازنده های چندهسته ای در اختیار مهندسین قرار می دهد، زمان توسعه ی کنترل پیشرفته ی با کارایی بالای مبتنی بر FPGA و کاربردهای...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
    <category term="labview" label="LABVIEW" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="امریکا" label="امریکا" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="شرکتنشنالاینسترامنتس" label="شرکت نشنال اینسترامنتس" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/softwares/">
        <![CDATA[نسخه ی 8.6 نرم افزار LABVIEW، ساخت شرکت نشنال اینسترامنتس، روشی هایی برای بهبود طراحی پردازنده های چندهسته ای، FPGA ها و ارتباطات بی سیم اضافه می نماید.

به گزاش خبرگزاری برق، الکترونیک و کامپیوتر ایران (<a href="http://electronews.ir">الکترونیوز</a>) و به نقل از ای ای تایمز، LABVIEW هم اکنون امکانات مجزایی را برای افزایش سیستم آزمایش و کنترل پردازنده های چندهسته ای در اختیار مهندسین قرار می دهد، زمان توسعه ی کنترل پیشرفته ی با کارایی بالای مبتنی بر FPGA و کاربردهای جاسازی شده را کاهش داده و بسیار آسان تر از قبل سیستم های اندازه گیری توزیع شده را جهت کسب داده ها از راه دور ایجاد می نماید.

برنامه های LABVIEW می توانند تبدیل به خدمات تحت وب گردند که امکان دسترسی به آن ها را از تلفن همراه و رایانه های متصل به وب مهیا می سازد. با استفاده از این ویژگی، مهندسین می توانند اینترفیس های کاربری راه دور را برای برنامه های LABVIEW و با استفاده از فناوری های وب مانند HTML، Javascript و Flash توسعه دهند.

برای اطلاعات بیشتر در مود جزئیات امکانات جدید این نسخه به <a href="http://www.ni.com/labview86/upgrade.htm" target="_new">سایت مربوطه</a> مراجعه نمایید.]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>عرضه ی کتابخانه ی جدیدی برای ابزار MCS جهت تبدیل کدهای MATLAB به C</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/softwares/120/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/softwares//5.120</id>

    <published>2007-12-10T22:27:30Z</published>
    <updated>2007-12-10T22:32:44Z</updated>

    <summary>شرکت Catalytic، اخیرا خبر از عرضه ی نرم افزار Catalytic Function Library داد که ارتقاء بزرگی برای ابزار MCS این شرکت که در سنتز کدهای MATLAB به C کاربرد دارد، محسوب می شود. کتابخانه ی توابع Catalytic، این امکان را به برنامه نویسان می دهد که کدهای زبان C را برای بیش از 300 تابع متلب، شامل توابع جعبه ابزارهای signal processing، communications، imaging، و math تولید نمایند. ابزار MCS درست یک سال پیش توسط کاتالایتیک عرضه شد. نسخه ی...</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
    <category term="catalyticfunctionlibrary" label="Catalytic Function Library" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="matlab" label="MATLAB" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="matlabembedded" label="MATLAB Embedded" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="mcs" label="MCS" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/softwares/">
        <![CDATA[شرکت Catalytic، اخیرا خبر از عرضه ی نرم افزار Catalytic Function Library داد که ارتقاء بزرگی برای ابزار MCS این شرکت که در سنتز کدهای MATLAB به C کاربرد دارد، محسوب می شود. کتابخانه ی توابع Catalytic، این امکان را به برنامه نویسان می دهد که کدهای زبان C را برای بیش از 300 تابع متلب، شامل توابع جعبه ابزارهای signal processing، communications، imaging، و math تولید نمایند.
<img src="http://www.catalyticinc.com/images/Diagram-funclib.jpg" style="float: left; padding: 4px">
ابزار MCS درست یک سال پیش توسط کاتالایتیک عرضه شد. نسخه ی اولیه ی این ابزار تبدیل متلب به C بر روی مجموعه ای از 141 تابع متلب متمرکز شده بود. از این جهت، نسخه ی اولیه ی MCS شبیه به نرم افزار MATLAB Embedded بود که به عنوان زیر مجموعه ای از متلب بر روی سایت MathWorks در دسترس می باشد. همانند MCS، Embedded MATLAB نیز امکان تبدیل کدهای M به C را در اختیار می گذارد. البته این دو روش به لحاظ بنیادی دو هدف کاملا متفاوت را دنبال می کنند:
Embedded MATLAB به عنوان یک زبان سطح بالا و با اهداف عمومی می باشد و آرایش گسترده ای از سیستم های embedded را مدنظر دارد. در نقطه ی مقابل، تمرکز MCS بر روی ترجمه ی الگوریتم ها از متلب به C بوده و بیشتر کاربردهای پردازش سیگنال را مدنظر قرار داده است.

با ارائه ی کتابخانه ی توابع Catalytic، تفاوت بین MCS و Embedded Matlab بیش از پیش خودنمائی می کند چرا که این کتابخانه از بسیاری توابع الگوریتمی که در Embedded MATLAB در دسترس نمی باشند، پشتیبانی می کند. به عنوان مثال، از برخی توابع FFT پشتیبانی می نماید که در Embedded MATLAB پشتیبانی نمی شوند.

شاید یکی از موارد مهم این باشد که کتابخانه ی جدید از تعدادی از توابع پیچیده مانند تابع "imopen" که بصورت مورفولوژیک تصویری را باز می کند، پشتیبانی می کند. به ادعای Catalytic، ترجمه ی یکی از این توابع پیچیده می تواند تا شش هفته به طول بیانجامد. با خودکار کردن این فرایند ترجمه، این زمان به شکل محسوسی کاهش می یابد.

با اضافه شدن Catalytic Function Library، MCS به ابزار قدرتمندی برای تبدیل الگوریتم های MATLAB به C مبدل گشته است.  چنین تبدیلی برای توسعه ی بسیاری از کاربردهای پردازش سیگنال ضروری می باشد اما همیشه با اشکالات فراوانی روبروست. بنابراین این کتابخانه محصولی فوق العاده جذاب برای توسعه دهندگان پردازش سیگنال خواهد بود.

این محصول هم اکنون با قیمتی حدود 5000 دلار در سال در دسترس می باشد. برای اطلاعات بیشتر به آدرس زیر مراجعه کنید.
http://www.catalyticinc.com/products/products_funclib.htm]]>
        
    </content>
</entry>

<entry>
    <title>RF Blockset 2.1 : طراحي و شبيه سازي رفتار سيستم هاي RF و اجزاي آنها در يك سيستم بي سيم</title>
    <link rel="alternate" type="text/html" href="http://www.electronews.ir/softwares/rf/23/" />
    <id>tag:www.electronews.ir,2007:/softwares//5.23</id>

    <published>2007-09-14T22:15:07Z</published>
    <updated>2007-09-14T22:28:28Z</updated>

    <summary>MathWorks امروز، RF Blockset 2.1 را در معرض عموم قرار داد. اين نرم افزار بوسيله مجموعه اي از بلوك ها شبيه سازي (Simulink) را توسعه مي دهد كه رفتار فيلترهاي فركانس راديويي (RF)، خطوط انتقال، تقويت كننده ها، و ميكسرها را مدلسازي مي كند. شما مي توانيد مدل كار خود را در Simulink تائيد اعتبار كنيد، و سپس اين مدل را به عنوان يك مشخصه قابل اجرا براي طراحي مدارات RF ، با استفاده از ابزار EDA ، بكار بريد....</summary>
    <author>
        <name>فرهاد سپيدفكر</name>
        
    </author>
    
        <category term="RF" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#category" />
    
    <category term="mathworks" label="MathWorks" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="matlab" label="MATLAB" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    <category term="simulink" label="Simulink" scheme="http://www.sixapart.com/ns/types#tag" />
    
    <content type="html" xml:lang="en" xml:base="http://www.electronews.ir/softwares/">
        <![CDATA[MathWorks امروز، RF Blockset 2.1 را در معرض عموم قرار داد. اين نرم افزار بوسيله مجموعه اي از بلوك ها شبيه سازي (Simulink) را توسعه مي دهد كه رفتار فيلترهاي فركانس راديويي (RF)، خطوط انتقال، تقويت كننده ها، و ميكسرها را مدلسازي مي كند. شما مي توانيد مدل كار خود را در Simulink تائيد اعتبار كنيد، و سپس اين مدل را به عنوان يك مشخصه قابل اجرا براي طراحي مدارات RF ، با استفاده از ابزار EDA ، بكار بريد. پس از طراحي مدار، مي توانيد از RF Blockset براي خواندن مدل هاي داراي  سطح سيستمي و استاندارد صنعتي استفاده كنيد و از برآورده شدن ويژگي هاي مورد نظر مطمئن شويد.
<img src="http://www.mathworks.com/cmsimages/rb_fig1_wl_14328.jpg" style="width:480px; height:300px">
FR Toolbox، كه براي طراحي و آناليز اجزاء RF در نرم افزار MATLAB مورد استفاده قرار مي گيرد، براي استفاده از RF Blockset ضروري است.

blockset اين امكان را به شما مي دهد كه اجزاء مورد نياز را با توجه به پارامترهاي شبكه (فرمت S، Y، Z، ABCD، h، و T)، مشخصات نويز، ويژگي هاي غير خطي، رفتار رياضي و محاسباتي، و ويژگي هاي فيزيكي (توپولوژي و مقادير) آنها تعيين نمائيد. اين نرم افزار به همراه RF Toolbox پارامترهاي شبكه را در MATLAB workspace توليد كرده و يا داده ها را از فايل هايي با فرمت استاندارد صنعتي مي خواند. شما بلوك ها را به همراه پارامترهاي دامنه فركانس عبوري تعيين كرده، و RF Blockset اين پارامترها را براي ايجاد يك مدل time-domain (و مطابق با باند پايه) به منظور شبيه سازي سريع و سازگار با بلوك هاي شبيه سازي ديگر مورد استفاده قرار مي دهد.

RF Blockset علاوه بر اينكه براي پارامترهاي شبكه و ويژگي هاي نويز، امكان دسترسي به فايل هاي داده اي با استاندارد صنعتي، همچون S2P، Y2P، Z2P و H2P را مي دهد، مي توانيد مدل هاي بازبيني را در فرمت هاي S2D، P2D، و AMP وارد كنيد كه نه تنها پارامترهاي شبكه و مشخصات نويز را بلكه ويژگي هاي غيرخطي اجزاء را مشخص مي كنند. مي توانيد فايل هاي S2D و P2D را از سازندگان اجزاء، داده ي اندازه گيري شده، و Verification Model Extractor در ADS (Advanced Design System) از Agilent بدست آوريد.

<b>ويژگي هاي كليدي نرم افزار بطور خلاصه</b>

1- تعيين و شبيه سازي رفتار اجزاء RF، شامل فيلترها، خطوط انتقال، تقويت كننده ها، و ميكسرها
2- تعيين اجزاء بر اساس پارامترهاي شبكه، رفتار محاسباتي، يا ويژگي هاي فيزيكي
3- فرم آبشاري اجزاء براي مدل كردن ساختار RF
4- يكپارچگي با RF Toolbox براي مديريت فايل و ورود مدل مورد استفاده جهت تائيد
5- تبديل پارامترهاي شبكه باند عبور به يك مدل time-domain و مطابق با باند پايه به منظور شبيه سازي سريع و سازگاري با بلوك هاي شبيه سازي ديگر
6- دارا بودن ابزارهاي تجسمي (visualization) براي آزمايش كردن ويژگي هاي اجزاء و سيستم هاي RF

RF Blockset براي سلاريس، لينوكس، ويندوز و مكينتاش عرضه شده است و قيمت پايه ي آن 2000 دلار مي باشد.

<a href="http://www.mathworks.com/products/rfblockset/tryit.html" target="_blank">دانلود نسخه Trial نرم افزار RF Blockset</a>]]>
        
    </content>
</entry>


</feed>

